Nuevos MOSFET Nch de baja resistencia en conducción líderes en su categoría* de ROHM: presentan un funcionamiento de alta eficiencia en una gran variedad de aplicaciones
Gama de tensión de ruptura de 40 V-150 V: ideal para accionamiento de motores y fuentes de alimentación industriales
Willich-Münchheide, Alemania, 31 de mayo de 2023 – ROHM ha desarrollado MOSFET Nch (40 V/60 V/80 V/100 V/150 V) de las series RS6xxxxBx / RH6xxxxBx, 13 números de artículo, adecuados para aplicaciones que funcionan en fuentes de alimentación de 24 V/36 V/48 V como estaciones base, servidores y motores para equipos industriales y de consumo.
(Fig. 1)

En los últimos años, el consumo mundial de energía ha ido constantemente en aumento, lo que ha impulsado la necesidad de que los equipos industriales, como servidores y estaciones base, junto con los distintos motores, aumenten también su eficiencia. En algunas de estas aplicaciones que utilizan los MOSFET de media tensión, empleados en toda una variedad de circuitos, los fabricantes exigen que las pérdidas de potencia sean incluso menores. Sin embargo, los MOSFET generales se caracterizan por dos parámetros principales causantes de las pérdidas de potencia: resistencia en conducción (RDS(on)), que es inversamente proporcional al tamaño del chip, y la carga de compuerta-drenaje (Qgd), que aumenta proporcionalmente con el tamaño del chip, por lo que resulta difícil conseguir ambas combinadamente. ROHM ha mejorado la relación entre ambas adoptando conexiones de clip de cobre y mejorando la estructura de la compuerta.

Los nuevos MOSFET alcanzan una RDS(on) líder del sector de 2,1 mΩ —aproximadamente un 50 % inferior a la convencional— al aumentar el rendimiento del dispositivo y al adoptar el encapsulado HSOP8/HSMT8 que presenta conexiones de clip de cobre de baja resistencia. Además, la mejora de la estructura de compuerta del elemento reduce la Qgd, que generalmente está en una relación de compensación con la RDS(on), en aprox. un 40 % frente a los productos convencionales (comparando los valores típicos de RDS(on) y Qgd para productos de encapsulado HSOP8 de 60 V). Estas mejoras reducen tanto las pérdidas por conmutación como las pérdidas por conducción, lo que contribuye en gran medida a aumentar la eficiencia de las aplicaciones. Por ejemplo, al comparar la eficiencia de una placa de evaluación de fuentes de alimentación para equipos industriales, los nuevos productos de ROHM alcanzan una eficiencia líder en la industria de aproximadamente el 95 % (pico) en el rango de corriente de salida durante el funcionamiento en estado continuo.

En el futuro, ROHM seguirá desarrollando MOSFET con una RDS(on) incluso menor que reduzcan el consumo de energía en diversas aplicaciones, y seguirá contribuyendo así a resolver problemas sociales como la protección del medio ambiente mediante el ahorro de energía.
(Fig. 2 + 3)

Gama de productos
(Fig. 4)

Ejemplos de aplicación
  • Fuentes de alimentación para servidores y estaciones base de comunicación
  • Motores para productos industriales y de consumo
También aptos para una gran variedad de circuitos de fuente de alimentación y dispositivos equipados con motor

*Estudio de ROHM del 31 de mayo de 2023

Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global de 507,9 billones de yenes a 31 de marzo de 2023 con más de 23.700 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de nuestros productos de alto rendimiento se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África).
Para más información visite www.rohm.com
 
 
 
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Date: 31.05.2023 14:00
Number: PR17/23ES
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Karl-Arnold-Str. 15
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