ROHM inizia la produzione in massa di HEMT al GaN da 650 V che offrono prestazioni ai vertici del settore
Per aumentare l'efficienza e la miniaturizzazione in un'ampia serie di sistemi di potenza, compresi server e adattatori AC
Willich-Münchheide, Germania, 08 maggio 2023 – ROHM ha avviato la produzione in massa degli HEMT al GaN (nitruro di gallio) da 650 V, modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z, ottimizzati per un'ampia serie di applicazioni dei sistemi di potenza. Si tratta di nuovi prodotti messi a punto congiuntamente ad Ancora Semiconductors, Inc. - affiliata di Delta Electronics, Inc. - che sviluppa dispositivi GaN.

Il miglioramento dell'efficienza di alimentatori e motori, che costituiscono la quota maggiore del consumo di elettricità a livello mondiale, rappresenta uno scoglio significativo lungo la strada che porta a una società decarbonizzata. L'adozione di nuovi materiali, come il GaN e il SiC (rispettivamente nitruro di gallio e carburo di silicio), è fondamentale per migliorare l'efficienza degli alimentatori.

Dopo avere avviato la produzione in massa di HEMT al GaN da 150 V – che nel 2022 presentavano una tensione di scarica disruptiva di gate da 8 V – a marzo 2023 ROHM ha implementato la tecnologia dei circuiti integrati di controllo per portare le prestazioni del GaN ai massimi livelli. Questa volta ROHM ha sviluppato gli HEMT al GaN da 650 V, che si distinguono per le migliori prestazioni sul mercato, estendendo caratteristiche di maggiore efficienza e dimensioni più ridotte a una serie più ampia di sistemi di potenza.

I modelli GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z offrono le prestazioni più avanzate del settore in termini di RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, cifra di merito per gli HEMT al GaN che si traduce in una maggior efficienza dei sistemi di potenza. Al tempo stesso, un elemento di protezione integrato contro le scariche elettrostatiche (ESD) migliora fino a 3,5 kV la resistenza elettrostatica alle scariche disruptive, conferendo così maggior affidabilità all'applicazione. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità degli HEMT al GaN contribuiscono altresì alla maggiore miniaturizzazione dei componenti periferici.

ROHM continua a migliorare le prestazioni dei dispositivi attraverso la sua line-up di dispositivi GaN EcoGaN™ che contribuisce a potenziare i risparmi energetici dell'applicazione e la miniaturizzazione. Con lo sviluppo dei prodotti ROHM promuoveremo anche lo sviluppo congiunto basato sulle partnership strategiche, per contribuire alla risoluzione delle problematiche sociali grazie ad applicazioni sempre più efficienti e compatte.

EcoGaN™
Marchio della nuova line-up di dispositivi GaN di ROHM. Questi ultimi contribuiscono alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione portando le caratteristiche del GaN ai massimi livelli – l'obiettivo consiste nell'ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici ridotti e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti.

EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd.

Line-up di prodotti
(Tabella)

Esempi applicativi
L'ideale per una vasta serie di sistemi di potenza previsti dalle apparecchiature industriali e dai dispositivi consumer, ivi compresi server e adattatori AC

Ancora Semiconductors Inc.
Azienda affiliata di Delta Electronics, provider globale di soluzioni di gestione energetica e termica. Ancora è stata costituita a luglio 2022 con la finalità di concentrarsi sullo sviluppo di dispositivi e tecnologia GaN.
Per maggiori informazioni su Ancora si prega di visitare il sito:
https://www.ancora-semi.com/EN

Terminologia
HEMT al GaN
Il GaN (nitruro di gallio) è un materiale semiconduttore composto, utilizzato per i dispositivi di potenza di nuova generazione. Grazie alle sue superiori proprietà rispetto al silicio, per esempio le eccellenti caratteristiche per applicazioni di alta frequenza, se ne comincia a vedere la crescente diffusione.
HEMT è l'acronimo di High Electron Mobility Transistor, ossia transistor ad alta mobilità elettronica.

RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Indice per la valutazione della prestazione di commutazione, ove Ciss è riferito alla capacità elettrica complessiva sul lato di ingresso e Coss la rappresenta sul lato di uscita. Quanto più basso risulta questo valore, tanto più alta è la velocità di commutazione e più bassa la perdita durante la commutazione.

ESD (scarica elettrostatica)
Sovratensione che si verifica quando elementi sottoposti a una carica come il corpo umano e le apparecchiature elettroniche entrano in contatto tra loro. Questo tipo di sovratensione può causare malfunzionamenti o la distruzione di circuiti e apparecchiature.

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società globale da 452,1 miliardi di Yen (3,3 miliardi di euro) al 31 marzo 2022 con oltre 23.000 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa).
Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com
 
 
 
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Date: 08.05.2023 10:00
Number: PR15/23IT
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katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
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peter.gramenz@mexperts.de
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