ROHM inicia la producción en masa de los HEMT de GaN de 650 V con el rendimiento líder de su categoría
Mayor eficiencia y miniaturización en una amplia gama de sistemas de alimentación eléctrica, incluidos servidores y adaptadores de CA
Willich-Münchheide, Alemania, 08 de mayo de 2023 – ROHM ha comenzado con la producción en masa de los HEMT de GaN (nitruro de galio) de 650 V GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z optimizados para una amplia gama de aplicaciones de sistemas de alimentación eléctrica. Estos nuevos productos han sido desarrollados juntamente con Ancora Semiconductors, Inc, una filial de Delta Electronics, Inc, abanderada en el desarrollo de dispositivos de GaN.

La mejora de la eficiencia de las fuentes de alimentación y los motores, que representan la mayor parte del consumo mundial de electricidad, se ha convertido en todo un desafío para lograr una sociedad descarbonizada. La adopción de nuevos materiales, como el GaN y el SiC es clave para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación.

Tras iniciar la producción en masa de los HEMT de GaN de 150 V —que presentan una tensión de ruptura de puerta de 8 V en el año 2022— ROHM creó en marzo de 2023 la tecnología de CI de control para maximizar el rendimiento del GaN. En esta ocasión, ROHM ha desarrollado los HEMT de GaN de 650 V con un rendimiento líder en el mercado que contribuye a una mayor eficiencia y un menor tamaño en una gama más amplia de sistemas de alimentación eléctrica.

El GNP1070TC-Z y el GNP1150TCA-Z ofrecen un rendimiento líder en la industria en términos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un factor de mérito para los HEMT de GaN, que se traduce en una mayor eficiencia en los sistemas de alimentación eléctrica. Al mismo tiempo, un elemento de protección ESD integrado mejora la resistencia a la ruptura electrostática hasta 3,5 kV, con lo cual aumenta la fiabilidad de las aplicaciones. Las características de conmutación de alta velocidad de los HEMT de GaN también contribuyen a una mayor miniaturización de los componentes periféricos.

ROHM continúa mejorando el rendimiento de los dispositivos a través de su gama EcoGaN™ de dispositivos de GaN, que contribuye a un mayor ahorro de energía en las aplicaciones y a una mayor miniaturización. Al mismo tiempo que desarrollamos los productos de ROHM, también favorecemos el desarrollo común mediante asociaciones estratégicas para contribuir a resolver problemas sociales haciendo que las aplicaciones sean más eficientes y compactas.

EcoGaN™
Es la nueva gama de dispositivos de GaN de ROHM, que contribuyen al ahorro de energía y a la miniaturización al maximizar las características del GaN con el objetivo de lograr un menor consumo de energía de las aplicaciones, componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas.

Gama de productos
(Tabla)

Ejemplos de aplicación
Ideal para una amplia gama de sistemas de alimentación eléctrica en equipos industriales y dispositivos de consumo, incluidos servidores y adaptadores de CA.

Ancora Semiconductors Inc.
Es una filial de Delta Electronics, proveedor mundial de soluciones de gestión térmica y energética. Ancora se fundó en julio de 2022 y su actividad se centra en el desarrollo de dispositivos y tecnología de GaN.
Para más información sobre Ancora, visite: https://www.ancora-semi.com/EN

Terminología
HEMT de GaN
El GaN (nitruro de galio) es un material semiconductor compuesto que se utiliza en dispositivos de potencia de nueva generación. Su implantación está aumentando debido a sus propiedades superiores a las del silicio, como muestran sus excelentes características de alta frecuencia.
HEMT es la sigla para High Electron Mobility Transistor (transistor de alta movilidad de electrones).

RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Es un índice para evaluar el rendimiento de conmutación, donde Ciss se refiere a la capacitancia global desde el lado de entrada y Coss desde el lado de salida.
Cuanto menor sea este valor, mayor será la velocidad de conmutación y menores las pérdidas durante la conmutación.

ESD (descarga electrostática)
Sobretensión que se produce cuando objetos cargados, como el cuerpo humano y los equipos electrónicos, entran en contacto. Este tipo de sobretensión puede provocar un funcionamiento anómalo o la destrucción de circuitos y equipos.

Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global de 452.1 billones de yenes (3.3 billones de euros) a 31 de marzo de 2022 con más de 23.000 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como gate drivers y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de nuestros productos de alto rendimiento se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Alemania, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África).
Para más información visite www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 08.05.2023 10:00
Number: PR15/23ES
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
ROHM inicia la producción en masa de los HEMT de GaN de 650 V con el rendimiento líder de su categoría

 Download der hochauflösenden Version...
Gama de productos

 Download der hochauflösenden Version...

 Download der hochauflösenden Version...
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
15.02.2024 14:00
Nuevos SBD de ROHM: logran un tiempo de recuperación inversa líder en su categoría* con una tensión de ruptura de 100 V al adoptar una estructura Trench-MOS que mejora significativamente la compensación VF-IR

07.02.2024 14:00
Nuevo amplificador operacional de deriva cero de ROHM con alta precisión independientemente de los cambios de temperatura

24.01.2024 14:00
Los MOSFET compactos SOT-223-3 de 600 V de ROHM contribuyen a lograr diseños más pequeños y de perfil más bajo para fuentes de alimentación en iluminación, bombas y motores

06.12.2023 14:00
ROHM ofrece la mayor* librería de modelos LTspice® de la industria, con más de 3500, al añadir SiC e IGBT

08.11.2023 14:00
Nuevo CI de gate driver de muy alta velocidad de ROHM: maximice el rendimiento de los dispositivos de GaN