Il contributo dei nuovi MOSFET di ROHM a una maggiore efficienza e a un funzionamento più sicuro grazie all'originale struttura isolante
Dissipazione di potenza ai vertici della categoria, in un package compatto, ideale per dispositivi piccoli e sottili
Willich-Münchheide, Germania, 19 dicembre 2022 – ROHM ha sviluppato di recente un MOSFET a canale N da 20 V a elevata efficienza e compatto, ossia il RA1C030LD, ottimizzato per la commutazione in dispositivi piccoli e sottili, compresi smartphone e i dispositivi indossabili quali earbuds e altre apparecchiature auricolari.
(Fig. 1)

Negli ultimi anni la crescente sofisticazione dei dispositivi compatti unita a requisiti di potenza sempre maggiori hanno comportato la necessità di batterie più grandi che però riducono lo spazio a disposizione per il montaggio di componenti. Tuttavia anche le dimensioni della batteria hanno un limite, pertanto per garantire un uso più efficiente della potenza della batteria stessa occorre ridurre al minimo la perdita di potenza dei componenti montati.

Per rispondere a questa esigenza, nel settore si va generalizzando lo sviluppo di MOSFET in package di tipo wafer-level chip-size (WLCSP) che contribuiscono a ottenere una maggiore miniaturizzazione, pur mantenendo le caratteristiche necessarie. ROHM sfrutta l'esperienza acquisita come azienda produttrice di circuiti integrati per ridurre sensibilmente la resistenza del cablaggio (aumentata dai processi discreti convenzionali). Il risultato è un MOSFET di potenza compatto che offre bassi livelli di perdita di potenza.

Il RA1C030LD viene proposto in package di tipo wafer-level chip-size DSN1006-3 (1,0 mm × 0,6 mm) che fa tesoro delle tecnologie proprietarie di processo dei circuiti integrati di ROHM per ottenere una bassa dissipazione di potenza unita a una maggiore miniaturizzazione. Relativamente al rapporto tra perdita di conduzione e perdita di commutazione (resistenza di ON × Qgd, ossia carica gate-drain), si è raggiunto un valore ai vertici del settore, vale a dire inferiore del 20% rispetto ai prodotti in package standard con lo stesso package (1,0 mm × 0,6 mm o inferiore), contribuendo così a ottenere un'area della scheda sensibilmente minore unitamente a un'efficienza più elevata in un gran numero di dispositivi compatti. Al tempo stesso, la struttura del package di ROHM - unica nel suo genere - dota di protezione isolante le pareti laterali (diversamente dai prodotti standard con lo stesso package privo di protezione). In tal modo si riduce il rischio di cortocircuiti dovuti al contatto fra componenti in dispositivi compatti costretti a ricorrere al montaggio ad alta densità a causa dei limiti di spazio, contribuendo così a un funzionamento più sicuro.

Per il futuro ROHM continuerà a sviluppare prodotti con una resistenza di ON anche più bassa in package di dimensioni più ridotte, che contribuiscono alla risoluzione di problematiche sociali come la tutela dell'ambiente ottimizzando l'efficienza di un gran numero di dispositivi compatti.
(Fig. 2 + 3)

Specifiche
(Fig. 4)

Esempi applicativi
  • Dispositivi auricolari (per es. earbud wireless)
  • Dispositivi indossabili come smartwatch, smart glass e action-cam
  • Smartphone
Idoneo anche alla commutazione per un'ampia gamma di dispositivi sottili e compatti.

Informazioni sulle vendite online
Data di lancio delle vendite: Dicembre 2022
Distributori online: Digi-Key, Mouser e Farnell
Lancio previsto anche presso altri distributori online.

*Ricerca ROHM 19 dicembre 2022

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società globale da 452,1 miliardi di Yen (3,3 miliardi di euro) al 31 marzo 2022 con oltre 23.000 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com
 
 
 
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Date: 19.12.2022 14:00
Number: PR29/22IT
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Il contributo dei nuovi MOSFET di ROHM a una maggiore efficienza e a un funzionamento più sicuro grazie all'originale struttura isolante

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Fig. 2

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Fig. 3

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Public Relations
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Karl-Arnold-Str. 15
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katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
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Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
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