ROHM al PCIM 2022: novità di rilievo nel campo della potenza e nuovi investimenti in capacità produttiva di SiC
In occasione dell'edizione del PCIM in presenza di quest'anno, la maggior fiera di settore per l'elettronica di potenza che si terrà a Norimberga, in Germania, dal 10 al 12 maggio 2022, ROHM Semiconductor Europe presenta le sue nuove soluzioni per semiconduttori di potenza incentrate sulla mobilità elettrica e sulle applicazioni per la conversione di energia. L'azienda presenta anche le sue attività economiche, le sue strategie e i suoi piani di investimento nel carburo di silicio (SiC) a livello europeo e globale.

Una delle più recenti innovazioni nel campo della potenza di ROHM è rappresentata dalla sua quarta generazione di MOSFET SiC, che vanta una perdita di commutazione inferiore del 50% e una riduzione della resistenza di ON del 40% (rispetto alle generazioni precedenti) senza sacrificare la resistenza al cortocircuito. L'ultima generazione offre inoltre un range di tensione di gate più flessibile (15 - 18 V) e garantisce lo spegnimento a tensione zero, consentendo l'utilizzo di circuiti di pilotaggio del gate semplici e con alimentazione unipolare.

“La richiesta di SiC è destinata a crescere, così come le vendite di ROHM. Accelereremo ulteriormente l'investimento e lo sviluppo dei prodotti sulla base della tecnologia che abbiamo studiato nella nostra veste di azienda leader nella produzione di tecnologia SiC. La nostra azienda continuerà anche a proporre soluzioni che combinano non solo prodotti SiC, ma anche componenti periferici e assistenza clienti", ha affermato il Dr. Kazuhide Ino, amministratore delegato e CSO di ROHM Co., Ltd..

Recentemente ROHM ha aumentato la propria capacità produttiva per i semiconduttori di potenza SiC con il completamento di un nuovo edificio presso il suo stabilimento Apollo a Chikugo, in Giappone. "In qualità di azienda produttrice di semiconduttori a integrazione verticale, siamo ampiamente indipendenti dai fornitori e possiamo rispondere in modo più flessibile ai cambiamenti del mercato. L'elevato grado di integrazione delle nostre fabbriche ci offre un vantaggio competitivo rispetto ad altri produttori che devono esternalizzare numerose fasi di produzione. Stiamo anche compiendo grandi sforzi per ottimizzare ulteriormente le nostre catene di approvvigionamento, compreso il nostro sistema di produzione, e per ottenere forniture stabili per i nostri clienti", ha affermato Wolfram Harnack, Presidente di ROHM Semiconductor Europe.

Dal momento che la richiesta di wafer di carburo di silicio continuerà a crescere in futuro, ROHM progetta di espandere i suoi investimenti e la sua capacità produttiva. Inoltre la filiale di produzione di ROHM SiCrystal, ubicata a Norimberga, in Germania, ha in progetto di ampliare notevolmente la sua capacità e il suo organico. "L'obiettivo intermedio di SiCrystal è quello di ottenere vendite a nove cifre producendo diverse centinaia di migliaia di substrati all'anno", ha spiegato il Dr. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal.

Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd., è soddisfatto dei risultati complessivi del gruppo ROHM e guarda con ottimismo al futuro: "Abbiamo registrato vendite record nell'ultimo esercizio fiscale e ci aspettiamo di continuare a dar prova di una forte performance nell'esercizio fiscale corrente. Di conseguenza abbiano rivisto verso l'alto il piano di gestione a medio termine e prima di quanto pianificato. Tra i mercati globali, puntiamo sull'Europa come mercato prioritario su cui concentrarci, viste le numerose aziende che primeggiano nel campo dell'innovazione tecnologica per le apparecchiature automobilistiche e industriali. ROHM continuerà altresì a fornire ai propri clienti soluzioni incentrate sui prodotti analogici e di potenza, che sono le sue specialità", conclude Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd..

Ulteriori informazioni:
Landing page dei MOSFET SiC di quarta generazione:
https://www.rohm.com/products/sic-power-devices#productGF

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor è una società globale con oltre 23.000 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. LAPIS Technology (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 11.05.2022 14:00
Number: PR11/22IT
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
ROHM al PCIM 2022: novità di rilievo nel campo della potenza e nuovi investimenti in capacità produttiva di SiC

 Download der hochauflösenden Version...
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
11.06.2024 08:00
Il nuovo TRCDRIVE pack™ di ROHM con modulo stampato SiC 2 in 1 riduce in modo significativo le dimensioni degli inverter di veicoli elettrici (xEV)

06.06.2024 14:00
I nuovi resistori di shunt di ROHM contribuiscono a una maggiore miniaturizzazione nelle applicazioni automotive, nonché per apparecchiature industriali e di consumo

15.05.2024 10:00
ROHM a PCIM Europe 2024: Dare forza alla crescita, ispirare l'innovazione

23.04.2024 14:00
I nuovi circuiti integrati per convertitori DC/DC a risparmio energetico di ROHM offerti nel package TSOT23

10.04.2024 14:00
ROHM sviluppa un nuovo amplificatore operazionale che riduce al minimo il consumo di corrente