Gama ampliada de diodos de encapsulado PMDE compacto de ROHM (SBD/FRD/TVS): contribuyen a la miniaturización de las aplicaciones
Fiabilidad superior que resulta ideal para aplicaciones de automoción
Willich-Münchheide, Alemania, 26 de abril de 2022 ROHM ha añadido 14 nuevos modelos a su gama de encapsulados PMDE (2,5 mm × 1,3 mm), que cumplen los requisitos de los circuitos de protección y conmutación más pequeños. (Serie RBxx8, serie RFN, serie VS)
(Fig. 1)

Los diodos se utilizan para los circuitos de rectificación, protección y conmutación en una amplia gama de aplicaciones y sectores, entre los que se incluyen la automoción, la industria y el consumo. Además, cada vez es más necesario reducir el tamaño de los encapsulados para minimizar el área de montaje. Al mismo tiempo, también se requiere un mayor rendimiento para reducir el consumo de energía.

No obstante, al reducir el tamaño del encapsulado, el área de superficie del electrodo posterior y del perfil también se reduce, lo que da lugar a una menor disipación del calor. Para solucionar este inconveniente, el encapsulado PMDE de ROHM mejora el rendimiento de disipación del calor al ampliar el electrodo posterior y optimizar así la ruta de disipación del calor.
De este modo se consiguen las mismas características eléctricas que las de los encapsulados convencionales, pero en un tamaño de encapsulado más pequeño.

El encapsulado PMDE compacto patentado por ROHM presenta un modelo de circuito equivalente al del tipo SOD-323 convencional. La revisión del electrodo posterior y de la ruta de disipación de calor ha permitido a ROHM conseguir las mismas características eléctricas (es decir, corriente, tensión no disruptiva) que el encapsulado estándar SOD-123FL (3,5 mm × 1,6 mm) en un tamaño de encapsulado más pequeño, lo que contribuye a la miniaturización de la placa al reducirse el área de montaje en aproximadamente un 42 %. Además, la resistencia mecánica es aproximadamente 1,4 veces mayor que la del SOD-123FL, lo que reduce el riesgo de que la soldadura se agriete cuando se aplica tensión a la placa y se garantiza de este modo una mayor fiabilidad de montaje.

La gama de encapsulados PMDE consta de 8 modelos en la serie RBxx8 de diodos de barrera Schottky (SBD), 2 modelos en la serie RFN de diodos de recuperación rápida (FRD) y 2 modelos de la serie VS de TVS (TVS). Con los diodos compactos se pueden realizar múltiples aplicaciones de circuitos.
En el futuro, ROHM se esforzará por seguir mejorando la calidad de sus dispositivos semiconductores, desde los de baja a los de alta tensión, a la vez que seguirá reforzando su gama distintiva para reducir aún más el consumo de energía y lograr una mayor miniaturización del encapsulado.
(Fig. 2)

Productos de encapsulado PMDE
El encapsulado PMDE ofrece las mismas características eléctricas que el encapsulado convencional SOD-123FL en un tamaño de encapsulado más pequeño, lo que garantiza un mejor rendimiento de disipación de calor y mayor fiabilidad de montaje. Además, todos los números de piezas compatibles con el sector de la automoción disponen de calificación acorde a la norma AEC-Q101 de fiabilidad para el sector de la automoción. A continuación, se indican nuestras nuevas gamas de productos de encapsulado PMDE. (SBD: solo la serie RBR, en producción en masa que ya está en produccion masiva desde Junio del 2021.)

1. SBD: características de la serie RBxx8 (nuevos productos)
Estos SBD ofrecen una baja tensión directa junto con una alta eficiencia. Se han añadido a la serie RBxx8 10 modelos en el encapsulado PMDE con tensiones de ruptura de 30 V a 150 V que proporcionan una corriente inversa (IR) ultrabaja y pueden funcionar de forma estable incluso en entornos de alta temperatura.

Tabla de gama de la serie RBxx8
(Fig. 3)

2. SBD: características de la serie RBR (anunciada en agosto de 2021)
La serie RBR equilibra la relación de compensación entre baja tensión directa, que es clave para mejorar la eficiencia y la baja corriente inversa (producida en masa desde junio de 2020). Esta serie de encapsulados PDME incluye 6 modelos distintos.

Tabla de gama de la serie RBR (encapsulado PMDE)
(Fig. 4)

3. FRD: características de la serie RFN (nuevos productos)
Los FRD ofrecen una alta tensión no disruptiva (de hasta 800 V) equivalente a la de los diodos rectificadores, junto con un excelente trr (tiempo de recuperación inversa), que es importante para el funcionamiento a alta frecuencia. La serie RFN ofrece las mismas características eléctricas que los productos convencionales en un encapsulado PMDE compacto.

Tabla de gama de la serie RFN (encapsulado PMDE)
(Fig. 5)

4. TVS: características de la serie VS (nuevos productos)
El TVS es un tipo de diodo que absorbe la tensión súbita (sobretensión) que fluye durante el arranque o la ruptura, y luego la reduce a una tensión constante. La serie VS admite una amplia gama de tensiones stand-off (VRWM) de 5 V a 130 V.
(Se ofrecen 32 rangos de tensiones stand-off entre 5 V y 130 V)

Tabla de gama de la serie VS (encapsulado PMDE)
(Fig. 6)

Disponibilidad: producción en masa, disponible a través de los distribuidores online Digi-key, Mouser y Farnell AG.

Ejemplos de aplicación
(Fig. 7 10)

Acerca de ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor es una compañía global con una facturación de 3295 millones de dólares estadounidenses a 31 de marzo de 2021 y con 22 370 empleados. La empresa desarrolla y fabrica una amplia gama de productos, desde diodos y MOSFET de SiC, circuitos integrados analógicos, como controladores de compuerta y circuitos integrados de gestión de la energía, hasta transistores y diodos de potencia, además de componentes pasivos. La producción de nuestros productos de alto rendimiento se lleva a cabo en plantas de fabricación de última generación en Japón, Corea, Malasia, Tailandia, Filipinas y China. LAPIS Technology (antigua OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH y Kionix son compañías del ROHM Semiconductor Group. ROHM Semiconductor Europe tiene su sede central cerca de Düsseldorf y cubre la región EMEA (Europa, Oriente Medio y África). Para más información visite www.rohm.com
 
 
 
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» Press Release
Date: 26.04.2022 14:00
Number: PR08/22ES
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Fig. 1

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Fig. 4

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Fig. 5

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Fig. 6

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Fig. 7

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Fig. 10
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