Les nouvelles résistances de shunt présentent la puissance nominale la plus élevée de l’industrie dans le format 5,0 mm × 2,5mm

Une nouvelle structure de haute dissipation de chaleur améliore la fiabilité et les économies d’espace dans les applications automobiles et industrielles

Willich-Münchheide, Allemagne, 18 février 2020 – ROHM a récemment annoncé la disponibilité de résistances de shunt, la série GMR50, fournissant une puissance nominale de 4 W à la pointe de l’industrie (à une température d’électrode de TK=90°C) dans le format compact de 5,0 mm × 2,5 mm (type de boîtier 2010). Elles sont idéales pour la détection de courant dans les moteurs et les circuits d’alimentation utilisés dans les systèmes automobiles et les équipements industriels. Cette nouvelle série combine une structure d’électrode révisée avec une conception d’appareil optimisée améliorant la dissipation de chaleur à l’endroit de montage de la résistance sur le circuit imprimé. Il en résulte une surface de montage 39 % plus petite par rapport aux produits conventionnels de 4 W. En outre, cette nouvelle série peut résister aux charges de surintensité de courant et fournir une précision de détection de courant stable, même lorsque des charges inattendues dépassant la puissance nominale sont appliquées, ce qui contribue à améliorer la fiabilité au niveau du système. Les résistances de shunt sont largement utilisées dans les marchés automobiles et industriels de la détection de courant. Dans le secteur automobile en particulier, l’augmentation de la fonctionnalité se traduit par un plus grand nombre de moteurs et d’UCE, mais dans le même temps, la zone de montage pour les applications est intrinsèquement limitée. En conséquence, le montage à haute densité augmente, stimulant la demande en direction de composants comprenant des résistances de shunt compactes. Pour répondre à ces besoins, ROHM a lancé la série GMR100 en 2017. Il s’agit de résistances de shunt de puissance au format 6,4 mm x 3,2 mm (boîtier de type 2512), qui ont depuis reçu un bon accueil sur les marchés de l’automobile et de l’équipement industriel imposant des exigences strictes en matière de température. La série GMR50 introduite cette fois-ci a été développée pour répondre à la demande d’une miniaturisation plus poussée et d’une puissance plus élevée que les produits conventionnels. En plus d’élargir la gamme de résistances de shunt, le fabricant complet de semiconducteurs ROHM continuera à renforcer son support technique comme les simulations thermiques aidant les clients de l’automobile et de l’industrie et à offrir des solutions uniques avec des dispositifs de puissance et des amplificateurs optiques actuellement en développement. (fig. 2) Fonctions clés 1. La structure de dissipation de chaleur originale atteint la puissance nominale la plus élevée de l’industrie ainsi qu’une meilleure durabilité sous les charges de surintensité Pour augmenter la puissance nominale tout en réduisant la taille, il est nécessaire d’assurer la fiabilité à long terme contre l’auto-échauffement. Pour y répondre, ROHM a amélioré la dissipation de chaleur en révisant la structure d’électrode et en optimisant la conception de l’appareil. Par exemple, en utilisant un produit de 5 mΩ à 2 W, ROHM a réussi à réduire la température superficielle de 57 % par rapport aux résistances de taille conventionnelle 5025. 1) La puissance nominale élevée contribue à de plus grandes économies d’espace La série GMR50 fournit une haute dissipation de chaleur, garantissant la puissance nominale extrêmement élevée à la pointe de l’industrie (4 W) dans le format 5,0 mm × 2,5 mm (boîtier de type 2010) à une température des bornes de TK=90 °C (et 3 W à TK=110°C). L’amélioration de la puissance nominale permet d’utiliser des résistances de shunt d’une taille plus petite dans la classe des 4 W, réduisant la surface de montage de 39 % et contribuant à des économies d’espace plus importantes. 2) L’excellente durabilité permet la détection stable de courant Les résistances de shunt sont utilisées dans les circuits de détection de courant, mais une détection de courant stable est nécessaire même lorsqu’un fort courant circule dans la résistance en raison d’une défaillance de la cible de détection ou de défauts de mise à la terre/de courts-circuits. Cette dernière série offre une plus grande durabilité contre les charges de surintensité que les produits conventionnels : il en résulte une variation minimale de la résistance, même en cas de surintensité supérieure à la valeur nominale, pour une précision de détection de courant stable. 3) ROHM peut fournir des solutions uniques (en tant que fabricant complet de semiconducteurs) En plus des résistances de shunt, ROHM peut fournir une large gamme allant des CI aux dispositifs de puissance ainsi qu’un support technique avancé comme la simulation thermique. Par rapport aux produits conventionnels de ROHM, la nouvelle série GMR50 montée sur le circuit imprimé permet par exemple de simuler l’augmentation de la température superficielle. Le résultat de la simulation suggère sa capacité à supprimer l’augmentation de température sur des circuits utilisant deux résistances conventionnelles de format 5025 en parallèle, même en montant juste une unité. (fig.3) 2. Excellent coefficient de résistance à la température, même dans la zone à faible résistance Cette nouvelle série utilise un alliage métallique à hautes performances comme élément résistif pour fournir un coefficient de résistance à la température (CRT) supérieur même dans la zone de faible résistance. Par exemple, de 0 à + 25ppm /°C sont assurés pour une résistance de 5 mΩ. Cela permet une détection de courant de haute précision qui est moins affectée par les changements de température ambiante, contribuant à améliorer la fiabilité de l’application. (fig. 4) Disponibilité : maintenant Gamme La gamme a été étendue pour inclure le boîtier de la série GMR50 de 5,0 mm × 2,5 mm (type 2010) en plus du boîtier GMR100 existant de 6,4 mm × 3,2 mm (type 2512). (tab.) Diagramme de sélection des résistances de ROHM (fig. 5)

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant un revenu de 398.989 millions de yens (3,652 milliards de dollars américains) et employant 22 899 salariés au 31 mars 2019. ROHM Semiconductor développe et fabrique une vaste gamme de produits allant du microcontrôleur ultra faible puissance, de la gestion de l'énergie, des circuits intégrés standard, des diodes SiC, des MOSFET et modules, des transistors de puissance et diodes, des LED, à des composants passifs tels les résistances, condensateurs au tantale et écrans LED mais également des têtes d'impression thermiques dans les usines de pointe au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines, en Chine et en Europe. LAPIS Semiconductor (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal AG et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf au service de la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, visitez le site www.rohm.com/eu