ROHM presenta IGBT da 650 V caratterizzati dalla perdita più bassa del settore*
Willich-Münchheide, Germania, 25 agosto 2026 – ROHM ha sviluppato la quarta generazione di IGBT da 650 V, ideale per compressori elettrici e resistori ad alta tensione destinati al settore automotive, nonché per inverter utilizzabili in apparecchiature industriali. In quanto prodotti da 650 V destinati al settore automotive, i nuovi IGBT raggiungono perdite di conduzione ai minimi livelli della categoria* con VCE(sat) = 1,55 V, garantendo al contempo un’elevata tolleranza al cortocircuito e la conformità allo standard di affidabilità del settore automotive AEC-Q101.
(Fig. 1)

Con il passaggio dei veicoli elettrici a tensioni più elevate, il SiC trova sempre più impiego in applicazioni ad alta potenza, come gli inverter di trazione. Allo stesso tempo, gli IGBT da 650 V sono ampiamente utilizzati come dispositivi di commutazione in sistemi ausiliari con potenza inferiore, tra cui compressori elettrici per autoveicoli e resistori ad alta tensione. Gli IGBT al silicio sono inoltre ampiamente utilizzati nelle apparecchiature industriali, in particolare nei motori e nei compressori, e si prevede che la domanda continui a crescere.

Queste applicazioni richiedono un maggiore risparmio energetico e apparecchiature di dimensioni più ridotte, cosa che genera una forte domanda di dispositivi di potenza che offrano maggiore affidabilità, dimensioni più compatte e maggiore efficienza. In particolare, i circuiti di resistori e inverter devono avere una tolleranza ai cortocircuiti sufficiente a resistere per il tempo necessario a rilevare e interrompere la sovracorrente durante un cortocircuito.

In risposta a queste esigenze di mercato, ROHM ha riprogettato la struttura del dispositivo, compresi il processo di produzione e la struttura di terminazione di bordo, per sviluppare la quarta generazione di IGBT che combina caratteristiche di bassa perdita con un’elevata tolleranza al cortocircuito, soddisfacendo al contempo requisiti di tensione più elevata. Grazie alla revisione della struttura del dispositivo, i prodotti aumentano la densità di corrente riducendo al contempo le perdite di conduzione e di commutazione. Inoltre, nonostante il bilanciamento tra minori perdite e tolleranza ai cortocircuiti, i prodotti garantiscono un lungo tempo di resistenza al cortocircuito pari a 7 µs a Tj = 25 °C. Ciò contribuisce a una maggiore efficienza e a una migliore affidabilità nelle applicazioni.

La line-up comprende 12 prodotti in package TO-247N, ovvero il RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR, e 10 prodotti a wafer nudo, la serie SG83xxWN. ROHM sta inoltre sviluppando 12 prodotti in package TO-247-4L, ovvero le serie RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR. I modelli di progettazione e i materiali necessari per la progettazione dei circuiti sono disponibili per il download anche sul sito web ufficiale di ROHM.

Sono già disponibili i prodotti con package TO-247N e alcuni prodotti a wafer nudo. I prodotti con package TO-247N sono disponibili per la vendita tramite distributori online quali DigiKey e Farnell.

In futuro, ROHM intende ampliare ulteriormente la line-up di prodotti con gli stessi package e sviluppare IGBT compatti a montaggio superficiale che adottino il package TO-263L e package con raffreddamento top-side (TSC). ROHM continuerà ad ampliare la propria line-up di IGBT ad alte prestazioni, contribuendo a migliorare l’efficienza negli impieghi di pilotaggio e a favorire la miniaturizzazione nelle applicazioni per il settore automotive e industriale.

Line-up di prodotti
Prodotti discreti
(Fig. 2 + 3)

Prodotti a wafer nudo
(Fig. 4)

Esempi applicativi
• Compressori elettrici nel settore automotive
• Resistori ad alta tensione per il settore automotive (resistori PTC, resistori del liquido di raffreddamento)
• Inverter per apparecchiature industriali

Informazioni aggiuntive
Il sito web ufficiale di ROHM mette a disposizione modelli SPICE che riproducono fedelmente le caratteristiche elettriche dei prodotti nelle simulazioni, modelli PLECS per la simulazione dei circuiti elettrici e altro materiale necessario per la progettazione dei circuiti. Per ulteriori informazioni, visitare la pagina dedicata ai prodotti IGBT a trincea con arresto di campo.

Marchio EcoIGBT™
EcoIGBT™ è il marchio di IGBT di ROHM dedicato ai dispositivi e moduli progettati per soddisfare le esigenze delle applicazioni ad alta tensione nel campo dei dispositivi di potenza. ROHM sviluppa in modo indipendente tecnologie essenziali per l’evoluzione del dispositivi di potenza, che spaziano dai processi di fabbricazione dei wafer e poi di produzione fino al packaging e ai metodi per il controllo qualità. Allo stesso tempo, abbiamo implementato un sistema di produzione integrato per tutto il processo produttivo, consolidando la nostra posizione di fornitori leader di dispositivi di potenza.
EcoIGBT™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd.

*Ricerca ROHM 25 agosto 2026

Informazioni su ROHM Semiconductor
ROHM, azienda leader nella produzione di semiconduttori e componenti elettronici, è stata fondata nel 1958. Dai mercati automobilistico e delle apparecchiature industriali ai settori consumer e delle comunicazioni, ROHM fornisce IC, discreti e componenti elettronici di qualità e affidabilità superiori attraverso una rete di vendita e sviluppo globale. I punti di forza di ROHM nei mercati analogico e di potenza ci consentono di proporre soluzioni ottimizzate per interi sistemi che combinano componenti periferici (ad esempio transistor, diodi, resistenze) con i più recenti dispositivi di potenza SiC e con circuiti integrati di pilotaggio che ne massimizzano le prestazioni.
Per ulteriori informazioni, visitate il sito Web di ROHM: https://www.rohm.com
 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 25.08.2026 14:00
Number: PR22/26IT
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
ROHM presenta IGBT da 650 V caratterizzati dalla perdita più bassa del settore

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 1

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 2

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 3

 Download der hochauflösenden Version...
Fig. 4
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
25.08.2026 14:00
ROHM presenta IGBT da 650 V caratterizzati dalla perdita più bassa del settore*

04.08.2026 14:00
Il nuovo dispositivo di generazione di onde terahertz di seconda generazione di ROHM eroga una potenza di uscita quattro volte superiore

30.07.2026 14:00
ROHM lancia il forum di assistenza tecnica "Engineer Social Hub", in cui ingegneri prestano la loro assistenza ad altri ingegneri

22.07.2026 14:00
Nuova evaluation board DC-DC buck-boost per montaggio ultracompatto

09.07.2026 14:00
ROHM lancia i MOSFET Super Junction da 600 V in package per montaggio superficiale dalle elevate prestazioni termiche