ROHM lancia il nuovo package con raffreddamento top-side per MOSFET SiC, che combina un'elevata dissipazione del calore con supporto per alta tensione

Willich-Münchheide, Germania, 09 giugno 2026 – ROHM ha sviluppato il package TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) per MOSFET SiC. Grazie all'adozione di una struttura di dissipazione del calore top-side, che colloca la superficie di dissipazione del calore sulla parte superiore del package, il nuovo prodotto consente il montaggio automatizzato, ottenendo al contempo prestazioni di dissipazione del calore paragonabili a quelle dei tradizionali package through-hole (TO-247-4L). Ciò contribuisce ad aumentare l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti di conversione di potenza per i caricabatterie di bordo (OBC) e dei compressori elettrici utilizzati negli xEV (veicoli elettrici). Nei veicoli elettrici, l'adozione di dispositivi SiC si sta espandendo oltre gli inverter principali per includere circuiti di conversione di potenza come gli OBC e i compressori elettrici, con lo scopo di migliorare la velocità di ricarica ed estendere l'autonomia di crociera. I dispositivi SiC sono sempre più utilizzati anche nelle apparecchiature industriali, tra cui gli alimentatori per server ad alte prestazioni e gli inverter fotovoltaici, dove è richiesto un funzionamento ad alta efficienza. I dispositivi SiC convenzionali si sono generalmente affidati a package through-hole, che garantiscono un'eccellente dissipazione del calore durante il funzionamento ad alta potenza. Tuttavia, i dispositivi through-hole richiedono processi di montaggio manuali e il loro fattore di forma rende difficile ottenere un profilo inferiore del package. In questo contesto hanno iniziato ad essere adottati i dispositivi SiC a montaggio superficiale compatibili con il montaggio automatico. Per risolvere questi problemi, il nuovo TSC3PAK offre prestazioni di dissipazione del calore paragonabili alla tecnologia through-hole, come il TO-247, in un package a montaggio superficiale. Il nuovo package incorpora la struttura con scanalature proprietaria di ROHM per garantire una distanza di creepage leader della categoria* di 6,66 mm, che gli consente di ospitare una tensione di picco AC di 1200 V in un ambiente con grado di inquinamento 2, mantenendo la compatibilità con i prodotti ampiamente adottati sul mercato. Consentendo una progettazione sicura dell'isolamento nelle applicazioni ad alta tensione, il TSC3PAK contribuisce anche a ridurre i costi di montaggio e ad aumentare l'affidabilità. I prodotti che utilizzano il nuovo package incorporano i MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM, che presentano una bassa resistenza di ON e caratteristiche di commutazione ad alta velocità. Di conseguenza, le perdite di commutazione durante la conversione di potenza sono notevolmente ridotte, contribuendo a una maggiore efficienza dell'applicazione e a un minore consumo energetico. La produzione in massa è iniziata nel giugno 2026. Per ulteriori informazioni si prega di contattare il proprio rappresentante commerciale o di visitare la pagina contatti sul sito web di ROHM.  I modelli di simulazione di tutti i nuovi prodotti sono disponibili sul sito ufficiale di ROHM per una rapida valutazione della progettazione dei circuiti. ROHM continuerà a espandere la propria line-up di MOSFET SiC, contribuendo a migliorare le prestazioni, a ridurre le dimensioni e ad aumentare l'affidabilità delle apparecchiature elettroniche. Esempi applicativi • Sistemi automotive: caricabatterie di bordo (OBC), compressori elettrici • Apparecchiature industriali: inverter fotovoltaici, alimentatori per server Marchio EcoSiC™ EcoSiC™ è un marchio di dispositivi che utilizzano carburo di silicio (SiC), un materiale che sta attirando l'attenzione nel campo dei dispositivi di potenza grazie a prestazioni superiori a quelle del silicio (Si). ROHM sviluppa in modo indipendente tecnologie essenziali per l'evoluzione del SiC, che spaziano dai processi di fabbricazione dei wafer e poi di produzione fino al packaging e ai metodi per il controllo qualità. Allo stesso tempo abbiamo implementato un sistema di produzione integrato per tutto il processo produttivo, consolidando la nostra posizione di fornitori leader di SiC. *EcoSiC™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd. *Ricerca ROHM 9 giugno 2026

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM, azienda leader nella produzione di semiconduttori e componenti elettronici, è stata fondata nel 1958. Dai mercati automobilistico e delle apparecchiature industriali ai settori consumer e delle comunicazioni, ROHM fornisce IC, discreti e componenti elettronici di qualità e affidabilità superiori attraverso una rete di vendita e sviluppo globale. I punti di forza di ROHM nei mercati analogico e di potenza ci consentono di proporre soluzioni ottimizzate per interi sistemi che combinano componenti periferici (ad esempio transistor, diodi, resistenze) con i più recenti dispositivi di potenza SiC e con circuiti integrati di pilotaggio che ne massimizzano le prestazioni. Per ulteriori informazioni, visitate il sito Web di ROHM: https://www.rohm.com