Adozione del MOSFET SiC di ROHM nelle BBU dei server per IA, di pari passo con la diffusione delle architetture HVDC

Willich-Münchheide, Germania, 03 giugno 2026 – ROHM ha annunciato che il suo MOSFET SiC da 750 V è stato adottato in una BBU (Battery Backup Unit o unità della batteria di backup) destinata agli alimentatori dei server per IA. L'ascesa dell'IA generativa ha determinato uno spostamento dei sistemi di alimentazione dei server per IA verso tensioni più elevate e la loro rapida transizione ad architetture HVDC (corrente continua ad alta tensione). In questo scenario è stato scelto il dispositivo di potenza SiC di ROHM perché in grado di supportare i sistemi di alimentazione di prossima generazione. Mentre le GPU continuano a fornire prestazioni più elevate e si espande l'adozione dell'IA generativa, si assiste anche al rapido aumento del consumo di potenza dei centri di elaborazione dati. Per affrontare questo problema, il settore si sta orientando verso architetture HVDC per ridurre le perdite di trasmissione della potenza. In questi ambienti in cui dominano potenza elevata e alta tensione, le BBU e i CU (condensatori) – che compensano la potenza a livello di rack del server – svolgono un ruolo sempre più importante nel proteggere i sistemi e gli enormi volumi di dati in caso di anomalie come blackout di corrente o interruzioni momentanee. Il prodotto adottato è il modello SCT4013DLL, un MOSFET SiC da 750 V installato nella sezione di alimentazione di un'architettura di potenza da ±400 V, progettata per server per IA. Sfruttando le caratteristiche del SiC, questo prodotto offre tolleranza alle alte temperature con una temperatura di giunzione massima (Tj) di 175 °C, che consente un funzionamento stabile anche nelle BBU in cui la generazione di calore aumenta con l'aumentare delle tensioni e della densità di potenza. Nelle architetture di potenza da 800 VDC di prossima generazione, la tensione di alimentazione erogata alla batteria all'interno della BBU è di circa 560 V. Per questo motivo, i MOSFET SiC da 750 V nominali di ROHM possono essere utilizzati anche in questi sistemi. Gli alimentatori HVDC per i server per IA di prossima generazione richiedono sistemi di backup in grado di controllare istantaneamente tensioni e correnti elevate, con una perdita di potenza minima in caso di anomalie. Per soddisfare questi sofisticati requisiti, si prevede che i dispositivi di potenza SiC che combinano capacità di alta tensione, bassa perdita e tolleranza alle alte temperature costituiranno la chiave di volta del controllo di potenza. Con la prospettiva di una crescita continua nei mercati dei server per IA e dei centri di elaborazione dati, ROHM rafforzerà ulteriormente lo sviluppo e la fornitura di dispositivi di potenza che utilizzano SiC, GaN e silicio. ROHM contribuirà inoltre a una maggiore efficienza energetica e alla realizzazione di una società sostenibile proponendo soluzioni che combinano questi dispositivi di potenza con circuiti integrati analogici e altre tecnologie. Marchio EcoSiC™ EcoSiC™ è un marchio di dispositivi che utilizzano carburo di silicio (SiC), un materiale che sta attirando l'attenzione nel campo dei dispositivi di potenza grazie a prestazioni superiori a quelle del silicio (Si). ROHM sviluppa in modo indipendente tecnologie essenziali per l'evoluzione del SiC, che spaziano dai processi di fabbricazione dei wafer e poi di produzione fino al packaging e ai metodi per il controllo qualità. Allo stesso tempo abbiamo implementato un sistema di produzione integrato per tutto il processo produttivo, consolidando la nostra posizione di fornitori leader di SiC. *EcoSiC™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd. Informazioni correlate ROHM fornisce informazioni sui dispositivi di potenza SiC sul proprio sito web, compresa una pratica funzione di ricerca "Easy Part Finder" per la selezione dei prodotti in base alle condizioni specificate, oltre a modelli di progettazione a supporto della valutazione e dell'implementazione. Per i materiali tecnici e le risorse correlate fare riferimento ai link seguenti. • Nota applicativa: Package discreto dei MOSFET SiC di 4a generazione: caratteristiche e precauzioni per la progettazione dei circuiti • Nota applicativa: Vantaggi applicativi dell'utilizzo dei MOSFET SiC di 4a generazione • White paper: Soluzioni di architettura da 800 VDC di ROHM destinate ai server per IA • Intervista speciale: I vincoli all'alimentazione dei centri di elaborazione aumentano la motivazione di Delta e ROHM a raddoppiare il proprio impegno verso la corrente continua ad alta tensione (HVDC)

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM, azienda leader nella produzione di semiconduttori e componenti elettronici, è stata fondata nel 1958. Dai mercati automobilistico e delle apparecchiature industriali ai settori consumer e delle comunicazioni, ROHM fornisce IC, discreti e componenti elettronici di qualità e affidabilità superiori attraverso una rete di vendita e sviluppo globale. I punti di forza di ROHM nei mercati analogico e di potenza ci consentono di proporre soluzioni ottimizzate per interi sistemi che combinano componenti periferici (ad esempio transistor, diodi, resistenze) con i più recenti dispositivi di potenza SiC e con circuiti integrati di pilotaggio che ne massimizzano le prestazioni. Per ulteriori informazioni, visitate il sito Web di ROHM: https://www.rohm.com