L'adattatore AC compatto e ad alta efficienza, munito del circuito integrato per stadi di potenza EcoGaN di ROHM, è stato adottato nei prodotti di MSI

Willich-Münchheide, Germania, 06 novembre 2025 – ROHM Co., Ltd. (di seguito "ROHM") è lieta di annunciare che il suo circuito integrato per stadi di potenza EcoGaN™ è stato adottato per l'adattatore AC destinato ai prodotti di MSI, tra cui i laptop da gioco. L'adattatore AC sviluppato da Delta Electronics, leader mondiale nelle soluzioni di gestione della potenza, integra il circuito integrato per stadi di potenza EcoGaN™ di ROHM "BM3G005MUV-LB", che si distingue per l'alta velocità di commutazione e la bassa resistenza di ON. La superiore esperienza di Delta nella progettazione degli alimentatori e nelle principali tecnologie di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza energetica esalta questa collaborazione, che consente una sostanziale riduzione delle dimensioni e risparmi energetici rispetto agli adattatori convenzionali. Grazie all'integrazione del circuito integrato EcoGaN™, gli adattatori CA progettati da Delta per i prodotti MSI sono in grado di fornire un'elevata potenza di uscita e di mantenere il picco di potenza per un certo periodo di tempo. Questo garantisce un'erogazione di potenza stabile anche in condizioni di carico elevato, tipiche degli ambienti di gaming che richiedono prestazioni notevoli. La continua evoluzione dei laptop da gioco, con GPU e CPU sempre più potenti, ha comportato anche l'aumento dei loro consumi energetici. Un trend che richiede adattatori AC in grado di fornire potenza elevata, soddisfacendo al tempo stesso le aspettative degli utenti in termini di portabilità grazie alla miniaturizzazione. I dispositivi GaN, noti per la loro bassa resistenza di ON e caratterizzati da alta velocità di commutazione, stanno imponendosi all'attenzione del mercato per la loro capacità di migliorare l'efficienza energetica e di ridurre le dimensioni di componenti periferici come gli induttori. Il circuito integrato per stadi di potenza di ROHM integra un HEMT al GaN da 650 V, un gate driver, funzioni di protezione e componenti periferici in un unico package, consentendo di massimizzare le prestazioni degli HEMT al GaN con la semplice sostituzione dei tradizionali MOSFET al silicio. Red Lin, Direttore Generale dell'Edge Computing Power Business Unit di Delta Electronics, Inc. "L'abbinamento delle avanzatissime soluzioni di alimentazione di Delta e del circuito integrato per stadi di potenza EcoGaN™ di ROHM ha permesso di riunire in questo adattatore AC per laptop da gioco elevata erogazione di potenza, efficienza energetica ottimale e miniaturizzazione. Siamo orgogliosi che questa soluzione sia stata adottata per i prodotti di MSI, un marchio riconosciuto a livello mondiale. Non vediamo l'ora di continuare la nostra partnership con ROHM, azienda che vanta una solida esperienza con la tecnologia GaN, per fornire in definitiva ai clienti la prossima generazione di soluzioni di alimentazione ad alta efficienza energetica di Delta". Satoru Nate, Manager di divisione della divisione Power GaN Solution e Product Development, LSI Development Headquarters, ROHM Co. "Delta Electronics e ROHM collaborano da tempo nel campo dei sistemi di potenza. Siamo lieti che l'adozione del circuito integrato rifletta la positiva fusione tra l'esperienza vantata da Delta nella progettazione di potenza da una parte e lo sviluppo di dispositivi di potenza, la produzione e le tecnologie di alimentazione analogica di ROHM dall'altra. In futuro, ci proponiamo di contribuire alla miniaturizzazione e all'efficienza degli alimentatori non solo nei PC da gioco, ma anche nei server, nelle apparecchiature industriali e nelle applicazioni per il settore automotive". Circuiti integrati per stadi di potenza con HEMT al GaN I circuiti integrati per stadi di potenza con HEMT al GaN di ROHM rappresentano una soluzione ottimale per tutti i sistemi elettronici che richiedono alta densità di potenza ed efficienza. Un HEMT al GaN e un driver di pilotaggio del gate ottimizzato per massimizzare le prestazioni di HEMT al GaN sono inclusi in un unico package. Considerata la sua ampia gamma di tensioni di ingresso, compresa tra 2,5 V e 30 V, può essere abbinato a qualsiasi circuito integrato per controller. Questo circuito integrato è stato progettato per adattarsi ai principali controller esistenti, in modo da poter essere utilizzato anche per sostituire i tradizionali interruttori di potenza discreti, come i MOSFET Super Junction. EcoGaN™ di ROHM Marchio ROHM di dispositivi al GaN che contribuiscono alla preservazione dell'energia e alla miniaturizzazione portando le caratteristiche del GaN ai massimi livelli – l'obiettivo consiste nell'ottenere un minor consumo di potenza delle applicazioni, componenti periferici ridotti e progetti più semplici che richiedono un minor numero di componenti. • EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd.

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM, azienda leader nella produzione di semiconduttori e componenti elettronici, è stata fondata nel 1958. Dai mercati automobilistico e delle apparecchiature industriali ai settori consumer e delle comunicazioni, ROHM fornisce IC, discreti e componenti elettronici di qualità e affidabilità superiori attraverso una rete di vendita e sviluppo globale. I punti di forza di ROHM nei mercati analogico e di potenza ci consentono di proporre soluzioni ottimizzate per interi sistemi che combinano componenti periferici (ad esempio transistor, diodi, resistenze) con i più recenti dispositivi di potenza SiC e con circuiti integrati di pilotaggio che ne massimizzano le prestazioni. Per ulteriori informazioni, visitate il sito Web di ROHM: https://www.rohm.com