ROHM sviluppa MOSFET ad alta potenza e bassa resistenza di ON ai vertici della categoria* destinati ai server aziendali e ai server per IA a elevate prestazioni

Willich-Münchheide, Germania, 10 aprile 2025 – ROHM ha sviluppato MOSFET di potenza a canale N con la resistenza di ON più bassa del settore* e un'ampia capacità SOA. Sono progettati per gli alimentatori interni ai server aziendali e ai server per IA a elevate prestazioni. (Fig. 1) Il progresso delle tecnologie di elaborazione dati di alto livello e l'accelerazione della trasformazione digitale hanno aumentato la domanda di server per data center. Allo stesso tempo è in aumento il numero di server dotati di capacità di calcolo avanzate utili ai processi elaborativi dell'IA e si prevede che continuerà a crescere. Questi server funzionano 24 ore su 24, 7 giorni su 7, garantendo l'operatività continua. Di conseguenza, le perdite di conduzione causate dalla resistenza di ON di MOSFET multipli nel blocco di potenza hanno un impatto significativo sulle prestazioni del sistema e sull'efficienza energetica. Ciò è particolarmente evidente nei circuiti di conversione AC-DC, nei quali le perdite di conduzione costituiscono una parte sostanziale della perdita di potenza totale, determinando la necessità di MOSFET a bassa resistenza di ON. Inoltre, i server dotati di funzione hot-swap standard – che consente la sostituzione e la manutenzione delle schede interne e dei dispositivi di archiviazione mentre sono accesi – subiscono un'elevata corrente di spunto durante la sostituzione dei componenti. Pertanto, per proteggere da eventuali danneggiamenti i componenti del server e i MOSFET è essenziale un'ampia tolleranza della Safe Operating Area (SOA). Per affrontare queste sfide, ROHM ha sviluppato il nuovo package DFN5060-8S che consente il packaging di un die più grande rispetto ai design convenzionali. Ha così creato una line-up di MOSFET di potenza caratterizzati da una resistenza di ON talmente bassa da essere ai vertici del settore* e da un'ampia capacità SOA. Questi nuovi prodotti danno un sensibile contributo al miglioramento dell'efficienza e al potenziamento dell'affidabilità dei circuiti di potenza dei server. La nuova line-up comprende tre prodotti. Il modello RS7E200BG (30 V) è ottimizzato sia per i circuiti di conversione AC-DC sul lato secondario che per i circuiti dei controller hot-swap (HSC) negli alimentatori da 12 V utilizzati nei server aziendali a elevate prestazioni. I modelli RS7N200BH (80 V) e RS7N160BH (80 V) sono ideali per i circuiti di conversione AC-DC sul lato secondario negli alimentatori da 48 V di server per IA. Tutti e tre i modelli sono dotati del nuovo package DFN5060-8S (5,0 mm × 6,0 mm). Il package aumenta le dimensioni dell'area interna del die di circa il 65% rispetto al package HSOP8 convenzionale (5,0 mm × 6,0 mm). Di conseguenza, i modelli RS7E200BG (30 V) e RS7N200BH (80 V) raggiungono resistenze di ON rispettivamente pari a 0,53 mΩ e 1,7 mΩ (con VGS = 10 V), entrambe tra le migliori del settore nella classe 5,0 mm × 6,0 mm, contribuendo in modo significativo a una maggiore efficienza dei circuiti di potenza dei server. Inoltre, ROHM ha ottimizzato il design della clip interna per potenziare la dissipazione del calore, il che ha migliorato ulteriormente la tolleranza SOA, contribuendo a garantire l'affidabilità dell'applicazione. In particolare, l'RS7E200BG (30 V) raggiunge una tolleranza SOA di oltre 70 A con una larghezza di impulso di 1 ms e VDS = 12 V, che è il doppio di quella dei MOSFET con package convenzionale HSOP8 nelle stesse condizioni: così garantisce prestazioni SOA ai vertici del settore con un ingombro di 5,0 mm × 6,0 mm. In futuro, ROHM prevede di iniziare gradualmente nel 2025 la produzione di massa di MOSFET di potenza compatibili con i circuiti dei controller hot-swap destinati ai server per IA, continuando a espandere la propria line-up di prodotti per contribuire a una maggiore efficienza e affidabilità in un'ampia gamma di applicazioni. Line-up di prodotti (Fig. 2) Marchio EcoMOS™ EcoMOS™ è il marchio ROHM di MOSFET di potenza al silicio progettati per applicazioni ad efficienza energetica nel settore dei dispositivi di potenza. Ampiamente utilizzato in applicazioni quali elettrodomestici, apparecchiature industriali e sistemi automotive, EcoMOS™ propone una line-up diversificata che consente di selezionare i prodotti in base a parametri chiave quali prestazioni di rumore e caratteristiche di commutazione per soddisfare requisiti specifici. EcoMOS™ è un marchio commerciale o un marchio commerciale registrato di ROHM Co., Ltd. Esempi applicativi Circuiti di conversione AC-DC e circuiti HSC per alimentatori da 12 V destinati a server aziendali a elevate prestazioni Circuiti di conversione AC-DC per alimentatori da 48 V destinati a server per IA Alimentatori da 48 V per apparecchiature industriali (ad es. motori di ventole) Informazioni sulle vendite online Disponibilità: immediata Distributori online: DigiKey™, Mouser™ e Farnell™ I prodotti saranno offerti anche presso altri distributori online, non appena saranno disponibili. Prodotti pertinenti: RS7E200BG, RS7N200BH, RS7N160BH Nota bene: DigiKey™, Mouser™ e Farnell™ sono marchi commerciali o marchi commerciali registrati delle rispettive società. *Ricerca ROHM sui MOSFET di potenza 5060 (10 aprile 2025)

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società globale da 467,7 miliardi di Yen (3,2 miliardi US Dollar) al 31 marzo 2024 con oltre 23.300 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre, dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Germania, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei prodotti altamente performanti. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com