ROHM lance un nouveau boîtier à refroidissement par le haut pour les MOSFET SiC, combinant une dissipation thermique élevée à une prise en charge de la haute tension

Willich-Münchheide, Allemagne, 09 juin 2026 – ROHM a développé le boîtier TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50mm) pour les MOSFET SiC. Le nouveau produit adopte une structure de dissipation de la chaleur par le haut qui place la surface de dissipation de la chaleur sur le dessus du boîtier. Grâce à cette architecture, il permet un assemblage automatisé, tout en offrant des capacités de dissipation thermique similaires à celles des boîtiers à trous traversants conventionnels (TO-247-4L). Cela permet d’améliorer l’efficacité et la fiabilité des circuits de conversion d’énergie pour les chargeurs embarqués (OBC) et les compresseurs électriques utilisés dans les xEV (véhicules électriques). Dans les xEV, l’expansion des appareils SiC va au-delà des onduleurs principaux pour inclure des circuits de conversion d’énergie, tels que les chargeurs embarqués (OBC) et les compresseurs électriques. L’objectif est d’améliorer la vitesse de charge et d’étendre l’autonomie. Les appareils SiC sont également de plus en plus courants dans les équipements industriels, notamment dans les alimentations de serveurs haute performance et les onduleurs photovoltaïques, où un rendement élevé est essentiel. Les appareils SiC conventionnels utilisent en général des boîtiers à trous traversants qui garantissent une dissipation optimale de la chaleur lorsqu’ils fonctionnent à haute puissance. Cependant, l’installation manuelle est nécessaire pour les dispositifs à trous traversants, et leur facteur de forme rend difficile l’obtention d’un profil de boîtier plus bas. C’est dans ce contexte que les appareils SiC montés en surface et compatibles avec un montage automatisé ont récemment gagné en popularité. Le nouveau TSC3PAK résout ces problèmes en offrant des capacités de refroidissement comparables à celles de la technologie des trous traversants, comme le TO-247, tout en étant intégré dans un boîtier à montage en surface. Le nouveau boîtier intègre la structure de rainure propriétaire de ROHM, assurant ainsi une ligne de fuite de 6,66mm de premier plan*. Il peut donc supporter une tension de crête de 1200V AC dans un environnement de degré de pollution 2, tout en demeurant compatible avec les produits largement adoptés sur le marché. En facilitant la création d’une isolation sécurisée pour les applications à haute tension, le TSC3PAK permet aussi de réduire les couts d’installation et d’améliorer la fiabilité. Les produits équipés du nouveau boîtier incorporant les transistors MOSFET SiC de 4e génération de ROHM présentent une résistance minimale à l’état passant et des propriétés de commutation à grande vitesse. Par conséquent, les pertes de commutation lors de la conversion de puissance sont considérablement réduites, ce qui améliore l’efficacité de l’application et réduit la consommation d’énergie. La production en série a débuté en juin 2026. Pour plus de détails, veuillez contacter un représentant commercial ou visiter la page de contact sur le site Web de ROHM. Des modèles de simulation pour tous les nouveaux produits sont disponibles sur le site Web officiel de ROHM, ce qui permet une évaluation rapide de la conception des circuits. ROHM continuera d’élargir sa gamme de MOSFET SiC, contribuant ainsi à améliorer les performances, la taille et la fiabilité des équipements électroniques. Exemples d’applications • Systèmes automobiles : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques • Équipements industriels : onduleurs photovoltaïques, alimentations électriques pour serveurs La marque EcoSiC™ EcoSiC™ est une marque d’appareils utilisant le carbure de silicium (SiC), qui attire l’attention dans le domaine des appareils d’alimentation en affichant des performances supérieures à celles du silicium (Si). ROHM développe de façon autonome des technologies essentielles pour l’évolution du SiC, depuis la fabrication de tranches et les processus de production jusqu’à l’encapsulation et aux méthodes de contrôle qualité. Dans le même temps, nous avons établi un système intégré de production tout au long du processus de fabrication, consolidant notre position en tant que fournisseur majeur de SiC. *EcoSIC™ est une marque commerciale ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd. *Étude ROHM du 9 juin 2026

À propos de ROHM Semiconductor ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances. Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com