Le MOSFET SiC de ROHM est utilisé dans l’unité de batterie de secours des serveurs d’IA, tandis que les architectures HVDC progressent

Willich-Münchheide, Allemagne, 03 juin 2026 – ROHM a annoncé que son MOSFET SiC 750V a été adopté dans une unité de batterie de secours pour les alimentations en courant de serveurs d’IA. Avec l’essor de l’IA générative, les systèmes d’alimentation des serveurs d’IA évoluent vers des tensions plus élevées et une transition accélérée vers des architectures HVDC (High Voltage Direct Current, parfois appelé CCHT pour Courant Continu Haute Tension). Dans ce contexte, l’appareil de ROHM a été sélectionné comme appareil d’alimentation SiC prenant en charge les systèmes d’alimentation en courant de la prochaine génération. Avec l’amélioration constante des performances des processeurs graphiques et l’essor de l’IA générative, la consommation d’énergie des centres de données connaît une croissance exponentielle. L’industrie s’oriente vers des architectures HVDC pour résoudre ce problème et réduire les pertes de transmission d’énergie. Dans ces environnements caractérisés par une grande puissance et une haute tension, les unités de batterie de secours et les unités de condensateurs unitaires qui régulent l’alimentation électrique au niveau des baies de serveurs gagnent en importance pour assurer la sécurité des systèmes et des vastes ensembles de données en cas d’incidents, comme des coupures de courant ou des interruptions temporaires. Le produit retenu est le SCT4013DLL, un MOSFET SiC de 750V qui est installé dans la section d’alimentation en courant d’une architecture d’alimentation de ±400V pour les serveurs d’IA. En exploitant les propriétés du SiC, ce produit présente une résistance élevée à la chaleur, avec une température de jonction maximale (Tj) de 175°C, ce qui assure un fonctionnement stable dans les unités de batteries de secours où la génération de chaleur augmente en fonction des tensions et de la densité de puissance. Les systèmes d’alimentation à 800VDC de la prochaine génération fourniront une tension d’alimentation de 560V au bloc intégré à l’unité de batterie de secours. En conséquence, les MOSFET SiC de 750V de ROHM peuvent également être utilisés dans ces systèmes. Les alimentations électriques HVDC pour les serveurs d’IA de la prochaine génération doivent être équipées de systèmes de secours capables de gérer rapidement des tensions élevées et des courants importants, tout en minimisant la perte de puissance en cas d’anomalie. Pour répondre à ces exigences, les appareils d’alimentation au SiC combinant une grande capacité de tension, une faible dissipation d’énergie et une tolérance aux hautes températures devraient constituer les composants centraux de la gestion de l’énergie. Dans la perspective d’une croissance continue des marchés des serveurs d’IA et des centres de données, ROHM va renforcer le développement et la fourniture d’appareils d’alimentation utilisant le SiC, le GaN et le silicium. Grâce à ses innovations, ROHM contribuera à une meilleure efficacité énergétique et à l’émergence d’une société durable en proposant des solutions qui combinent ces appareils d’alimentation à des circuits intégrés analogiques et à d’autres technologies. La marque EcoSiC™ EcoSiC™ est une marque d’appareils utilisant le carbure de silicium (SiC), qui attire l’attention dans le domaine des appareils d’alimentation en affichant des performances supérieures à celles du silicium (Si). ROHM développe de façon autonome des technologies essentielles pour l’évolution du SiC, depuis la fabrication de tranches et les processus de production jusqu’à l’encapsulation et aux méthodes de contrôle qualité. Dans le même temps, nous avons établi un système intégré de production tout au long du processus de fabrication, consolidant notre position en tant que fournisseur majeur de SiC. *EcoSIC™ est une marque commerciale ou une marque déposée de ROHM Co., Ltd. Informations connexes ROHM propose sur son site Web des renseignements détaillés sur les appareils d’alimentation au SiC. On y trouve notamment une section « Easy Part Finder » permettant de choisir les produits en fonction des critères spécifiés, ainsi que des schémas de conception aidant à l’évaluation et à l’intégration. Vous trouverez ci-dessous des documents techniques et des ressources connexes. • Note d’application : MOSFET SiC de 4e génération en boîtier discret : caractéristiques et précautions pour la conception des circuits • Note d’application : Avantages de l’utilisation des MOSFET SiC de 4e génération pour les applications • Livre blanc : Solutions d’architecture 800 VDC de ROHM pour les serveurs d’IA • Dialogue spécial : Les contraintes d’alimentation des centres de données s’intensifient. Pourquoi Delta et ROHM redoublent d’efforts en matière de courant continu haute tension (CCHT).

À propos de ROHM Semiconductor ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances. Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com