| ROHM lance des MOSFET SiC dans un boîtier TOLL conjuguant miniaturisation et capacité de haute puissance |
| Willich-Münchheide, Allemagne, 04 décembre 2025 - ROHM a lancé la production en série du SCT40xxDLL de MOSFET SiC en boîtiers TOLL (TO Leadless ; TO sans plomb). En comparaison avec les boîtiers conventionnels (TO-263-7L) présentant les mêmes tensions nominales et la même résistance à l’état passant, ces nouveaux boîtiers affichent des performances thermiques améliorées d’environ 39 %. Cela permet de maîtriser des puissances importantes, malgré leur format compact et leur profil bas. Cette configuration est idéale pour les équipements industriels, comme les alimentations électriques de serveurs et les systèmes de stockage d’énergie (SSE), dans lesquels la densité de puissance augmente. Cela rend nécessaire l’utilisation de composants à profil bas pour concevoir des produits miniaturisés. (Fig. 1) Dans des applications comme celles des serveurs d’IA ou encore des onduleurs photovoltaïques compacts, la tendance à l’augmentation de la puissance nominale s’accompagne d’une demande contradictoire de miniaturisation. Cette dernière implique donc que les MOSFET de puissance atteignent une densité de puissance plus élevée. En particulier dans les circuits PFC à totem pour les alimentations électriques fines, souvent appelées « boîtes à pizza », des exigences très strictes imposent une épaisseur de 4mm ou moins pour les semiconducteurs discrets. Le nouveau produit de ROHM satisfait ces exigences en réduisant l’encombrement des composants d’environ 26% et en atteignant un profil bas de 2,3mm d’épaisseur, soit environ la moitié de la hauteur des produits en boîtiers conventionnels. De plus, alors que la plupart des boîtiers TOLL standard sont limités par une tension nominale drain-source de 650V, les nouveaux produits de ROHM peuvent supporter jusqu’à 750V. Cela permet de réduire la résistance de grille et d’augmenter la marge de sécurité pour les surtensions, ce qui contribue à réduire les pertes de commutation. La gamme comprend six modèles offrant une résistance à l’état passant de 13mΩ à 65mΩ. La production en série de ces produits a débuté en septembre 2025. Ces produits sont disponibles pour l’achat en ligne auprès de distributeurs en ligne, tels que DigiKey, MOUSER et Farnell. Les modèles de simulation des six nouveaux produits sont disponibles sur le site officiel de ROHM, facilitant ainsi l’évaluation rapide de la conception des circuits. Gamme de produits (Fig. 2) Exemples d’applications • Équipements industriels : alimentations électriques pour les serveurs d’IA et les centres de données, les onduleurs photovoltaïques et les systèmes de stockage d’énergie (SSE) • Équipements grand public : alimentations électriques générales La marque EcoSiC™ EcoSiC™ est une marque d’appareils utilisant le carbure de silicium (SiC), qui attire l’attention dans le domaine des appareils d’alimentation en affichant des performances supérieures à celles du silicium (Si). ROHM développe indépendamment des technologies essentielles pour l’évolution du SiC, de la fabrication de tranches et des processus de production jusqu’à l’encapsulation et aux méthodes de contrôle qualité. Dans le même temps, nous avons établi un système intégré de production tout au long du processus de fabrication, consolidant notre position en tant que fournisseur majeur de SiC. • EcoSIC™ est une marque commerciale ou marque commerciale déposée de ROHM Co., Ltd. |
| À propos de ROHM Semiconductor ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances. Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com |



