Adaptateur secteur compact à haute efficacité équipé d’un circuit intégré d’étage de puissance EcoGaN de ROHM, une technologie intégrée dans les produits MSI

Willich-Münchheide, Allemagne, 06 novembre 2025 – ROHM Co, Ltd. (ci-après « ROHM ») a le plaisir d’annoncer que son circuit intégré d’étage de puissance EcoGaN™ a été choisi pour équiper l’adaptateur secteur des produits MSI, y compris les ordinateurs portables de jeu. Conçu par Delta Electronics, une entreprise de premier plan dans le domaine des technologies d’énergie, l’adaptateur secteur intègre le circuit intégré d’étage de puissance EcoGaN™ « BM3G005MUV-LB » de ROHM, qui se distingue par une vitesse de commutation élevée et une faible résistance à l’état passant. Associée à l’expertise de Delta en matière de conception d’alimentations et à ses avancées technologiques en matière de gestion de l’énergie, cette collaboration permet une réduction notable de la taille et des économies d’énergie par rapport aux adaptateurs conventionnels. Grâce à l'intégration du circuit intégré EcoGaN™, les adaptateurs secteur Delta conçus pour les produits MSI peuvent fournir une puissance de sortie élevée et maintenir une puissance de pointe pendant un certain temps. Cela garantit une alimentation stable, même dans des conditions de charge élevée typiques des environnements de jeu exigeant des performances élevées. Les ordinateurs portables de jeu continuent d’évoluer avec des GPU et des CPU de plus en plus puissants. Cependant, leur consommation d’énergie a elle aussi augmenté. Cette tendance nécessite des adaptateurs secteur capables de fournir une puissance élevée tout en répondant aux attentes des utilisateurs en matière de portabilité grâce à la miniaturisation. Les dispositifs au GaN sont remarquables par leur faible résistance à l’état passant et leurs propriétés de commutation à haute vitesse. Ils sont appréciés pour leur capacité à optimiser l’efficacité des systèmes d’alimentation électrique et à diminuer la taille des composants périphériques tels que les inducteurs. Le circuit intégré de l’étage de puissance de ROHM contient un HEMT au GaN de 650V, un pilote de grille, des fonctions de protection et des composants périphériques dans un seul boîtier. Cela permet de maximiser les performances du HEMT au GaN simplement en remplaçant les MOSFET conventionnels au silicium. Red Lin, Directeur général de l’unité commerciale Edge Computing Power de Delta Electronics, Inc. « Grâce à l’alliance de la technologie d’alimentation de pointe de Delta et du circuit intégré d’étage de puissance EcoGaN™ de ROHM, cet adaptateur secteur pour ordinateurs portables de jeu offre une puissance élevée, un rendement énergétique optimal et une miniaturisation remarquable. » Nous sommes enchantés que cette fonctionnalité ait été incorporée aux produits de MSI, une marque de renommée mondiale. Nous sommes impatients de poursuivre notre partenariat avec ROHM, une société ayant une grande expertise dans la technologie GaN, afin d’offrir à nos clients la prochaine génération de solutions d’alimentation à haut rendement énergétique de Delta. » Satoru Nate, Chef de division de Power GaN Solution et Product Development Division, LSI Development Headquarters, ROHM Co., Ltd. « Delta Electronics et ROHM ont une longue histoire de collaboration dans le domaine des systèmes de puissance. Nous nous réjouissons de l’intégration réussie de l’expertise de Delta en matière de conception d’alimentations électriques avec les technologies de développement et de fabrication de ROHM en matière de composants d’alimentation analogique et de dispositifs de puissance. À l’avenir, nous souhaitons participer à la miniaturisation et à l’efficacité des alimentations électriques, pas seulement pour les PC de jeu, mais aussi pour les serveurs, les équipements industriels et les applications automobiles. » Circuits intégrés d’étage de puissance à HEMT au GaN Les circuits intégrés d’étage de puissance à HEMT au GaN de ROHM constituent une solution optimale pour tous les systèmes électroniques qui nécessitent une forte densité de puissance et une efficacité élevée. Un HEMT au GaN et un Gate Driver optimisé pour maximiser les performances du HEMT au GaN sont combinés dans un seul boîtier. Grâce à sa plage de tension d’entrée allant de 2,5V à 30V, il peut s’associer à n’importe quel circuit intégré de contrôleur. Ce circuit intégré est conçu pour s’adapter aux principaux contrôleurs existants, ce qui lui permet également de remplacer les interrupteurs d’alimentation discrets traditionnels, tels que le MOSFET à super-jonction. EcoGaN™ de ROHM Il s’agit du nom de marque de ROHM pour les appareils au GaN qui contribuent aux économies d’énergie et à la miniaturisation en maximisant les caractéristiques du GaN, en vue de réduire la consommation d’énergie des applications, de réduire la taille des composants périphériques et de simplifier les conceptions en réduisant le nombre de pièces. • EcoGaN™ est une marque commerciale ou marque commerciale déposée de ROHM Co., Ltd.

À propos de ROHM Semiconductor ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances. Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com