ROHM publie de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 avec une vitesse de simulation améliorée
Willich-Münchheide, Allemagne, 10 juillet 2025 – ROHM a annoncé la publication de nouveaux modèles SPICE de niveau 3 (L3) qui offrent une convergence nettement améliorée et des performances de simulation plus rapides.

En raison de l’impact considérable des pertes des semiconducteurs de puissance sur l’efficience globale du système, la précision de la simulation lors de la phase de conception est essentielle. Les premiers modèles SPICE de niveau 1 de ROHM pour les MOSFET SiC répondaient à ce besoin en reproduisant avec précision les caractéristiques clés du dispositif. Toutefois, des défis tels que des problèmes de convergence des simulations et des temps de calcul prolongés ont mis en lumière la nécessité d’un ajustement supplémentaire.

Les nouveaux modèles L3 utilisent une approche simplifiée qui maintient à la fois la stabilité de calcul et la précision des formes d’ondes de commutation tout en réduisant le temps de simulation d’environ 50 % par rapport aux modèles L1. Cela permet une analyse transitoire de haute précision de l’ensemble des circuits à une vitesse nettement plus rapide, ce qui simplifie l’évaluation des dispositifs et des pertes lors de la phase de conception de l’application.

Depuis avril 2025, ROHM a publié 37 modèles L3 pour ses MOSFET SiC de 4e génération, disponibles au téléchargement directement à partir de la section Models & Tools de chaque page produit. Les modèles L1 continueront d’être proposés parallèlement aux nouvelles versions. Un livre blanc complet est également fourni pour faciliter l’adoption du modèle.

<Informations connexes>
Livres blancs
Page d’assistance modèles de conception
Documentation technique sur les MOSFET SiC

Pour l’avenir, ROHM s’engage à continuer à faire progresser la technologie de simulation afin de permettre la conception d’applications plus performantes et plus efficientes, et de poursuivre l’innovation dans les systèmes de conversion de l’énergie.

À propos de ROHM Semiconductor
ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances.
Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com

 
 
 
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Date: 10.07.2025 14:00
Number: PR22/25FR
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Les modèles peuvent être téléchargés à partir de la section Models & Tools sur les pages individuelles des produits MOSFET SiC de 4e génération
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