ROHM présente un circuit intégré d'attaque de grille isolé pour les composants GaN haute tension
Willich-Münchheide, Allemagne, 25 juin 2025 – ROHM a développé le BM6GD11BFJ-LB, un circuit intégré d'attaque de grille isolé, spécialement optimisé pour le fonctionnement des HEMT HV-GaN . Ce circuit d'attaque de grille est conçu pour une utilisation dans les systèmes d'alimentation à haute tension. En combinaison avec des composants GaN, ce pilote permet un fonctionnement stable dans des conditions de commutation rapides et à haute fréquence, contribuant ainsi à une plus grande miniaturisation et efficacité dans les applications à haute intensité comme les moteurs et les alimentations de serveurs.

Face à l'augmentation de la consommation d'énergie dans le monde, les mesures d'économie d'énergie sont devenues une priorité mondiale commune. On estime que les moteurs et les alimentations électriques représentent à eux seuls 97 % de la consommation mondiale d'électricité. Pour obtenir un meilleur rendement dans ces systèmes, il est de plus en plus nécessaire d'utiliser des composants à large bande passante tels que SiC et GaN.

Tirant parti de son savoir-faire dans le développement de circuits intégrés de commande de grille isolés pour les semi-conducteurs au silicium et les composants SiC, ROHM a lancé ce nouveau circuit intégré, le premier d'une série de solutions de commande de grille isolée pour les composants GaN. Une transmission sûre du signal est obtenue en isolant le composant du circuit de commande pendant les opérations de commutation avec des cycles rapides de montée et de descente de tension.

Le BM6GD11BFJ-LB utilise une technologie propriétaire d'isolation sur puce pour réduire la capacité parasite, ce qui permet un fonctionnement à haute fréquence jusqu'à 2 MHz. Cela maximise les capacités de commutation haute fréquence des composants GaN et contribue non seulement à une meilleure efficacité énergétique et à de meilleures performances dans les applications, mais réduit également l'espace de montage en minimisant la taille des composants périphériques.

Parallèlement, la CMTI (Common-Mode Transient Immunity - un indicateur de l'immunité aux interférences dans les circuits d'attaque de grille isolés du bruit) a été augmentée à 150 V/ns. Celle-ci est environ 1,5 fois plus élevée que celle des produits traditionnels - ce qui permet d'éviter les dysfonctionnements causés par les vitesses de montée élevées typiques des circuits HEMT en GaN. La largeur d'impulsion minimale a été réduite à seulement 65 ns, soit 33 % de moins que les produits traditionnels. Ces améliorations des performances permettent un fonctionnement stable et fiable à des fréquences plus élevées, tout en minimisant la perte de puissance grâce à un meilleur contrôle du cycle de fonctionnement.

Avec une plage de tensions de commande de grille de 4,5 V à 6,0 V et une tension d'isolation de 2500 Vrms, le BM6GD11BFJ-LB est conçu pour prendre entièrement en charge une large gamme de composants GaN haute tension, y compris l'EcoGaN™-HEMT 650 V récemment ajouté par ROHM. La faible consommation de courant de 0,5 mA (max.) du côté de la sortie, la meilleure du secteur, réduit également la puissance de veille, améliorant ainsi l'efficacité globale du système.

Le BM6GD11BFJ-LB est disponible dès à présent. Il est proposé par des distributeurs en ligne tels que DigiKey™, Mouser™ et Farnell™.

ROHM prévoit de proposer à l'avenir des circuits intégrés de commande de grille pour le contrôle de composants GaN en même temps que des composants GaN, afin de permettre une conception plus simple des applications.

EcoGaN™ est une marque déposée de ROHM Co., Ltd.

Exemples d'application
- Installations industrielles : alimentations pour onduleurs PV, ESS (systèmes de stockage d'énergie), stations de base de communication, serveurs et moteurs industriels
- Électronique grand public et appareils ménagers : Appareils ménagers, blocs d'alimentation (chargeurs USB), PC, téléviseurs, réfrigérateurs, climatiseurs

Termes
Immunité transitoire de mode commun (CMTI)
CMTI est un paramètre important pour les pilotes de grille isolés et se réfère à la capacité du pilote à résister à des changements de tension rapides sur de très courtes périodes. Ceci est particulièrement important lors de la commande de dispositifs à vitesse de montée élevée, comme les HEMT à GaN, où les transitions rapides de tension sont fréquentes. Un pilote de grille avec une CMTI élevée peut éviter d'endommager le dispositif tout en réduisant le risque de court-circuit.

DigiKey™, Mouser™ et Farnell™ sont des marques commerciales ou des marques déposées de leurs sociétés respectives.

À propos de ROHM Semiconductor
ROHM, l'un des principaux fabricants de semi-conducteurs et de composants électroniques, a été créé en 1958. Des marchés de l'automobile et de l'équipement industriel aux secteurs de la consommation et de la communication, ROHM fournit des circuits intégrés, des composants discrets et des composants électroniques d'une qualité et d'une fiabilité supérieures par l'intermédiaire d'un réseau mondial de vente et de développement. Les forces de ROHM sur les marchés de l'analogique et de la puissance nous permettent de proposer des solutions optimisées pour des systèmes entiers qui combinent des composants périphériques (transistors, diodes, résistances) avec les derniers dispositifs de puissance SiC ainsi que des circuits intégrés de commande qui maximisent leurs performances.
Pour plus d'informations, visitez le site web de ROHM : https://www.rohm.com

 
 
 
» ROHM Semiconductor
» Press Releases
» Press Release
Date: 25.06.2025 14:00
Number: PR19/25FR
» Press Photos

 Download der hochauflösenden Version...
ROHM présente un circuit intégré d'attaque de grille isolé pour les composants GaN haute tension
» Contacts
ROHM Semiconductor GmbH
Public Relations
Katrin Haasis-Schmidt  
Karl-Arnold-Str. 15
D-47877 Willich-Münchheide
Germany
Phone: +49 2154 921 0
katrin.haasis-schmidt@de.rohmeurope.com
» Contact Agency
Mexperts AG
Peter Gramenz
Wildmoos 7
D-82266 Inning am Ammersee
Germany
Phone: +49 8143 59744 12
peter.gramenz@mexperts.de
» More Press Releases
25.06.2025 14:00
ROHM présente un circuit intégré d'attaque de grille isolé pour les composants GaN haute tension

28.04.2025 09:45
Le module de Semikron Danfoss avec les derniers MOSFET SiC 2 kV de ROHM est intégré dans le système photovoltaïque à grande échelle de SMA

24.04.2025 14:00
ROHM développe de nouveaux modules de puissance SiC à forte densité de puissance

17.04.2025 10:00
ROHM au PCIM Europe 2025 : des points forts de premier plan pour la mobilité électrique et les applications industrielles

10.04.2025 14:00
ROHM développe des MOSFET avec des caractéristiques de puissance et de faible résistance à l’état passant de premier plan* pour les serveurs d’entreprise hautes performances et les serveurs d’IA