ROHM développe des MOSFET avec des caractéristiques de puissance et de faible résistance à l’état passant de premier plan* pour les serveurs d’entreprise hautes performances et les serveurs d’IA

Willich-Münchheide, Allemagne, 10 avril 2025 – ROHM a développé des MOSFET de puissance à canal N présentant une faible résistance à l’état passant et de larges capacités SOA, de premier plan dans l’industrie*. Ils sont conçus pour les alimentations en courant au sein des serveurs d’entreprise et d’IA à hautes performances. (Fig. 1) Les progrès réalisés dans les technologies de haut niveau de traitement des données et l’accélération de la transformation numérique ont accru la demande de serveurs de centres de données. Dans le même temps, le nombre de serveurs équipés de capacités informatiques avancées pour le traitement de l’IA s’accroît et devrait continuer sur cette voie. Ces serveurs fonctionnent 24 heures sur 24, 7 jours sur 7, assurant ainsi un fonctionnement continu. Par conséquent, les pertes de conduction multiples causées par la résistance à l’état passant de MOSFET dans le bloc de puissance ont un impact significatif sur les performances du système et le rendement énergétique. Cela devient particulièrement évident dans les circuits de conversion AC-DC, où les pertes de conduction représentent une part substantielle de la perte de puissance totale, renforçant le besoin de MOSFET à faible résistance à l’état passant. En outre, les serveurs équipés d’une fonction standard de remplacement à chaud, qui permet le remplacement et la maintenance de cartes internes et de dispositifs de stockage lorsqu’ils se trouvent sous tension, subissent un courant d’appel élevé lors du remplacement de composants. Par conséquent, pour protéger les composants du serveur et les MOSFET contre les dommages, il est essentiel de disposer d’une large tolérance en matière de zone de fonctionnement sûr (SOA). Pour répondre à ces défis, ROHM a développé son nouveau boîtier DFN5060-8S qui prend en charge l’encapsulation d’une puce plus grande par rapport aux conceptions conventionnelles, résultant en une gamme de MOSFET de puissance qui atteignent une faible résistance à l’état passant ainsi que de larges capacités SOA, de premier plan dans l’industrie*. Ces nouveaux produits contribuent de manière significative à l’amélioration de l’efficience et de la fiabilité des circuits d’alimentation des serveurs. La nouvelle gamme inclut trois produits. Le RS7E200BG (30V) est optimisé pour à la fois les circuits de conversion AC-DC secondaires et les circuits de contrôleur à remplacement à chaud (HSC) des alimentations électriques 12V utilisées dans les serveurs d’entreprise hautes performances. Les RS7N200BH (80V) et RS7N160BH (80V) sont idéaux pour les circuits de conversion AC-DC secondaires dans les alimentations de serveurs IA 48V. Ces trois modèles sont dotés du nouveau boîtier DFN5060-8S (5,0mm × 6,0mm). Le boîtier augmente la surface interne de la puce d’environ 65% par rapport au boîtier HSOP8 conventionnel (5,0mm × 6,0mm). Par conséquent, les RS7E200BG (30V) et RS7N200BH (80V) atteignent des résistances à l’état passant de respectivement 0,53mΩ et 1,7mΩ (à VGS = 10V) : ces deux valeurs se classent parmi les meilleures de l’industrie dans la catégorie 5,0mm × 6,0mm, contribuant de manière significative à l’amélioration de l’efficience des circuits d’alimentation des serveurs. De plus, ROHM a optimisé la conception du clip interne pour améliorer la dissipation de la chaleur, améliorant encore la tolérance SOA, ce qui contribue à assurer la fiabilité de l’application. Notamment, le RS7E200BG (30V) atteint une tolérance SOA de plus de 70A à une largeur d’impulsion de 1ms et VDS = 12V, soit deux fois plus que les MOSFET conventionnels en boîtier HSOP8 dans les mêmes conditions, ce qui garantit des performances SOA de pointe dans l’industrie pour un encombrement de 5,0mm × 6,0mm. À l’avenir, ROHM prévoit de commencer progressivement la production en série de MOSFET de puissance compatibles avec les circuits de contrôleur à remplacement à chaud pour les serveurs d’IA en 2025, en continuant à élargir sa gamme qui contribue à une plus grande efficience et fiabilité dans une large gamme d’applications. Gamme de produits (Fig. 2) La marque EcoMOS™ EcoMOS™ est la marque de MOSFET de puissance en silicium de ROHM conçus pour des applications à haut rendement énergétique dans le secteur des dispositifs de puissance. Largement utilisé dans des applications telles que les appareils électroménagers, les équipements industriels et les systèmes automobiles, EcoMOS™ offre une gamme diversifiée qui permet de sélectionner les produits en fonction de paramètres clés tels que les performances en matière de bruit et les caractéristiques de commutation afin de répondre à des exigences spécifiques. EcoMOS™ est une marque de commerce ou une marque déposée de ROHM Co, Ltd. Exemples d’applications Conversion AC-DC et circuits HSC pour alimentations électriques 12V de serveurs d’entreprise hautes performances Circuits de conversion AC-DC pour alimentations électriques de serveurs IA 48V Alimentations électriques d’équipements industriels 48V (par exemple moteurs de ventilateurs) Informations sur la vente en ligne Disponibilité : maintenant Distributeurs en ligne : DigiKey™, Mouser™ et Farnell™ Les produits seront proposés par d’autres distributeurs en ligne au fur et à mesure de leur disponibilité. Produits applicables : RS7E200BG, RS7N200BH, RS7N160BH Note : DigiKey™, Mouser™ et Farnell™ sont des marques commerciales ou des marques commerciales déposées de leurs entreprises respectives. *Étude de ROHM sur les MOSFET de puissance de taille 5060 (10 avril 2025)

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant au 31 mars 2024 un chiffre d’affaires de 467,7 milliards de yens (3,2 milliards US Dollar) et qui compte plus de 23 300 employés. La société développe et fabrique une vaste gamme de produits allant des diodes et MOSFET SiC, des circuits intégrés analogiques comme les Gate Driver et les Power Management ICs, jusqu’aux transistors et diodes de puissance et composants passifs. Les produits hautement performants de ROHM sont fabriqués dans des usines à la pointe de la technologie au Japon, en Allemagne, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines et en Chine. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf, d’où elle officie pour la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, veuillez consulter le site www.rohm.com