ROHM lanza un nuevo encapsulado con refrigeración por la parte superior para MOSFET de SiC, que combina alta disipación de calor con compatibilidad para alta tensión

Willich-Münchheide, Alemania, 09 de junio de 2026 - ROHM ha desarrollado el encapsulado TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) para MOSFET de SiC. Al adoptar una estructura de disipación de calor por la parte superior que coloca la superficie de disipación de calor en el lado superior del encapsulado, el nuevo producto permite un montaje automatizado al tiempo que logra un rendimiento de disipación de calor comparable al de los encapsulados convencionales con orificios pasantes (TO-247-4L). Esto contribuye a una mayor eficiencia y fiabilidad en los circuitos de conversión de potencia para cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos utilizados en los xEV (vehículos eléctricos). En los xEV, la adopción de dispositivos de SiC se está extendiendo más allá del ámbito de los inversores principales al incluir circuitos de conversión de potencia como los OBC y los compresores eléctricos para mejorar la velocidad de carga y ampliar la autonomía de crucero. Los dispositivos de SiC también se utilizan cada vez más en equipos industriales, como fuentes de alimentación de servidores de alto rendimiento e inversores fotovoltaicos, donde se requiere un funcionamiento de alta eficiencia. Los dispositivos de SiC convencionales se han basado generalmente en encapsulados con orificios pasantes, que proporcionan una excelente disipación del calor durante el funcionamiento a alta potencia. Sin embargo, los dispositivos con orificios pasantes implican procesos de montaje manuales, y su factor de forma dificulta la consecución de un perfil de encapsulado más bajo. En este contexto, los dispositivos de SiC de montaje superficial compatibles con el montaje automatizado han empezado a ganar adeptos. Para solucionar estos problemas, el nuevo TSC3PAK ofrece un rendimiento de disipación de calor comparable al de la tecnología de orificios pasantes, como el TO-247, en un encapsulado de montaje superficial. El nuevo encapsulado incorpora la estructura de ranuras “groove structure” patentada de ROHM para garantizar una distancia creepage líder en su clase* de 6,66 mm, lo que le permite alojar una tensión de pico de CA de 1200 V en un entorno de grado de contaminación 2, al tiempo que mantiene la compatibilidad con productos ampliamente utilizados en el mercado. Al permitir un diseño de aislamiento seguro en aplicaciones de alta tensión, el TSC3PAK también contribuye a reducir los costes de montaje y a aumentar la fiabilidad. Los productos que utilizan el nuevo encapsulado incorporan los MOSFET de SiC de 4ª generación de ROHM, que consiguen una baja resistencia en conducción y características de conmutación de alta velocidad. Como resultado, las pérdidas por conmutación durante la conversión de potencia se reducen significativamente, lo que contribuye a una mayor eficiencia de la aplicación y a un menor consumo de energía. La producción en serie comenzó en junio de 2026. Para obtener más información, póngase en contacto con su representante de ventas o visite la página de contacto en el sitio web de ROHM. Los modelos de simulación de los seis nuevos productos están disponibles en el sitio web oficial de ROHM para facilitar la evaluación rápida del diseño de circuitos. ROHM seguirá ampliando su gama de MOSFET de SiC, contribuyendo a un mayor rendimiento, un menor tamaño y una mayor fiabilidad de los equipos electrónicos. Ejemplos de aplicación • Sistemas para automoción: cargadores a bordo (OBC) y compresores eléctricos • Equipos industriales: inversores fotovoltaicos y fuentes de alimentación para servidores Marca EcoSiC™ EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC) y que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por mostrar un rendimiento incluso superior al del silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para la evolución del SiC, desde la fabricación de obleas y los procesos de producción hasta el embalaje, pasando por los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder de SiC. EcoSiC™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd. *Estudio de ROHM del 9 de junio de 2026

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM, uno de los principales fabricantes de semiconductores y componentes electrónicos, se fundó en 1958. Desde los mercados de automoción y equipos industriales hasta los sectores de consumo y comunicaciones, ROHM suministra circuitos integrados, discretos y componentes electrónicos de calidad y fiabilidad superiores a través de una red mundial de ventas y desarrollo. Los puntos fuertes de ROHM en los mercados analógico y de potencia nos permiten proponer soluciones optimizadas para sistemas completos que combinan componentes periféricos (es decir, transistores, diodos, resistencias) con los últimos dispositivos de potencia SiC, así como circuitos integrados de accionamiento que maximizan su rendimiento. Para más información, visite el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com