Un MOSFET de SiC de ROHM incorporado a una BBU para servidores de IA como respuesta al avance de las arquitecturas HVDC

Willich-Münchheide, Alemania, 03 de junio de 2026 - ROHM ha anunciado que su MOSFET de SiC de 750 V ha sido incorporado a una unidad de respaldo por batería (BBU, por sus siglas en inglés) para fuentes de alimentación de servidores de IA. Con el auge de la IA generativa, los sistemas de alimentación para servidores de IA están cambiando a tensiones más altas y pasando rápidamente a arquitecturas HVDC (corriente continua de alta tensión). En este entorno, el dispositivo de ROHM fue seleccionado como dispositivo de alimentación de SiC compatible con los sistemas de alimentación eléctrica de última generación. A medida que las GPU ofrecen cada vez mayor rendimiento y se extiende la adopción de la IA generativa, el consumo de energía de los centros de datos aumenta rápidamente. Para resolver este problema, la industria está orientando sus objetivos hacia arquitecturas HVDC al objeto de reducir las pérdidas de transmisión de energía. En estos entornos de alta potencia y alta tensión, las BBU y las CU (unidades de condensadores), que compensan la potencia a nivel del bastidor del servidor, desempeñan un papel cada vez más importante en la protección de sistemas y volúmenes masivos de datos en caso de anomalías como cortes de energía o interrupciones momentáneas. El producto incorporado es el SCT4013DLL, un MOSFET SiC de 750 V que se instala en la sección de alimentación eléctrica de una arquitectura de potencia de ±400 V para servidores de IA. Aprovechando las características del SiC, este producto ofrece tolerancia a altas temperaturas con una temperatura máxima de unión (Tj) de 175 °C, lo que permite un funcionamiento estable incluso en BBU en las que la generación de calor aumenta a medida que suben las tensiones y la densidad de potencia. En las arquitecturas de alimentación de 800 VCC de última generación, la tensión de alimentación suministrada al bloque de baterías dentro de la BBU es de aproximadamente 560 V. Por este motivo, los MOSFET de SiC de ROHM con una tensión nominal de 750 V también pueden utilizarse en estos sistemas. Las fuentes de alimentación HVDC para los servidores de IA de nueva generación requieren sistemas de reserva capaces de controlar altas tensiones y grandes corrientes al instante, con una pérdida mínima de energía en caso de anomalía. Para cumplir estos exigentes requisitos, se espera que los dispositivos de potencia de SiC que combinan capacidad de alta tensión, bajas pérdidas y tolerancia a altas temperaturas sirvan como dispositivos clave en el núcleo del control de potencia. Con la vista puesta en el crecimiento continuado de los mercados de servidores de IA y centros de datos, ROHM reforzará aún más el desarrollo y suministro de dispositivos de potencia que utilizan SiC, GaN y silicio. ROHM también contribuirá a lograr una mayor eficiencia energética y a la construcción de una sociedad sostenible proponiendo soluciones que combinen estos dispositivos de potencia con circuitos integrados analógicos y otras tecnologías. Marca EcoSiC™ EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC) y que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por mostrar un rendimiento incluso superior al del silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente tecnologías esenciales para la evolución del SiC, desde la fabricación de obleas y los procesos de producción hasta el embalaje, pasando por los métodos de control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción integrado en todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder de SiC. EcoSiC™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd. Información relacionada ROHM ofrece información sobre los dispositivos de potencia de SiC en su sitio web, incluido un práctico «Buscador fácil de piezas» para seleccionar productos en función de las condiciones especificadas, así como modelos de diseño que facilitan la evaluación y la implementación. Consulte a continuación el material técnico y los recursos relacionados. • Nota de aplicación: Encapsulado discreto de MOSFETs de SiC de 4ª generación: características y precauciones para el diseño de circuitos • Nota de aplicación: Ventajas de aplicación al utilizar la4ª generación de MOSFET de SiC • Libro blanco: Soluciones de arquitectura de 800 VCC de ROHM para servidores de IA • Diálogo especial: Las limitaciones de potencia de los centros de datos se intensifican ¿Por qué Delta y ROHM apuestan por la corriente continua de alta tensión (HVDC)?

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM, uno de los principales fabricantes de semiconductores y componentes electrónicos, se fundó en 1958. Desde los mercados de automoción y equipos industriales hasta los sectores de consumo y comunicaciones, ROHM suministra circuitos integrados, discretos y componentes electrónicos de calidad y fiabilidad superiores a través de una red mundial de ventas y desarrollo. Los puntos fuertes de ROHM en los mercados analógico y de potencia nos permiten proponer soluciones optimizadas para sistemas completos que combinan componentes periféricos (es decir, transistores, diodos, resistencias) con los últimos dispositivos de potencia SiC, así como circuitos integrados de accionamiento que maximizan su rendimiento. Para más información, visite el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com