ROHM desarrolla la 5ª generación de MOSFET de SiC con un 30 % menos de resistencia en conducción a altas temperaturas

Willich-Münchheide, Alemania, 21 de abril de 2026 - ROHM ha desarrollado el último dispositivo de su serie EcoSiC™:  los MOSFET de SiC de 5ª generación optimizados para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Esta tecnología es ideal para sistemas de grupos motopropulsores eléctricos en automoción —como inversores de tracción para vehículos eléctricos (xEV)— así como fuentes de alimentación para servidores de IA y equipos industriales como centros de datos. En los últimos años, el rápido crecimiento de la IA generativa y el procesamiento de grandes volúmenes de datos ha acelerado la implantación de servidores de alto rendimiento en el sector de los equipos industriales. El consiguiente aumento de la densidad de potencia está ejerciendo una mayor presión sobre las infraestructuras eléctricas, hasta el punto en el que incluso se llega a temer una escasez localizada del suministro. Aunque las redes inteligentes que combinan fuentes de energía renovables (por ejemplo, la energía solar) con las redes de suministro eléctrico convencionales se perfilan como una posible solución, minimizar las pérdidas durante la conversión y el almacenamiento de la energía sigue siendo un desafío clave. En el sector de la automoción, los vehículos eléctricos de última generación requieren una mayor autonomía de crucero y una carga más rápida, lo que genera una demanda de inversores con menos pérdidas y cargadores de a bordo (OBC) de mayor rendimiento. Ante esta situación, la adopción de dispositivos de SiC capaces tanto de lograr bajas pérdidas como alta eficiencia está aumentando en aplicaciones de alta potencia que van desde unos pocos kilovatios a cientos de kilovatios. Como empresa global de semiconductores de primer nivel, ROHM fue la primera empresa del mundo en iniciar la producción en masa de MOSFET de SiC en 2010, contribuyendo así a reducir las pérdidas de energía mediante la implementación de dispositivos de SiC en una amplia gama de aplicaciones de alta potencia, incluyendo la oferta de una gama inicial de productos que cumplen las normas de fiabilidad en automoción, como la AEC-Q101. Además, los MOSFET de SiC de 4ª generación, cuyo suministro de muestras comenzó en junio de 2020, han sido adoptados en todo el mundo en aplicaciones industriales y de automoción. Están disponibles en una amplia cartera de productos, que incluye tanto dispositivos discretos como módulos, lo que favorece la rápida adopción de la tecnología SiC por parte del mercado. Los MOSFET de SiC de 5ª generación recientemente desarrollados consiguen unas pérdidas ultrabajas líderes en la industria, lo que impulsa una adopción cada vez más extendida de la tecnología de SiC. Gracias a las mejoras estructurales y a la optimización del proceso de fabricación, la resistencia en conducción se reduce aproximadamente un 30 % durante el funcionamiento a alta temperatura (Tj=175°C) en comparación con los productos convencionales de 4ª generación (en las mismas condiciones de tensión de ruptura y tamaño de chip). Esta mejora contribuye a reducir el tamaño de las unidades al tiempo que aumenta la potencia de salida en aplicaciones de alta temperatura, como los inversores de tracción para xEV. ROHM comenzó a dar apoyo al negocio de las chips desnudos con MOSFET de SiC de 5ª generación en 2025 y completó el desarrollo en marzo de 2026. Además, a partir del Julio de 2026, ROHM suministrará muestras de dispositivos discretos y módulos que incorporen MOSFET de SiC de 5ª generación. En el futuro, ROHM tiene previsto ampliar su gama de MOSFET de SiC de 5ª generación con opciones adicionales de tensión de ruptura y encapsulado. ROHM también seguirá mejorando sus herramientas de diseño y reforzando el apoyo a las aplicaciones. Al seguir promoviendo la implantación de la tecnología SiC —que ahora entra en una fase de adopción generalizada— ROHM contribuye a una utilización más eficiente de la energía en una amplia variedad de aplicaciones de alta potencia. Ejemplos de aplicación Sistemas para automoción: inversores de tracción de xEV, cargadores de a bordo (OBC), convertidores CC-CC, compresores eléctricos Equipamiento industrial: fuentes de alimentación para servidores de IA y centros de datos, inversores de energía fotovoltaica, ESS (sistemas de almacenamiento de energía), SAI (sistemas de alimentación ininterrumpida), eVTOL (vehículos eléctricos de despegue y aterrizaje vertical) y servos de CA Marca EcoSiC™ EcoSiC™ es una marca de dispositivos que utilizan carburo de silicio (SiC) y que está atrayendo la atención en el campo de los dispositivos de potencia por mostrar un rendimiento incluso superior al del silicio (Si). ROHM desarrolla de forma independiente las tecnologías básicas necesarias para el avance de los dispositivos de SiC de forma completamente interna, desde la fabricación de obleas y el desarrollo de procesos hasta el encapsulado y el control de calidad. Al mismo tiempo, hemos implantado un sistema de producción totalmente integrado que abarca todo el proceso de fabricación, consolidando nuestra posición como proveedor líder en el ámbito SiC. *EcoSiC™ es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd.

Acerca de ROHM Semiconductor ROHM, uno de los principales fabricantes de semiconductores y componentes electrónicos, se fundó en 1958. Desde los mercados de automoción y equipos industriales hasta los sectores de consumo y comunicaciones, ROHM suministra circuitos integrados, discretos y componentes electrónicos de calidad y fiabilidad superiores a través de una red mundial de ventas y desarrollo. Los puntos fuertes de ROHM en los mercados analógico y de potencia nos permiten proponer soluciones optimizadas para sistemas completos que combinan componentes periféricos (es decir, transistores, diodos, resistencias) con los últimos dispositivos de potencia SiC, así como circuitos integrados de accionamiento que maximizan su rendimiento. Para más información, visite el sitio web de ROHM: https://www.rohm.com