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| 23.10.2025 14:00 |
ROHM entwickelt innovative Schottky-Barrier-Diode mit niedrigem VF und IR für zuverlässigen Schutz von hochauflösenden Bildsensoren |
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Willich-Münchheide, 23. Oktober 2025 – ROHM hat mit der RBE01VYM6AFH eine innovative Schottky-Barrier-Diode entwickelt, die den herkömmlichen Kompromiss zwischen VF und IR überwindet. Auf diese Weise bietet sie einen hochzuverlässigen Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren, darunter ADAS-Kameras.
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| 16.10.2025 09:30 |
ROHM feiert 30 Jahre erfolgreiche Partnerschaft mit Micronetics |
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Willich/Renningen, 16. Oktober 2025 – ROHM Semiconductor blickt mit Stolz auf drei Jahrzehnte erfolgreicher Zusammenarbeit mit Micronetics zurück – einem langjährigen und verlässlichen Vertriebspartner in Deutschland. Dieser Meilenstein steht nicht nur für eine gemeinsame Geschichte der Innovation und des Wachstums, sondern ist auch ein Beweis für die Stärke einer Partnerschaft, die auf gegenseitigem Vertrauen, technischer Exzellenz und kundenorientierten Werten basiert. |
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| 09.10.2025 09:00 |
ROHM ernennt Dr. -Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering |
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Willich, 9. Oktober 2025 – Die ROHM Semiconductor GmbH freut sich, die Berufung von Dr.-Ing. Christian Felgemacher zum Director Application Engineering bekanntzugeben. Seit dem 1. Oktober ist er damit sowohl für die operative Koordination der technischen Kundenberatung als auch für die strategische Ausrichtung der Application Engineering-Aktivitäten von ROHM in Europa verantwortlich. |
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| 30.09.2025 14:00 |
ROHM stellt neue intelligente Schalter optimiert für Zonensteuerungen vor |
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Willich-Münchheide, 30. September 2025 – ROHM hat mit der BV1HBxxxEFJ-Serie sechs neue High-Side-Smart-Switches (Intelligent Power Devices, kurz: IPDs) mit hochpräziser Strommessung und Einschaltwiderständen von 9 Milliohm bis 180 Milliohm entwickelt (BV1HB008EFJ-C, BV1HB012EFJ-C, BV1HB020EFJ-C, BV1HB040EFJ-C, BV1HB090EFJ-C, BV1HB180EFJ-C). Die neuen Schalter eignen sich insbesondere zum Schutz von Lasten und Subsystemen vor Anomalien wie Überstrom, Überspannung und Übertemperatur. Damit gewährleisten sie einen zuverlässigen Betrieb und schützen empfindliche Komponenten in der Automobilbeleuchtung und Karosseriesteuerung, wie z. B. Türschlösser und elektrische Fensterheber. Umfangreiche Diagnosefunktionen, wie etwa die Erkennung offener Lasten und Verpolung, erhöhen die Sicherheit und Zuverlässigkeit zusätzlich. |
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| 25.09.2025 09:00 |
Für mehr Kundenflexibilität: ROHM und Infineon kooperieren bei Gehäusen für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter |
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Kyoto, Japan und München, Deutschland, 25. September 2025 - ROHM Co., Ltd. und die Infineon Technologies AG haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) zur Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungshalbleiter-Gehäusen unterzeichnet, die in Anwendungen wie Onboard-Ladegeräten, Photovoltaik, Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren zum Einsatz kommen. Konkret beabsichtigen die Partner, wechselseitig als zweite Bezugsquelle („Second Source“) für Kunden zu fungieren, die ausgewählte Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter nutzen. Damit steigt die Flexibilität der Kunden bei Design und Beschaffung. Künftig können sie Bauteile mit kompatiblen Gehäusen sowohl von ROHM als auch von Infineon beziehen. Die Zusammenarbeit zwischen den beiden Unternehmen stellt eine nahtlose Kompatibilität je nach spezifischem Kundenbedarf sicher. |
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| 16.09.2025 14:00 |
ROHM präsentiert 2-in-1-SiC-Modul „DOT-247“ |
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Willich-Münchheide, 16. September 2025 – ROHM bietet mit dem „DOT-247“ ein 2-in-1-SiC-Modul (SCZ40xxDTx, SCZ40xxKTx) für industrielle Anwendungen wie PV-Wechselrichter, USV-Systeme und Halbleiterrelais. Das neue Modul bewahrt die Vielseitigkeit des weit verbreiteten „TO-247“-Gehäuses, gewährleistet jedoch gleichzeitig eine hohe Designflexibilität und Leistungsdichte. |
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