EconoDUAL™ 3 mit TRENCHSTOP™ IGBT7 für einen bisher unerreichten Nennstrom von 900 A
München, 18. Dezember 2019 – Bereits im März hatte die Infineon Technologies AG den neuen IGBT7-Chip für die bekannte Easy-Gehäuseplattform vorgestellt. Jetzt steht der neueste TRENCHSTOP™ IGBT7 auch für die mittlere Leistungsklasse zur Verfügung: im Standard-Industriegehäuse EconoDUAL™ 3. Das 1200-V-Modul liefert in dieser Chiptechnologie einen industrieweit führenden Nennstrom von 900 A. Das ermöglicht im Vergleich zur Vorgängertechnologie bei gleicher Baugröße einen um 30 Prozent höheren Ausgangsstrom für Wechselrichter. Spezifische Verbesserungen von Chip und Gehäuse zielen direkt auf Anwendungen im Bereich Industrieantriebe. Das Modul lässt sich aber auch sehr gut in Designs für Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV), Servoantriebe sowie Solar- und USV-Wechselrichter einsetzen.

Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Bezogen auf die gleiche Chipfläche wird die Durchlassspannung um bis zu 30 Prozent verringert. Dies führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten. Zusätzlich lässt sich der IGBT7 leichter steuern und zeichnet sich durch ein verbessertes Oszillationsverhalten aus. Die Leistungsmodule verfügen über eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C.

Eine weitere Verbesserung betrifft die ebenfalls für Antriebsanwendungen optimierte Freilaufdiode (FWD). Der Vorwärtsspannungsabfall der emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) ist nun um 100 mV niedriger als der der EC4-Diode – bei geringerer Oszillationsneigung während des Ausschaltvorgangs.

Die höhere Leistungsdichte des EconoDUAL 3 hilft, eine Parallelisierung von Modulen im System zu vermeiden. Dies führt insgesamt zu einer Vereinfachung des Wechselrichterdesigns und niedrigeren Kosten. Die neue Chip-Technologie kann auf Basis der gleichen Modulbauform implementiert werden, was die Aufrüstung bestehender Wechselrichter-Systeme erleichtert. Das EconoDUAL 3-Modul verfügt über ein verbessertes Gehäuse für höhere Ströme und Temperaturen. Für einen deutlich niedrigeren thermischen Widerstand und höchstmögliche Lebensdauer ist es mit vorappliziertem Thermal Interface Material (TIM) erhältlich. Das PressFIT-Gehäuse ermöglicht darüber hinaus eine schnelle und kostengünstige Montage.

Verfügbarkeit

Das 900-A-Modul ist das erste aus einem komplett neuen EconoDUAL 3-Portfolio mit TRENCHSTOP IGBT7. Weitere Modultypen / Stromklassen werden im Laufe des Jahres 2020 folgen. Ab sofort kann der Typ FF900R12ME7_B11 bestellt werden. Ein Modul mit vorappliziertem TIM – FF900R12ME7P_B11 – ist ab Januar 2020 erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/econodual3 und www.infineon.com/igbt7.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit rund 41.400 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2019 (Ende September) einen Umsatz von 8,0 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: TwitterFacebook - LinkedIn
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 18.12.2019 10:15
Nummer: PR INFIPC201912-016d
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
Das 900-A-Modul ist das erste aus einem komplett neuen 1200 V EconoDUAL™ 3-Portfolio mit TRENCHSTOP™ IGBT7. Weitere Modultypen / Stromklassen werden im Laufe des Jahres 2020 folgen. Ab sofort kann der Typ FF900R12ME7_B11 bestellt werden.
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49 (0)89 234-23888
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
04.06.2020 10:00
Von A nach B mit E: eLKW reduziert CO2-Emissionen am Infineon-Standort Regensburg

29.05.2020 11:30
CoolSiC™ MOSFET 1700 V SMD ermöglicht beste Effizienz und reduzierte Komplexität für Hilfsstromversorgungen im Hochspannungsbereich

26.05.2020 23:30
Infineon komplettiert Eigenkapitalanteil der Cypress-Refinanzierung und nimmt über erfolgreiche Aktienplatzierung gut eine Milliarde Euro ein

26.05.2020 18:50
Infineon beschließt Kapitalerhöhung gegen Bareinlagen im Wege eines Accelerated Bookbuilding

20.05.2020 14:30
Weltweit erstes Raspberry Pi Audioverstärker-HAT-Board mit MERUS™ Class-D Multilevel-Verstärker