Neues 3,3 kV XHP™ 3 Leistungshalbleitermodul von Infineon für kompakte und skalierbare Designs von Wechselrichtern
München, 4. April 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an Hochspannungsbauteilen mit einem neuen Gehäuse: XHP™ 3. Diese neue flexible IGBT-Modulplattform wurde entwickelt für High-Power-Anwendungen im Spannungsbereich von 3,3 kV bis 6,5 kV. Das Modul ermöglicht skalierbare Designs mit hoher Zuverlässigkeit und Leistungsdichte. Durch den symmetrischen Aufbau mit geringer Streuinduktivität bietet es ein deutlich verbessertes Schaltverhalten. Aus diesem Grund stellt das XHP 3-Gehäuse eine Lösung für anspruchsvolle Anwendungen dar. Hierzu gehören Traktions- und Nutzfahrzeuge, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge sowie Mittelspannungsantriebe. Die High-Power-Plattform wird auf der PCIM 2019 ausgestellt.

Das XHP™ 3-Gehäuse von Infineon weist mit 140 mm Länge, 100 mm Breite und
40 mm Höhe einen kompakten Formfaktor auf. Die ersten IGBT-Module dieser neuen Plattform für hohe Leistung verfügen über eine Halbbrückentopologie mit einer Sperrspannung von 3,3 kV und einem Nennstrom von 450 A. Um den Kundenanforderungen gerecht zu werden, werden gleichzeitig zwei verschiedene Isolationsklassen auf den Markt gebracht: 6 kV (FF450R33T3E3) bzw. 10,4 kV (FF450R33T3E3_B5). Ultraschall geschweißte Terminals und Aluminiumnitrid-Substrate sowie eine Grundplatte aus Aluminium-Siliziumkarbid sorgen für ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und Robustheit.

Das leistungsstarke IGBT-Modul ist für die Parallelisierung ausgelegt und bietet daher neue Möglichkeiten für die Skalierbarkeit von Wechselrichtern. Systemdesigner können damit die gewünschte Leistungsstufe einfach anpassen: die erforderliche Anzahl von XHP 3-Modulen muss lediglich parallelgeschaltet werden. Um die Skalierung zu erleichtern, bietet Infineon ausgewählte Baugruppen mit abgestimmten statischen und dynamischen Parametern an. Beim Parallelschalten dieser gruppierten Module ist bei bis zu acht XHP 3-Modulen kein Derating mehr erforderlich.

Verfügbarkeit

Das High-Power-Modul XHP 3 3,3 kV kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/xhp.

Infineon auf der PCIM 2019

Auf der PCIM 2019 präsentiert Infineon innovative System-Lösungen für Anwendungen, die die Welt antreiben und die Zukunft gestalten. Die Demos von Infineon werden am Stand #313 in Halle 9 (Nürnberg, 7. bis 9. Mai 2019) präsentiert. Informationen zu den Highlights der PCIM sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit etwa 40.000 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2018 (Ende September) einen Umsatz von 7,6 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Datum: 04.04.2019 11:30
Nummer: INFIPC201904-055d
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Die ersten XHP™ 3 IGBT-Module verfügen über eine Halbbrückentopologie mit einer Sperrspannung von 3,3 kV und einem Nennstrom von 450 A. Um den Kundenanforderungen gerecht zu werden, werden gleichzeitig zwei verschiedene Isolationsklassen auf den Markt gebracht: 6 kV bzw. 10,4 kV.
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