Infineon stellt OptiMOS™ 5 80 V und 100 V vor – Neue Generation von Leistungs-MOSFETs mit dem branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand

München, Deutschland – 5. Februar 2015 – Die Infineon Technologies AG erweitert das OptiMOS™ 5-Produktportfolio um 80 V- und 100 V-MOSFETs. Die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs ist für hohe Schaltfrequenzen ausgelegt, die insbesondere bei Anwendungen mit Synchrongleichrichtern für Telekommunikationsanlagen und Servernetzteile sowie in Industrieanwendungen wie beispielsweise Solaranlagen, Niederspannungsantrieben und Netzteilen zum Einsatz kommen. Die neuen OptiMOS 5-MOSFETs bieten den branchenweit geringsten Einschaltwiderstand (RDS(on)), der im Vergleich zur vorherigen Generation bei 80 V-Leistungshalbleitern bis zu 45 % niedriger und bei 100 V-Leistungshalbleitern bis zu 24 % niedriger ausfällt. Dank des geringeren Widerstands sind deutlich weniger Parallelschaltungen von Bausteinen notwendig, wodurch Materialkosten gesenkt werden. Die neu eingeführte MOSFET-Generation sorgt für eine maximale Leistungsdichte und Energieeffizienz. Die OptiMOS 5 80 V-Variante bietet gegenüber seinen Vorgängermodellen einen um 38 % niedrigeren Ausgangsstrom, und die OptiMOS 5 100 V-Variante einen um 25 % niedrigeren Ausgangsstrom. Dies bedeutet geringere Schaltverluste und Spannungsüberschwingungen bei hart schaltenden Topologien und Synchrongleichrichtern und ermöglicht eine schnellere Anwendungsentwicklung und damit verbunden niedrigere Kosten. Die um 24 % geringere Gate-Ladung des 80 V-MOSFETs und die um 29 % geringere der 100 V-Variante reduziert zudem Schaltverluste insbesondere im Schwachlastbetrieb und in Anwendungen mit hohem Effizienzbedarf während des gesamten Lastbereichs etwa bei Mikro-Wechselrichtern und Leistungsoptimierern für Solaranwendungen. Verfügbarkeit Die OptiMOS 5 80 V- und 100 V-MOSFETs werden in sieben verschiedenen Gehäusen angeboten: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK und D²PAK 7Pin mit einem RDS(on) von 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-2 mΩ für die 80 V-Variante und 1-4 mΩ, 4-8 mΩ und 8-10 mΩfür die 100 V-Variante. Muster sind in beiden Spannungsklassen und allen Gehäusen erhältlich. Die Produkte werden in Serie gefertigt. Weitere Informationen zur neuen OptiMOS 5 80 V- und 100 V-Produktpalette von Infineon sind zu finden unter: http://www.infineon.com/optimos5-80v100v.

Über Infineon Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleitern. Produkte und Systemlösungen von Infineon helfen bei der Bewältigung von drei zentralen Herausforderungen der modernen Gesellschaft: Energieeffizienz, Mobilität und Sicherheit. Mit weltweit rund 29.800 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2014 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Im Januar 2015 übernahm Infineon den US-Konzern International Rectifier Corporation, führend in Technologien für Power Management, mit einem Umsatz von 1,1 Milliarden US-Dollar (Geschäftsjahr 2014, per 29. Juni) und rund 4.200 Beschäftigten. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.