Die neue Leistungs-MOSFET-Familie OptiMOS 40V und 60V von Infineon setzt höchste Maßstäbe bei Leistungsdichte und Systemwirkungsgrad:  45% niedrigere Figure of Merit als vergleichbare Produkte

Neubiberg, Deutschland und Orlando, Florida, USA – 6. Februar 2012 – Infineon Technologies präsentiert heute auf der „Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC) 2012“ die neue Produktfamilie OptiMOS™ 40V und 60V. Die neuen Leistungs-MOSFETs sind speziell für die Synchron-Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) wie zum Beispiel in Servern und Desktop-PCs optimiert. Zudem sind sie bestens geeignet für viele Industrieanwendungen wie Motorsteuerungen, Solar Mikro-Inverter und schnell schaltende DC/DC-Wandler. Die Anforderungen an die Datenverarbeitung in Bezug auf Geschwindigkeit und Leistung steigen ständig: Die Entwickler von AC/DC-Wandlern müssen daher den Systemwirkungsgrad sowie die Leistungsdichte immer weiter erhöhen und zugleich  die Systemkosten senken. Die neuen OptiMOS™ 40V und 60V Produkte von Infineon weisen den derzeit industrieweit niedrigsten Einschaltwiderstand (RDS(on)) und ein optimiertes Schaltverhalten auf. „Infineon ist der erste Halbleiterhersteller, der einen 1mΩ 40V-MOSFET in einem SuperSO8-Gehäuse (5mmx6mm) anbietet. Damit halbiert sich die Anzahl der benötigten MOSFETs in der Synchrongleichrichtung eines 1.000W-Server-Netzteils. Da keine Parallelisierung mehr erforderlich ist, erhöht sich die Leistungsdichte deutlich“, sagt Richard Kuncic, Senior Director Low Voltage Power Conversion bei Infineon Technologies. Der schnell wachsende Markt für Solar Mikro-Inverter stellt an Halbleiterkomponenten immer höhere Leistungsansprüche. In typischen Photovoltaik-Topologien wie Buck/Boost für Leistungs-Optimierer (Maximum Power Point Tracker MPPT) oder resonante Vollbrücken für Mikro-Inverter sind Einschaltwiderstand (RDS(on)) und Schaltverhalten gleichermaßen wichtig. Mit dem Baustein BSC016N06NS aus der neuen 60V-Serie von Infineon im SuperSO8-Gehäuse kann der Wirkungsgrad in einem Mikro-Inverter selbst im Lastbereich unterhalb von 20% der Maximalleistung um 1,5 Prozentpunkte erhöht werden. Das umfassende Produkt-Portfolio erlaubt es dem Entwickler, den für die jeweilige Anwendung optimalen MOSFET auszuwählen. Weitere Informationen zu den neuen OptiMOS™  40V and 60V Die neuen OptiMOS™ 40V- und 60V-MOSFETs weisen verglichen mit ähnlichen Produkten einen um 35% reduzierten RDS(on) und eine um 45% verringerte Figure of Merit (RDS(on) x Qg) auf. Nutzt man die neuen MOSFETs von Infineon in der  Synchron-Gleichrichtung eines Server-Netzteils, können die Verluste um 10% reduziert und somit der Systemwirkungsgrad deutlich erhöht werden. Die neuen 40V- und 60V-Produkte ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und dadurch eine höhere Leistungsdichte bei geringeren Systemkosten. Eine monolithisch integrierte Schottky-ähnliche Diode im 1mΩ und 1.4mΩ 40V SuperSO8-Gehäuse senkt die Speicherladung (Qrr) im relevanten Strombereich für Synchron-Gleichrichter auf vernachlässigbare Werte. Dies führt zu geringeren Leitungs- und Schaltverlusten und somit zu einem höheren Wirkungsgrad. Die deutlich geringere Überspannungsspitze reduziert den Bedarf für einen Snubber und spart so Entwicklungsaufwand und -kosten. Verfügbarkeit  und Preise Der neue OptiMOS™ 40V ist in den Gehäusen SuperSO8 und S3O8 (3mmx3mm) erhältlich von 0,25€ (2,3mΩ bis 0,60€ (1,0mΩ). OptiMOS™ 60V wird im SuperSO8-Gehäuse für 0,45€ (2,8mΩ) bzw. 0,65€ (1,6mΩ) angeboten. Darüber hinaus sind 60V-Produkte in den Gehäusen TO-220, S3O8, I2PAK (TO-262), D²PAK und DPAK (TO-252) erhältlich. Die Preisspanne reicht bei diesen von 0,40€ für die RDS(on)-Klasse 6,0mΩ bis zu 1,00€ bei 1,0mΩ. (Alle Preisangaben sind Stückpreise bei einer Mindestbestellmenge von 10.000 Stück) Weitere Informationen zu den neuen OptiMOS™ 40V und 60V unter www.infineon.com/newoptimos Infineon präsentiert die neuen OptiMOS™ 40V- und 60V-Produkte auf der APEC 2012 (5.-9. Februar) in Orlando/Florida, USA (Messestand Nr. 801).

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com