Infineon bietet OptiMOS 3 75 V-MOSFET-Familie mit idealen Schaltcharakteristika für energieeffiziente Leistungswandlung

Neubiberg und Shenzhen, China – 19. Juni 2009 – Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute seine neuen OptiMOS™ 3 Leistungs-MOSFETs mit einer Sperrspannung von 75 Volt vorgestellt. Die OptiMOS 3 75V-Leistungsbauelemente bieten das industrieweit beste Schaltverhalten mit geringsten Durchlasswiderständen (RDS(on)) und FOM (Figure Of Merit, Produkt aus Durchlasswiderstand und Gate-Ladung)-Werten. Damit ermöglichen sie für Schaltnetzteile (SMPS), Motorsteuerungen oder schnell schaltende Verstärker (Class D) reduzierte Leistungsverluste und eine verbesserte Effizienz unter allen Lastbedingungen. Die OptiMOS 3 75V-MOSFETs eignen sich besonders für synchrone Gleichrichtung in AC/DC-Schaltnetzteilen, wie sie in Desktop-Computern oder Servern eingesetzt werden. Neue Vorgaben zur Energieeinsparung wie die 80PLUS® Gold-Anforderung der Climate Savers Computing Initiative verlangen bei Computern eine weitere Verbesserung der Energieeffizienz im Vergleich zum derzeitigen U.S. Energy Star Programm. Infineons OptiMOS 3 75V-Bauelemente tragen zur Erreichung dieser Vorgaben bei. Sie bieten im Platz sparenden SuperSO8-Gehäuse einen um 40 Prozent geringeren RDS(on) bzw. einen um 34 Prozent geringeren FOM-Wert als andere Bauelemente. Das senkt Leistungsverluste um bis zu 10 Prozent in der synchronen Gleichrichterstufe eines Schaltnetzteiles. „Unseren Kunden Leistungshalbleiter zur Verfügung zu stellen, mit denen die Energieeffizienz verbessert wird, ist seit Jahren Kernthema Infineons. Heute sind wir der weltweit führende Anbieter von Leistungshalbleitern und -modulen“, sagte Andreas Urschitz, Vice President und General Manager in der Division Industrial and Multimarket, Infineon Technologies. „Durch Technologie-Führerschaft, hohe Produktqualität, Lieferzuverlässigkeit und Kundenunterstützung haben wir uns einen ausgezeichneten Ruf und Best-Supplier-Status bei unseren OEM- und ODM-Kunden erarbeitet.“ Infineons Portfolio an Leistungs-MOSFETs auf Basis der OptiMOS 3 N-Kanal-Prozesstechnologie umfasst heute an die 100 Bauelemente. Ein jedes bietet in seiner Klasse die jeweils geringsten Durchlasswiderstände, extrem geringe Gate-Ladungen und somit minimierte Leitungsverluste und geringste Schaltverluste. Hatte bereits die OptiMOS 3 80V-Familie Maßstäbe bei den Spezifikationen für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen gesetzt, so senken die OptiMOS 3 75V-MOSFETs die Leistungsverluste nochmals um 10 Prozent. Schaltcharakteristika wie der geringste Temperaturkoeffizient für den RDS(on) von < 0,7%/°K resultieren in sehr geringen Leitungsverlusten bei ansteigenden Temperaturen. Die reduzierten Verluste ermöglichen geringere Systemkosten, da auf eine Parallelschaltung der Bausteine verzichtet werden kann und kleinere Kühlkörper zum Einsatz kommen können. Die OptiMOS 3 75V-MOSFETs von Infineon unterstützen die Entwicklung von kompakten Stromversorgungen. So kann z. B. ein OptiMOS 3 75V-Bauelement in einem kleinen SuperSO8-Gehäuse einen entsprechenden Leistungshalbleiter in einem D²PAK-Gehäuse ersetzen. Damit lässt sich die erforderliche Boardfläche um 60 Prozent und die Höhe um 77 Prozent (von 4,4 mm auf 1 mm) reduzieren, während die Gehäusebreite nahezu halbiert wird (von 10,1 mm auf 5,15 mm). Weiterhin kann der weltweit niederohmigste OptiMOS 3 75V-MOSFET mit einem typischen Durchlasswiderstand von 2.0 mΩ in TO-220 zwei alternative Bausteine ersetzen. Verfügbarkeit und Preise Die OptiMOS 3 75V-MOSFETs gibt es im SuperSO8-Gehäuse mit einem RDS(on) max, von 4.2 mΩ zum Stückpreis von 0,70 US-Dollar bei einer Bestellmenge von 10.000 Stück. Im TO-220-, TO-262- oder D²PAK-Gehäuse liegt bei gleichem Bestellvolumen der Einzelstück-Preis bei 0,65 US-Dollar für die RDS(on)-Klasse von 5 mΩ, bei 0,90 US-Dollar für die RDS(on)-Klasse von 3mΩ und bei 1,70 US-Dollar für die RDS(on)-Klasse von 2 mΩ. Infineon auf der China Power Show Infineon präsentiert die neuen OptiMOS 3 75V-MOSFETs und weitere Produkt-Highlights auf seinem Stand A113 in Halle 7 auf der China Power Show (CPS, Shenzhen Convention & Exhibition Centre, Shenzhen, 19. bis 21. Juni 2009). Weitere Informationen erhält man unter www.infineon.com/power und www.infineon.com/optimos.

Über Infineon Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt „OTCQX International Premier“ unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.