Neue LDMOS-Leistungstransistoren von Infineon mit hoher Ausgangsleistung und Bandbreiten-Performance für Mobilfunk-Basisstationen der nächsten Generation
Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009 – Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute eine neue Familie LDMOS-Leistungstransistoren für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen für Breitbandübertragungen präsentiert. Mit führenden Ausgangsleistungen von bis zu 300 W und einer Videobandbreite von über 90 MHz unterstützen die neuen Transistoren die erforderlichen Leistungswerte (Verhältnis von Spitzen- zu Durchschnittsleistung) und die hohen Datenraten, die für den Übergang von mobilen 3G- zu 4G-Netzwerken erforderlich sind.

Die neue Transistorfamilie erreicht eine höhere Verstärkung und eine höhere Leistungsdichte als andere Systeme, die in den Mobilfunk-Frequenzbändern 1,4 – 2,6 GHz arbeiten. Dadurch ist die Verwendung von Gehäusen mit 30 Prozent kleinerer Grundfläche möglich, wodurch kleinere und kostengünstigere Verstärkerdesigns erzielt werden können. Eine hohe Spitzenausgangsleistung ist von Vorteil für Doherty-basierte Verstärkerdesigns und ermöglicht zudem eine Reduzierung der Komponentenanzahl in anderen Architekturen.

„Durch die geringe Baugröße bei gleichzeitig hervorragender Effizienz sind kleinere Basisstationen möglich, sodass die Hersteller effiziente, grüne Systemlösungen bei optimierten Kosten entwickeln können“, kommentiert Helmut Vogler, Vice President und General Manager für RF Power, Infineon Technologies AG. „Nach dem Production Release der ersten Transistorfamilie können sich Anbieter von Basisstationen jetzt an Infineon wenden, wenn Sie die Anforderungen ihrer Kunden für 4G-Rollouts im Jahr 2010 erfüllen möchten.“

Typische Leistungswerte der neuen Transistoren bei einem Two-Carrier-WCDMA-Signal von 2170 MHz, 30 V, 8 dB PAR und 3,84 MHz Kanalbandbreite: 50 W Durchschnittsleistung, 18 dB Verstärkung und 28 Prozent Wirkungsgrad (bei Verwendung eines Transistors mit einer P-1dB Ausgangsleitung von 230W). Ein 300 W Transistor (P-1dB) erreicht in der gleichen Applikation eine Durchschnittsleistung von 65 W, 18 dB Verstärkung und einen Wirkungsgrad von 28 Prozent.

Alle Transistoren der neuen PTFB-Familie werden in Open-Cavity-Keramikgehäusen für Bolt-Down- oder Earless-Montage angeboten. Die Komponenten sind bleifrei und ROHS-konform. Muster der ersten sechs Produkte sind ab sofort erhältlich.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt „OTCQX International Premier“ unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.
 
 
 
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Datum: 09.06.2009 15:00
Nummer: INFWLS200906.061
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Die neue Familie von Infineon LDMOS-Leistungstransistoren ist für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen für Breitbandübertragungen ausgelegt
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