Infineon stellt dritte Generation seiner Siliziumkarbid-Schottky-Dioden vor: Verbesserte Performance sorgt für Kostenreduzierung in Leistungswandlern für Motorantriebe und in Anwendungen erneuerbarer Energie
Neubiberg, 16. Februar 2009 – Die Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX), ein weltweit führender Anbieter von Leistungshalbleitern und Pionier bei Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid (SiC)-Basis, bringt seine dritte Generation der thinQ!™ SiC-Schottky-Dioden auf den Markt. Die neue Generation thinQ! weist, bezogen auf den Nennstrom, die industrieweit niedrigste Kapazität auf, was den System-Wirkungsgrad speziell bei höheren Schaltfrequenzen und geringer Last weiter verbessert. Damit tragen die Dioden thinQ! zur Senkung der Systemkosten in Leistungswandlern bei. Darüber hinaus bietet Infineon mit seiner dritten Produktgeneration das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC-Schottky-Dioden an, das neben 2-Pin-Versionen im TO-220-Gehäuse auch Produkte im DPAK-Gehäuse für oberflächenmontierbare Designs mit hoher Leistungsdichte umfasst.

Haupt-Anwendungsgebiete für SiC-Schottky-Dioden sind aktive Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (CCM PFC) für Schaltnetzteile und weitere AC/DC- und DC/DC-Wandler wie zum Beispiel Solar-Wechselrichter und Motorantriebe.

Im Vergleich zu den Bausteinen der zweiten Generation von SiC-Schottky-Dioden sind die Kapazitäten der dritten Generation um etwa 40 Prozent niedriger, was in der weiteren Verringerung der Schaltverluste resultiert. In einer mit 250 kHz arbeitenden PFC-Stufe mit 1 kW Leistung erhöht sich beispielsweise der Gesamt-Wirkungsgrad bei 20-Prozent Ausgangslast um 0,4 Prozent. Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Verwendung kleinerer und preisgünstigerer passiver Bauelemente (z. B. Induktivitäten und Kondensatoren), was zu Designs mit höherer Leistungsdichte führt. Geringere Verluste reduzieren zusätzlich die Kühlanforderungen eines Systems, so dass sich Größe und Anzahl der Kühlkörper und Lüfter verringern. Niedrigere Systemkosten und ein höheres Zuverlässigkeitsniveau sind die Folge. Infineon geht davon aus, dass sich mit den neuen SiC-Schottky-Dioden die Systemkosten in einigen Schaltnetzteil-Applikationen um bis zu 20 Prozent senken lassen.

„Infineon war der weltweit erste Anbieter von SiC-Schottky-Dioden und stellte die ersten Produkte bereits 2001 vor. In den vergangenen acht Jahren haben wir eine Reihe entscheidender Verbesserungen an unseren SiC-Schottky-Dioden vorgenommen, beispielsweise im Bereich der Stromstoßfestigkeit, der Schaltleistung und der Produktkosten. Die Vorteile der SiC-Technologie können damit in immer mehr Anwendungen genutzt werden“, sagte Andreas Urschitz, Vice President und General Manager, Power Semiconductor Discretes bei Infineon Technologies. „SiC ist eine innovative Technologie, die die weltweiten Bestrebungen, dem Klimawandel Einhalt zu gebieten, und die Erschließung neuer Märkte wie der Solarenergie und hocheffizienter Beleuchtungssysteme unterstützt. Damit unterstreicht Infineon sein Engagement und seine Spitzenstellung im Power-Management-Markt.“

Verfügbarkeit, Gehäuse und Preis

Die dritte Generation der thinQ! SiC-Schottky-Dioden von Infineon sind für 600 V (3, 4, 5, 6, 8, 9, 10 und 12 A), jeweils im TO-220- oder DPAK-Gehäuse sowie für 1.200 V (2, 5, 8, 10 und 15 A) im TO-220-Gehäuse lieferbar. Nach Beginn der Bemusterung im Januar 2009 soll die Serienfertigung im Frühjahr 2009 anlaufen. Bei Stückzahlen von 10.000 beträgt der Einzelstückpreis von SiC-Schottky-Dioden der dritten Generation mit einer Sperrspannung von 600 V (3 A) 0,61 Euro. Die 4-A-Version kostet 0,85 Euro, die 8-A-Ausführung 1,89 Euro pro Stück.

Weitere Informationen über die SiC-Schottky-Dioden von Infineon gibt es unter www.infineon.com/sic. Zusätzliche Details über das Produkt-Portfolio von Infineon im Bereich der Leistungshalbleiter unter www.infineon.com/powermanagementdiscretes.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen aus fortgeführten Aktivitäten erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol "IFX" notiert.
 
 
 
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Datum: 16.02.2009 18:45
Nummer: INFIMM200902.034
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