Infineon liefert erste Silizium-basierte rauscharme Verstärker mit besserer Empfindlichkeit als GaAs-Produkte für UMTS/HSxPA- und WLAN-Anwendungen
München, Barcelona – 12. Februar 2007 – Als weltweit erster Halbleiterhersteller liefert Infineon Technologies Silizium-basierte rauscharme Verstärker (Low-Noise-Amplifier, LNA), die ein besseres Preis-Leistungsverhältnis als vergleichbare teurere Gallium-Arsenid (GaAs)-Produkte aufweisen und mit denen Mobiltelefonhersteller die 3GPP-Anforderungen erfüllen. Die neuen LNAs kombinieren Infineons unternehmenseigenen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Prozess mit einem niederohmigen Massekontakt. Das Ergebnis sind LNAs mit den derzeit besten Rauschwerten. Die Verfügbarkeit der neuen LNAs, des BGA700L16 und des BGA734L16, gab Infineon heute auf dem 3GSM World Congress 2007 in Barcelona bekannt. Der BGA700L16 ist ein Dual-Band-LNA für WLAN (Wireless LAN)-Systeme. Der Tri-Band-LNA BGA734L16 wurde speziell für den Einsatz in UMTS- oder HSxPA-Anwendungen entwickelt.

Eine der größten Herausforderungen bei der Entwicklung von Hochfrequenz (HF)-Schaltungen für drahtlose Produkte ist die Optimierung von Empfindlichkeit, Netzwerkabdeckung und Datendurchsatz. Diese Parameter werden ganz wesentlich vom Rauschverhalten des Empfängers bestimmt. Wegen der bisherigen Performance-Limitierungen von Silizium-Komponenten mussten Entwickler von HF- oder Mikrowellen-Systemen meist teurere GaAs-LNAs einsetzen. Infineon ist der erste Halbleiterhersteller, dessen Silizium-basierte LNAs leistungsfähiger als GaAs-LNAs sind. Darüber hinaus ist Infineons SiGe:C-Prozess stromsparender und andere Chipfunktionen lassen sich mit diesem Prozess einfach integrieren.

„Mit der Einführung der neuen Silizium-basierten LNAs zeigt sich einmal mehr Infineons führende Stellung bei HF-Technologien“, sagte Michael Mauer, Senior-Director Produkt-Marketing bei Infineon Technologies. „Wir haben erneut Maßstäbe gesetzt. Die nächste Generation drahtloser Anwendungen wie UMTS- und HSxPA-Mobiltelefone oder WLAN-Produkte profitieren durch unsere LNAs von höherer Leistungsfähigkeit und längerer Batterielebensdauer.“

Technische Merkmale der neuen LNAs BGA734L16 und BGA700L16

Der BGA734L16 ist ein hoch integrierter LNA für 3G-Anwendungen. Um Designkomplexität und Kosten zu verringern, integriert der Tri-Band-LNA drei Verstärker für die Mobilfunk-Frequenzbänder 800 MHz, 1.900 MHz und 2.100 MHz. Der BGA734L16 hat einen sehr geringen Rauschwert von nur 1,2 dB für das 2.100-MHz-Band. Weitere Funktionsmerkmale sind eine integrierte Schaltung zur Temperatur-Stabilisierung, ESD-Schutz bis 1 kV und angepasste Ausgänge (50 Ω). Der BGA734L16 bietet die Möglichkeit der Verstärkungssteuerung für einen verbesserten Dynamikbereich und erhöhte Systemleistung bei Umgebungen mit erhöhter Interferenz. Darüber hinaus sorgt die Verstärkungssteuerung für eine längere Batterielebensdauer.

Der BGA700L16 ist für Wireless-LAN (802.11a/b/g/n)-Anwendungen ausgelegt. Der LNA hat einen einstufigen Verstärker für das 2,45-GHz-Band und einen zweistufigen Verstärker für die Anforderungen des Frequenzbandes von 4,9 bis 5,95 GHz. Für das 5,5-GHz-Band beträgt sein Rauschwert nur 1,3 dB. Zu den weiteren Merkmalen gehören angepasste Ein- und Ausgänge (50 Ω), ein Shut-Down-Mode sowie Temperatur-Stabilisierung auf dem Chip.

Verfügbarkeit, Gehäuse und Preis

Die neuen LNAs sind in Musterstückzahlen verfügbar. Serienproduktion beginnt im April 2007. Bei Stückzahlen von zehn Tausend, liegt der Stückpreis des BGA700L16 bei 0,80 US-$ und der des BGA734L16 bei 1,20 US-$. Beide Bausteine werden in einem TSLP (Tiny Small Leadless Package)-16-Gehäuse mit Abmessungen von nur 2,3 mm x 2,3 mm x 0,39 mm geliefert. Damit eignen sie sich für flache Multimedia-Telefone und hoch integrierte WLAN-Module.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die  drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 42.000 Mitarbeitern (davon etwa 12.000 Mitarbeiter bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2006 (Ende September) einen Umsatz von 7,9 Milliarden Euro (davon 3,8 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter http://www.infineon.com
 
 
 
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Datum: 12.02.2007 16:30
Nummer: INFAIM200702.042
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