Maßgeschneidert: TRENCHSTOP™ IGBT7 und EC7 Diode für Industrieantriebe
München, 7. März 2019 – Die Infineon Technologies AG stellt den neuen 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 und die emittergesteuerte EC7-Diode vor. Der IGBT sorgt für eine höhere Leistungsdichte, niedrigere Systemkosten und eine geringere Systemgröße. Das damit aufgebaute Leistungshalbleitermodul im bekannten Easy-Gehäuse ist auf die Anforderungen von industriellen Antrieben abgestimmt.

Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Dies führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten. Die Leistungsmodule verfügen über eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C. Zusätzlich zeichnen sie sich durch weicheres Schalten aus und eine verbesserte Steuerbarkeit.

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT7-Module sind mit der gleichen Pinbelegung ausgestattet wie die TRENCHSTOP IGBT4-Module. Hersteller können damit ihren Konstruktionsaufwand reduzieren. Wegen der höheren Leistungsdichte ermöglichen die neuen Module einen höheren Ausgangsstrom im gleichen Gehäuse oder den gleichen Ausgangsstrom in einem kleineren Gehäuse. Dadurch können Konstrukteure bei Bedarf kompaktere Wechselrichter realisieren. Alle Modultypen verfügen über die zuverlässige PressFit-Montagetechnologie von Infineon, diese gewährleiste einen niedrigen ohmschen Widerstand und reduziert Prozesszeiten.

Verfügbarkeit

Die neue TRENCHSTOP IGBT7-Technologie wird für die Stromstärken 10 A und
20 A im industriellen Standardgehäuse EasyPIM™ angeboten. Eine höhere Leistung von 100 A bietet das EasyPACK™ 2B. Als erstes verfügbar sind die Modultypen FP10R12W1T7_B11, FP25R12W1T7_B11 und FS100R12W2T7_B11. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/IGBT7.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit rund 40.100 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2018 (Ende September) einen Umsatz von 7,6 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: TwitterFacebook - LinkedIn
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 07.03.2019 11:15
Nummer: INFIPC201903-045d
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...


 Download der hochauflösenden Version...
Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert.
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49 (0)89 234-23888
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
16.12.2025 08:00
Infineon und Lenovo beschleunigen Entwicklung des autonomen Fahrens mit Hochleistungs-Computing-Plattformen für softwaredefinierte Fahrzeuge

11.12.2025 10:00
Infineon nutzt zu 100 Prozent grünen Strom und erreicht wichtigen Meilenstein auf dem Weg zur CO₂-Neutralität 20

10.12.2025 10:15
Infineon erweitert CoolSiC™ MOSFET 750 V G2-Familie mit ultra-niedrigem RDS(on) und neuen Gehäusen

08.12.2025 17:15
Infineon erhält renommierten GSA-Preis als herausragendes Halbleiterunternehmen in der EMEA-Region

05.12.2025 10:15
Infineon EZ-USB™ FX10-Controller steigert die Performance der 5-m-passiven Metallkabel von 3M für USB3-Vision-Kameras