IGBT mit hoher Leistungsdichte im TO-247PLUS-Gehäuse
München, 6. Juni 2017 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Produktangebot an diskreten 1200-V-Bauelementen mit IGBTs in Stromklassen bis 75 A. Sowohl der IGBT- als auch der Dioden-Chip sind auf den vollen Nennstrom ausgelegt. Sie sind in einem TO-247PLUS-Gehäuse in den Ausführungen 3- und 4-Pin verbaut. Das neue Gehäuse ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und Effizienz bei diskreten Bauformen. Typische Anwendungen, die Sperrspannungen von 1200 V erfordern und von diesen Vorzügen profitieren, sind Antriebe, Solaranlagen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Weitere Anwendungsgebiete dieser IGBTs sind Batterielade- und Energiespeichersysteme.

Im Vergleich zum regulären TO-247-3-Gehäuse weist das neue TO-247PLUS-Gehäuse den doppelten Nennstrom auf. Durch den Wegfall des Schraubenlochs verfügt es über einen größeren Lead-Frame-Bereich und kann entsprechend größere IGBT-Chips aufnehmen. Damit gibt es erstmals eine Kombination bestehend aus 1200 V IGBT und Diode mit jeweils 75 A in derselben kleinen Baugröße. Darüber hinaus sorgt der größere Lead-Frame des TO-247PLUS für einen geringeren thermischen Widerstand und eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit.

Entwickler, die großen Wert auf niedrige Schaltverluste legen, wählen das TO-247PLUS-Gehäuse mit vier Anschlüssen. Dieses verfügt über einen gesonderten Pin für den Kelvin-Emitter. Er erlaubt eine Entkopplung des Gate- und des Kommutierungskreises und reduziert so die gesamten Schaltverluste E(ts) um mehr als 20 Prozent. Beide Gehäusevarianten helfen dabei, die Leistungsdichte und Effizienz des Gesamtsystems zu erhöhen. Zusätzlich verbessern sie die thermische Auslegung des Systems und reduzieren die Anzahl der parallel geschalteten Leistungshalbleiter.

Verfügbarkeit

Der neue 1200-V-IGBT im Gehäuse TO-247PLUS und TO-247PLUS-4-Pin ist lieferbar. Das Produktportfolio besteht aus IGBTs in 40 A, 50 A und 75 A, jeweils mit einer Freilaufdiode in derselben Stromstärke. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/to-247plus und www.infineon.com/to-247-4.
Über Infineon

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Datum: 06.06.2017 10:30
Nummer: INFIPC201706-057d
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Das TO-247PLUS-Gehäuse mit vier Anschlüssen verfügt über einen gesonderten Pin für den Kelvin-Emitter. Dieser erlaubt eine Entkopplung des Gate- und des Kommutierungskreises und reduziert so die gesamten Schaltverluste E(ts) um mehr als 20 Prozent.
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