Infineon hat Patentverletzungsklage gegen Volterra Semiconductor eingereicht
Neubiberg, 22. Januar 2010 – Die Infineon Technologies AG hat am 21. Januar 2010 eine Patentklage gegen Volterra Semiconductor am U.S. Bezirksgericht für Delaware eingereicht. Mit der Patentklage fordert Infineon Unterlassung der Patentverletzung sowie Schadenersatz und erweiterten Schadenersatz wegen vorsätzlicher Patentverletzung.

Mit der Klage wird die Verletzung von vier Infineon U.S. Patenten durch Volterras Spannungsregler und Pulsweitenmodulations-Controller geltend gemacht. Solche Halbleiterkomponenten regeln die Stromversorgung des Prozessors bei PCs, Notebooks, Servern und der GPU (Graphic Processing Unit) bei Grafikkarten.

Volterra hatte im November 2008 Klage gegen Infineon wegen angeblicher Verletzung von Volterra Patenten durch Infineon am U.S. Bezirksgericht für den nördlichen Bezirk von Kalifornien erhoben. Im Juli 2009 hatte Volterra einen Antrag auf einstweilige Unterlassungsverfügung gestellt, der jedoch vom Gericht abgelehnt wurde. Das Gericht hat noch keinen Termin zur Verhandlung bestimmt. Die drei Patente, die Volterra in seiner Klage in Kalifornien geltend macht, werden derzeit vom U.S. Patentamt, dem United States Patent and Trademark Office, auf ihre Rechtsbeständigkeit hin überprüft. Bei zwei Patenten hat das U.S. Patentamt formal Einwendungen gegen alle von Volterra in der Klage in Kalifornien geltend gemachten Patentansprüche erhoben. Zum dritten Patent wird die offizielle Stellungnahme des U.S. Patentamts demnächst erwartet.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert.
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 22.01.2010 14:00
Nummer: INFXX201001.025
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49-89-234-28480
Fax: +49-89-234-9554521
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
15.07.2026 14:15
Infineon stellt RIC70115 strahlungsgehärteten GaN-HEMT-Treiber für Satelliten- und Raumfahrtanwendungen vor

13.07.2026 08:15
Infineon und LS ELECTRIC entwickeln gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom-Infrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren

08.07.2026 10:15
Infineon liefert SiC-Technologie an ADVANTICS und steigert Effizienz von Stromrichtern für Megawatt-Ladesysteme

07.07.2026 10:15
Neue Sicherheitslösung SECORA™ ID Key S USB von Infineon unterstützt FIDO2 und PKI für gesicherten logischen Zugriff

07.07.2026 07:00
Entscheidung der US International Trade Commission bestätigt, patentverletzende GaN-Produkte von Innoscience vom US-Markt verbannt