Gemeinsame Presseinformation von Infineon Technologies und Hosiden
Infineon und Hosiden kooperieren bei Silizium-Mikrofonen
Neubiberg/Osaka, 2. Oktober 2007 - Infineon Technologies und die japanische Hosiden Corporation, einer der weltweit führenden Mikrofonhersteller, arbeiten bei Silizium-Mikrofonen zusammen. Infineon bringt in die Kooperation seine Halbleiter-Expertise sowie seine Erfahrungen bei MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems) zur Entwicklung und Fertigung von Silizium-Mikrofonen ein, die deutlich kleiner und robuster als heutige Mikrofone sind. Hosiden steuert seine Erfahrungen in der Elektro-Mechanik und Akustik sowie Anwendungs-Know-how zum Einbau der Mikrofone in die jeweiligen Endgeräte und langjährige Marktkenntnisse bei.

„Wir wollen mit Hosiden eine erfolgreiche Allianz bilden“, sagte Peter Schiefer, Vice President and General Manager der Business Unit Discrete Semiconductors im Geschäftsbereich Automotive, Industrial and Multimarket bei Infineon.  „Wir kombinieren die Stärken zweier technologisch führender Unternehmen, um gemeinsam eine ganze Produktfamilie von Silizium-Mikrofonen zu entwickeln. Diese werden kleiner sein als heutige Produkte und werden verbesserte Akustikeigenschaften für eine höhere Tonqualität bieten. Außerdem werden diese über digitale Schnittstellen verfügen, so dass Interferenzen minimiert werden.“

Im Vergleich zu herkömmlichen Mikrofonen sind Silizium-Mikrofone von Infineon robuster und weniger anfällig gegenüber Hochfrequenzstörungen und mechanischen Stößen. Sie sind auch weniger hitzeempfindlich und halten Temperaturen von bis zu 260° C stand. Aufgrund dieser hohen Hitzebeständigkeit lässt sich das Silizium-Mikrofon ohne Empfindlichkeitsverlust auf Standard-Platinen löten und eignet sich dadurch für vollautomatische Fertigungen. Hosiden entwickelt, fertigt und vertreibt Akustikprodukte wie Mikrofone, Kopfhörer und Bluetooth-Headsets.

Ein Sprecher von Hosiden erläutert: „Durch die Kobination von Hosidens Stärken in der Akustik mit den Stärken von Infineon bei Silizium-MEMS und ASIC-Lösungen erhalten die Kunden anwendungsoptimierte, hochwertige Produkte früher im Designzyklus und einen hervorragenden Kundensupport von beiden Unternehmen. Durch die Kooperation mit Infineon haben die Kunden von Hosiden Zugriff auf bestmögliche Lösungen, unabhängig von den zugrundeliegenden Technologien. Hosiden kann damit sein Portfolio vervollständigen, die bestmögliche Qualität und Akustikeigenschaften bei gleichzeitiger Miniaturisierung und Vollautomatisierung der Produktion gewähren.“  

Weitere technische Informationen zum Silizium-Mikrofon finden Sie unter:
http://www.infineon.com/microphone

Weitere technische Informationen zum Hosiden-Portfolio finden Sie unter: http://www.hosiden.com/web/frame/products_f.htm

Über Hosiden

Die Hosiden Corporation mit Sitz in Osaka, Japan, ist ein Hersteller von Elektrogeräten (Mikrofonen, Lautsprechern/Empfängern, Kopfhörern, Headsets), Verbindungs-Komponenten (Steckern und Schaltern), LCD, anwendungsspezifischen Produkten (Bluetooth-Produkte) für IT und Kommunikation sowie audiovisuelle und Automobil-Geräte. Im Geschäftsjahr 2006 (Ende März 2007) erzielte das Unternehmen einen Umsatz von 312,7 Milliarden Yen. Hosiden ist ein globales Unternehmen mit 18 Fertigungsstandorten in fünf Ländern und 22 Vertriebsbüros in zehn Ländern. Hosiden beschäftigt weltweit etwa 12.000 Mitarbeiter
Weitere Informationen unter http://www.hosiden.com
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG, Neubiberg, bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 42.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 12.000 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2006 (Ende September) einen Umsatz von 7,9 Milliarden Euro (davon 3,8 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.
Weitere Informationen unter www.infineon.com.
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 02.10.2007 10:30
Nummer: INFAIM200710.001
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