| 04.11.2026 09:30 |
Infineon setzt mit AURIX™ RC1 neue Maßstäbe für Echtzeit-Computing und -Steuerung in softwaredefinierten Fahrzeugen und Physischer KI |
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– Grundlegend neue Automotive-Mikrocontroller-Plattform von Infineon nutzt erstmals offenen Standard RISC-V
– Plattform vereinfacht Entwicklung softwaredefinierter Fahrzeuge durch domänenübergreifende, skalierbare Mikrocontroller-Basis anstelle von Einzellösungen
– High-End-Produktlinie innerhalb der Familie erweitert den Mikrocontroller-Bereich um zusätzliche Mikroprozessor-Fähigkeiten für die Integration weiterer Funktionen
– Fortschrittliche Rechen-, Sicherheits-, Cybersecurity- und integrierte Netzwerkfunktionen für sich verändernde Anforderungen über den gesamten Fahrzeuglebenszyklus
– Komplementäres Software-Ökosystem reduziert Migrationsaufwand und beschleunigt Softwareentwicklung bei Kunden
München, Deutschland – 4. November 2026 – Die Infineon Technologies AG baut ihr Portfolio für softwaredefinierte Fahrzeuge (SDV) sowie weitere softwaredefinierte (SDX) und Physische-KI-Anwendungen strategisch aus und stärkt damit ihre Position als Weltmarktführer bei Mikrocontrollern (MCU). Das Unternehmen führt innerhalb seiner branchenführenden AURIX™ Serie für Echtzeitsteuerung im Automobilbereich und anderen Anwendungsfeldern eine grundlegend neue MCU-Plattform ein. Als erste MCU-Plattform von Infineon nutzt AURIX RC1 die Vorteile von RISC-V. Sie skaliert von klassischen Mikrocontrollern bis hin zu hybriden Mikrocontroller-/Mikroprozessor-Bausteinen und bietet ein neues Niveau energieeffizienter Echtzeitintelligenz für zukünftige sichere und cybergeschützte SDV-, SDX- und Physische-KI-Anwendungen. Infineon stellt das Konzept der AURIX RC1 Familie auf der electronica in München (10.–13. November) vor und plant, im ersten Halbjahr 2027 Muster bereitzustellen. |
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| 03.11.2026 10:15 |
Infineon OptiMOS™ 7 40 V steigert Effizienz und Leistungsdichte von KI-Servern und Telekommunikationsanwendungen |
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München, 03. November 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt ihr schaltoptimiertes OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFET-Portfolio für KI-Server, Rechenzentren und Telekommunikationsinfrastruktur auf den Markt. Die für die hochfrequente DC-DC-Wandlung ausgelegten Bauelemente helfen Entwicklern, Effizienz und Leistungsdichte in platzbeschränkten Systemen zu verbessern. Zielanwendungen sind niederspannungsseitige Sekundärstufen von Hochvolt-Zwischenkreiswandlern (Intermediate Bus Converter, IBC) in entstehenden 800-V-DC-Architekturen sowie IBCs in 48-V-Stromversorgungsarchitekturen. In geeigneten Topologien werden Schaltfrequenzen jenseits von 1 MHz unterstützt. |
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| 02.11.2026 14:30 |
Infineon ermöglicht Entwicklung von Fahrzeugcomputern für automatisiertes Fahren und digitale Cockpits auf Basis von Qualcomm Snapdragon Ride |
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München, 2. November 2026 – Die Infineon Technologies AG will gemeinsam mit Qualcomm Technologies, Inc. die Entwicklung und Einführung zentraler Fahrzeugcomputer in softwaredefinierten Fahrzeugen (software-defined vehicles, SDVs) beschleunigen. Die Unternehmen haben eine Technologievereinbarung über ein mikrocontrollerbasiertes Designkonzept geschlossen, das die Snapdragon Ride™ Referenzplattformen von Qualcomm Technologies für Hochleistungscomputing und künstliche Intelligenz im Fahrzeug als Subsystem ergänzt. Durch die Zusammenarbeit verbinden sie den Plattformansatz und die leistungsstarken System-on-Chip-Rechenbausteine (SoCs) von Qualcomm Technologies mit der Hard- und Software-Expertise von Infineon in den Bereichen Sicherheitsmanagement, Konnektivität und Datenspeicher und erweitern so das Snapdragon Ride Ökosystem. Dies ebnet den Weg für eine schnellere Einführung von Fahrzeugcomputern, die automatisiertes Fahren und digitale Cockpitlösungen auf einer Rechnerplattform vereinen. |
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| 28.10.2026 13:35 |
Neues Büro- und Laborgebäude von Infineon in Warstein schafft Raum für Innovationen |
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Warstein, 28. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG hat am Innovationsstandort Warstein ihr neues Büro- und Laborgebäude offiziell eröffnet. Mit dem Neubau schafft das Unternehmen moderne Arbeits- und Entwicklungsumgebungen und stärkt die Rolle des Standorts als Innovationszentrum für Leistungshalbleitermodule. Herzstück des Gebäudes, in das rund 350 Mitarbeitende einziehen werden, sind rund 1.200 Quadratmeter Laborflächen, die künftig eine noch effizientere Entwicklung neuer Produkte und Technologien ermöglichen werden. Das Gebäude wurde gemeinsam mit dem Projektentwickler und Investor GARBE Institutional Capital in enger Abstimmung mit Infineon als Mieter realisiert. Das Investitionsvolumen von GARBE Institutional Capital und BC Partners Real Estate lag im mittleren zweistelligen Millionen Euro-Bereich. |
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| 27.10.2026 07:45 |
Infineon errichtet in Europa weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern |
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München, Deutschland / Wien, Österreich – 27. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG baut die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern auf. Im Rahmen des Projekts investiert Infineon bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in bestehende Reinraumflächen am Standort Villach. Die gleichzeitige Nutzung der vorhandenen sowie modernisierten Infrastruktur ermöglicht einen besonders effizienten und kosteneffektiven Ausbau der Fertigungskapazitäten. Der Produktionsstart ist für Ende 2027 vorgesehen. Mit dieser Investition adressiert Infineon die stark wachsende Nachfrage nach leistungsfähigen Stromversorgungslösungen. Galliumnitrid ermöglicht erhebliche Effizienzsteigerungen in zahlreichen Applikationen wie KI-Rechenzentren, Energie-Infrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Konsumentenelektronik. |
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| 26.10.2026 13:15 |
Infineon und Enphase Energy kündigen weltweit erste 900-V-GaN-Bidirektionalschalter für Solid-State-Transformer in KI-Rechenzentren an |
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München, 26. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert die weltweit ersten monolithischen bidirektionalen 900-V-GaN-Schalter (bi-directional switch, BDS) an Enphase Energy, ein globales Energietechnologie-Unternehmen. Die Bauteile werden in den Solid-State-Transformer (SST)-Leistungsmodulen von Enphase eingesetzt. Durch die Erweiterung des Spannungsbereichs der GaN-Technologie auf 900 V bei gleichzeitigem Erhalt ihrer Hochfrequenz-Schalteigenschaften ermöglichen die Schalter hocheffiziente und kompakte Leistungswandlungsarchitekturen für neue Anwendungen, darunter KI-Rechenzentren. |
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