| 02.06.2026 10:15 |
Infineon erweitert das XENSIV™ Magnetsensor-Portfolio um leistungsstarke TMR-Technologie |
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München, 02. Juni 2026 – Infineon erweitert sein bewährtes XENSIV™ Magnetsensor-Portfolio um ein umfassendes Angebot an Tunnel-Magnetwiderstand-Sensoren (TMR). Als Ergänzung zu den etablierten Hall-, GMR- und AMR-Sensorlösungen des Unternehmens erschließt die neue TMR-Technologie einzigartige Fähigkeiten in der Magnetsensorik. TMR bietet außergewöhnliche Empfindlichkeit und ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis (SNR), das eine präzise Parametererfassung und zuverlässige Messung mit kleineren Magneten ohne Bandbreitenbeschränkungen ermöglicht. Die Leistungsfähigkeit bleibt auch bei größeren Luftspalten und erhöhten mechanischen Toleranzen erhalten. Dies macht TMR-Sensoren ideal für die Positionserfassung mit geringem Stromverbrauch in Gaming- und HMI-Anwendungen (Human-Machine Interface), Gesundheits- und Lifestyle-Wearables sowie für die Positions- und Strommessung in automobilen und industriellen Anwendungen. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon präsentiert OptiMOS™ 8 100-V-MOSFETs für Motorsteuerungen und Batterieschutzanwendungen vor |
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München, 02. Juni 2026 – Megatrends wie grüne Mobilität, Robotik und künstliche Intelligenz stellen zunehmend anspruchsvollere Anforderungen an Leistungssysteme hinsichtlich einer zuverlässigen Laststrombewältigung. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, stellt die Infineon Technologies AG die OptiMOS™ 8 100-V-MOSFET-Technologie vor, die anwendungsspezifische Optimierungen für RDS(on)-getriebene Anwendungen wie Motorsteuerung und Batteriemanagement bietet. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon CoolSET™ SiP-Varianten erweitern Ausgangsleistungsbereich und unterstützen Entwickler bei der Einhaltung von EU-Energieeffizienzvorschriften |
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München, 02. Juni 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt drei neue Varianten des CoolSET™ System-in-Package (SiP) vor, den ICE188LM, ICE189LM und ICE180LM, die den unterstützten Ausgangsleistungsbereich erweitern und Herstellern von Haushaltsgeräten helfen, die zunehmend strengeren EU-Vorschriften zu Energieeffizienz und Standby-Leistung einzuhalten. Das CoolSET SiP integriert einen Hochspannungs-MOSFET mit einem PWM-Controller auf der Primärseite, einen Synchrongleichrichter-Controller (SR) auf der Sekundärseite, eine verstärkte galvanische Trennung sowie umfassende Schutzfunktionen in einem einzigen Gehäuse. Dieses Integrationsniveau reduziert Systemverluste, verringert die Anzahl der Bauteile und vereinfacht das Design energieeffizienter Hilfsnetzteile für Haushaltsgeräte bis zu 150 W. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon erweitert 750V CoolSiC™-Portfolio um Top-Side-Cooled H-DPAK Half-Bridge für höhere Systemdichte und Zuverlässigkeit |
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München, 02. Juni 2026 – Architekturen zur Leistungsumwandlung in Automobil- und Industrieanwendungen entwickeln sich rasant weiter und stellen neue Anforderungen an Schalttopologien, Wärmemanagement und Systemintegration. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, stellt die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) das H-DPAK vor – eine neue Ergänzung der oberseitig gekühlten Gehäusefamilie, die integrierte Halbbrückenbauelemente (HB) in der 750V CoolSiC™ G2-Technologie beherbergt. |
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Infineon präsentiert branchenweit ersten Siliziumkarbid-Bidirektionalschalter auf Basis der CoolSiC™ G2-Technologie |
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München, 02. Juni 2026 – Infineon stellt die ersten Siliziumkarbid (SiC) Bidirektionalschalter (BDS) vor, die auf der robusten 750V CoolSiC™ G2-Technologie basieren. Ein vertikal integriertes Dual-Die-Design mit Common-Drain-Konfiguration im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse vereint zwei Leistungsschalter in einem einzigen Bauelement für vereinfachtes Design und die Grundlage zur Weiterentwicklung bestehender Topologien. Während der verfügbare 650V CoolGaN BDS auf hohe Leistungsdichte bei hohen Frequenzen abzielt, bietet der 750V CoolSiC BDS die Zuverlässigkeitsreserven, die moderne Netze und Energiesysteme fordern – für die niedrigsten Gesamtbetriebskosten über die gesamte Applikationslebensdauer. |
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| 02.06.2026 10:15 |
Infineon präsentiert EasyPACK™ S-Modul- und Gehäusekonzept für kompakte Designs und Applikationen mit hoher Leistungsdichte |
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München, 2. Juni 2026 – Die Nachfrage nach höheren Leistungsdichten bei gleichzeitig begrenztem Bauraum steigt kontinuierlich, ob in On-Board Chargern für Elektrofahrzeuge oder Stromversorgungen für KI-Rechenzentren. Mit EasyPACK™ S stellt die Infineon Technologies AG auf der PCIM Europe 2026 ein kompaktes Modul- und Gehäusekonzept vor, das gezielt auf diese Anforderungen ausgelegt ist. Mit einer Bauhöhe von lediglich 5,6 mm und einer Grundfläche von etwa 33 x 36 mm² ermöglicht EasyPACK S deutlich kompaktere Designs und sorgt gleichzeitig für eine zuverlässige thermische Leistung sowie reduzierte elektromagnetische Störungen. Die ersten Module im neuen Gehäuse integrieren CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 sowie die IGBT4- und IGBT7-1200-V-Technologien von Infineon. |
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