| Presse-Informationen 1 bis 6 von 1882 |
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| 30.07.2026 10:15 |
Infineon SEMPER™ NOR-Flash stärkt Server-Management in Rechenzentren; für ASPEED AST2700 BMCs qualifiziert |
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München, Deutschland – 30. Juli 2026 – Der SEMPER™ NOR-Flash-Speicher der Infineon Technologies AG wurde für den Baseboard Management Controller (BMC) AST2700 von ASPEED Technology qualifiziert und in die Approved Vendor List (AVL) aufgenommen. Als Speichermedium für die BMC-Firmware unterstützt der SEMPER NOR-Flash die Infrastruktur für Server-Management, die einen resilienten und sicheren Betrieb ermöglicht und zur Verfügbarkeit und zum Schutz der Systeme beiträgt. Für Hyperscaler und Server-OEMs bietet die Qualifikation eine validierte, sofort einsetzbare Speicherlösung für AST2700-basierte Systeme. Dies reduziert das Design-Risiko und erleichtert die Auswahl der Komponenten in der Stückliste. |
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| 29.07.2026 10:15 |
Neuer Infineon SPOC™ Wire Guard 12-V-Automotive-eFuse unterstützt softwaredefinierte Fahrzeuge |
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München, 29. Juli 2026 – Infineon Technologies hat sein Portfolio zur Leistungsverteilung in Fahrzeugen um den SPOC™ Wire Guard BTS80009-SWPx-1ES erweitert. Dabei handelt es sich um einen hochintegrierten 12-V-Automotive-eFuse mit SPI-Schnittstelle. Als erstes Mitglied einer neuen Smart-Power-Switch-Familie kombiniert das Bauteil einen geschützten High-Side-Schalter mit integriertem I²t-Leitungsschutz, Software-Konfigurierbarkeit und erweiterter Diagnose. Es ist für neue E/E-Architekturen ausgelegt, die softwaredefinierte Fahrzeugkonzepte (SDV) mit Over-the-Air-Updates unterstützen. |
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| 28.07.2026 10:15 |
Infineon erweitert Solid-State-Isolatoren-Portfolio um kompakte ISSI20BxxF-Familie für industrielle Automatisierungsanwendungen mit hohen Stückzahlen |
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München, 28. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt die Solid-State-Isolator- (SSI)-Familie ISSI20BxxF auf den Markt. Damit erweitert das Unternehmen den Einsatzbereich der Halbleiter-Isolationstechnologie auf Anwendungen mit hohen Stückzahlen, die bislang typischerweise mit Photovoltaik-Isolatoren (PVIs), Photovoltaik-Relais (PVRs) und elektromechanischen Relais (EMRs) realisiert wurden. Die neue Produktfamilie ist in einem kompakten PG-DSO-8-Gehäuse mit 150 mil untergebracht und verfügt über einen Footprint, der mit bestehenden PVI-Lösungen vergleichbar ist. Dadurch erhalten Entwicklerinnen und Entwickler einen direkten Migrationspfad zur SSI-Technologie für platzbeschränkte Anwendungen. Die Produktfamilie bietet eine erhöhte Ansteuerleistung, integrierte Schutzfunktionen und Flexibilität bei der Auswahl der Leistungsschalter. Zu den Zielanwendungen zählen Halbleiterrelais-Module, SPS-Eingänge und -Ausgänge, industrielle Automatisierung, Gleichstromversorgungen für Laboranwendungen, automatisierte Testsysteme, Niederspannungs-Gebäudeautomation und Telekommunikationsinfrastruktur. |
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| 15.07.2026 14:15 |
Infineon stellt RIC70115 strahlungsgehärteten GaN-HEMT-Treiber für Satelliten- und Raumfahrtanwendungen vor |
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München, 15 Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt den RIC70115 vor, einen strahlungsgehärteten Galliumnitrid-HEMT-Treiber (GaN High-Electron Mobility Transistor), der für Satelliten- und hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen entwickelt wurde, bei denen Leistungsumwandlungseffizienz und langfristige Betriebssicherheit kritische Anforderungen darstellen. Der RIC70115 unterstützt sowohl Silizium- (Si) als auch GaN-MOSFET-Designs in Low-Side- und High-Side-Konfigurationen und gibt Entwicklern von Leistungssystemen größere Flexibilität bei der Einführung GaN-basierter Architekturen in Raumfahrtplattformen, ohne den sicheren Betrieb bei variierenden Vorspannungsbedingungen zu beeinträchtigen. Mit dem weiteren Wachstum der New-Space-Wirtschaft und zunehmender Komplexität und Anzahl von Satellitenkonstellationen steigt die Nachfrage nach strahlungsgehärteten Leistungsbauelementen, die den Übergang von Si zu GaN unterstützen. |
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| 13.07.2026 08:15 |
Infineon und LS ELECTRIC entwickeln gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom-Infrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren |
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– Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker
– Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern
Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln. |
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| 08.07.2026 10:15 |
Infineon liefert SiC-Technologie an ADVANTICS und steigert Effizienz von Stromrichtern für Megawatt-Ladesysteme |
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München, 8. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolSiC™-MOSFETs 1200 V und die dazu passenden zweikanaligen EiceDRIVER™ 2EDB9259Y Gate-Treiber an ADVANTICS, einen Technologieführer im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Leistungselektronik und fortschrittlicher Steuerungssysteme. Die Bauteile kommen in der neuen Generation der flüssigkeitsgekühlten Stromrichter von ADVANTICS zum Einsatz. Die Lösungen verbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Megawatt-Ladesystemen für Schwerlastfahrzeuge und Schiffe sowie in Energiespeichersystemen und Gleichstrom-Mikronetzen für Rechenzentren. Die Zusammenarbeit adressiert den Bedarf an schnelleren Ladesystemen, einer robusten Netzinfrastruktur und einer effizienteren Stromumwandlung. |
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