| 13.07.2026 08:15 |
Infineon und LS ELECTRIC entwickeln gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom-Infrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren |
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– Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit stehen Stromwandlungslösungen für Energiespeicher, Solid-State-Transformer und Solid-State-Circuit Breaker
– Die Halbleiter von Infineon tragen dazu bei, Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit von Gleichstrom-Infrastruktursystemen zu verbessern
Seoul, Korea, 13. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG und LS ELECTRIC haben eine Absichtserklärung (Memorandum of Understanding, MoU) unterzeichnet, um gemeinsam hocheffiziente Gleichstrom (DC)-Energieinfrastrukturlösungen für KI-Rechenzentren und Stromnetze der nächsten Generation zu entwickeln. |
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| 08.07.2026 10:15 |
Infineon liefert SiC-Technologie an ADVANTICS und steigert Effizienz von Stromrichtern für Megawatt-Ladesysteme |
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München, 8. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG liefert CoolSiC™-MOSFETs 1200 V und die dazu passenden zweikanaligen EiceDRIVER™ 2EDB9259Y Gate-Treiber an ADVANTICS, einen Technologieführer im Bereich Siliziumkarbid (SiC)-Leistungselektronik und fortschrittlicher Steuerungssysteme. Die Bauteile kommen in der neuen Generation der flüssigkeitsgekühlten Stromrichter von ADVANTICS zum Einsatz. Die Lösungen verbessern den Wirkungsgrad, die Leistungsdichte und die Zuverlässigkeit in Anwendungen wie Megawatt-Ladesystemen für Schwerlastfahrzeuge und Schiffe sowie in Energiespeichersystemen und Gleichstrom-Mikronetzen für Rechenzentren. Die Zusammenarbeit adressiert den Bedarf an schnelleren Ladesystemen, einer robusten Netzinfrastruktur und einer effizienteren Stromumwandlung. |
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| 07.07.2026 10:15 |
Neue Sicherheitslösung SECORA™ ID Key S USB von Infineon unterstützt FIDO2 und PKI für gesicherten logischen Zugriff |
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München, Deutschland – 07. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG bringt SECORA™ ID Key S USB auf den Markt, eine auf Java Card™ basierende Lösung mit USB- und NFC-Konnektivität für gesicherte Authentifizierung und digitale Signaturen. Als erste für FIDO Level 3+ zertifizierte und CTAP 2.1-konforme Lösung ermöglicht der Authentifikator eine phishing-resistente, passwortlose Authentifizierung sowie Schutz vor aus der Ferne durchgeführten Softwareangriffen und lokalen Hardwareangriffen. Er umfasst vorinstallierte Applets für FIDO-Authentifizierung, die Erstellung qualifizierter digitaler Signaturen sowie PKI-Funktionen und bietet zugleich umfassende Anpassungsoptionen. Auf Basis der innovativen Single System in Package Hardwareplattform ID Key S USB von Infineon in Kombination mit einer offenen Java Card-Umgebung bietet die End-to-End-Lösung maximale Flexibilität und ermöglicht es Kunden, proprietäre Applets zu entwickeln, zu migrieren und bereitzustellen. Damit werden zusätzliche Anwendungsfälle wie physische Zutrittskontrolle, Krypto-Wallets und Software-Rechtemanagement unterstützt, die den Anforderungen von Unternehmen, Finanzinstituten und staatlichen Stellen gerecht werden. |
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| 07.07.2026 07:00 |
Entscheidung der US International Trade Commission bestätigt, patentverletzende GaN-Produkte von Innoscience vom US-Markt verbannt |
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München, Deutschland – 07.07.2026 – Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten werden. |
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| 03.07.2026 15:30 |
Infineon gewinnt erneut Patentverletzungsverfahren gegen Innoscience |
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München – 03.07.2026 – Das Landgericht München I hat heute in einem weiteren Patentverletzungsverfahren zwischen Infineon Technologies und Innoscience im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie zugunsten von Infineon entschieden. |
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| 02.07.2026 13:15 |
Impuls für Deutschland, Europa und die Welt: Infineon eröffnet in Dresden die weltweit größte Fabrik für Leistungshalbleiter und Analog/ Mixed-Signal-Technologien |
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Dresden, 02. Juli 2026 – Die Infineon Technologies AG hat mehrere Monate vor dem Zeitplan die Smart Power Fab in Dresden eröffnet. Das neue Werk ist mit einem Investitionsvolumen von fünf Milliarden Euro die größte Einzelinvestition in der Geschichte von Infineon und eines der größten Investitionsprojekte in Deutschland. Es schafft 1.000 neue, direkte Arbeitsplätze. Mit der neuen Fabrik verdoppelt Infineon seine Produktionskapazitäten am Standort Dresden und schafft damit die weltweit größte Fabrik für intelligente Leistungshalbleiter und Analog/ Mixed-Signal-Technologien. |
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