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Infineon Technologies (24.11.2014 11:15)
Höhere diskrete Leistung: Infineon bringt neues TO-247PLUS-Gehäuse auf den Markt, das Stromstärken von bis zu 120 A ermöglicht

München, 24. November 2014 – Die Infineon Technologies AG erweitert das Portfolio für diskrete IGBT für Hochleistungsanwendungen um das TO-247PLUS-Gehäuse. Dieses neue Gehäuse ermöglicht die gemeinsame Verwendung eines 120 A IGBTs und einer Diode mit voller Nennleistung. Trotz der erhöhten Stromstärke...
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Erfolgreicher dritter Technologietag – productware demonstrierte wirtschaftliche Test- und Fertigungsverfahren zur Sicherung der Produktqualität
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Cert-Kit von Embedded Office vereinfacht normenkonforme Entwicklung sicherheitskritischer industrieller Anwendungen mit Altera-FPGAs
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IPETRONIK bietet kompaktes Hochvolt-Thermomodul zur sicheren Temperaturmessung an Hybrid- und Elektrofahrzeugen
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IAR Systems stärkt Debugging-Angebot mit neuer Echtzeit-Trace-Probe
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Infineon macht Smart Wearables sicher: liefert NFC-Sicherheitselement für neue „Sharkey“ Smartwatch und Armband von Watchdata
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Sicherer NFC/RFID Tag Authenticator mit Energy Harvesting schützt den Transfer sensibler Daten zwischen Master- und Slave-Einheiten
» Infineon Technologies (04.11.2014 10:15)
Neues TO-247 4-Gehäuse mit Kelvin-Sense für diskrete IGBTs – Infineon definiert den Grad an Schaltverlust und Leistungsdichte neu
 
 
 
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