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Presse-Informationen 1 bis 6 von 871
21.09.2017 14:55 Infineon Technologies verkauft Produktionsstandort Newport an Neptune 6 Ltd.
München, Deutschland, und Newport, Vereinigtes Königreich – 21. September 2017 – Die Infineon Technologies AG und das Privatunternehmen Neptune 6 Ltd. haben einen Vertrag zum Verkauf des Produktionsstandorts Newport (IR Newport Ltd.) geschlossen. Der Abschluss der Transaktion und die Übergabe des ...
07.09.2017 17:00 Infineon setzt auf sprachgesteuerte Mensch-Maschinen-Interaktion durch strategisches Investment bei XMOS
München, Deutschland, und Bristol, Großbritannien - 7. September 2017 - Auto, Wohnung, Fabrik oder Endgerät - alles wird zunehmend mit dem Internet verbunden: In drei Jahren werden 30 Milliarden Geräte zum Internet der Dinge (auch „Internet of Things“ oder IoT) gehören. ...
22.08.2017 10:15 CoolMOS™ P7 im SOT-223-Gehäuse kombiniert gute Leistung und Benutzerfreundlichkeit mit einer kostengünstigen Gehäuse-Lösung
München, 22. August 2017 - Die Infineon Technologies AG erweitert die kürzlich vorgestellte CoolMOS™ P7-Familie um ein SOT-223-Gehäuse. Der Baustein gleicht bei der Grundfläche dem DPAK-Gehäuse und ersetzt diese Bauform eins-zu-eins. ...
01.08.2017 07:45 Umsatzanstieg getrieben durch Industrieanwendungen und Stromversorgungen. Automotive-Geschäft wegen zunehmendem Halbleiteranteil im Fahrzeug weiterhin auf hohem Niveau
Neubiberg, 1. August 2017 - Die Infineon Technologies AG gibt heute das Ergebnis für das am 30. Juni 2017 abgelaufene dritte Quartal des Geschäftsjahres 2017 bekannt. ...
25.07.2017 12:00 OptiMOS™ Linear FET kombiniert niedrigen RDS(on)  mit großem sicheren Arbeitsbereich
München, 25. Juli 2017 – Die Infineon Technologies AG legt die OptiMOS™-Linear-FET-Serie auf. Die neue Produktfamilie kombiniert den bestmöglichen Durchlasswiderstand (RDS(on)) eines Trench-MOSFETs mit dem breiten sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area, SOA) eines planaren MOSFETs. Dies ...
25.07.2017 09:00 Infineon bietet MEMS-Mikrofone im eigenen Gehäuse mit einem Signal-Rausch-Verhältnis von 70 dB
München, 25. Juli 2017 – Die Infineon Technologies AG liefert Silizium-Mikrofone ab sofort auch im Gehäuse. Damit erfüllt das Unternehmen die Nachfrage nach leistungsstarken, rauscharmen MEMS-Mikrofonen. Die analogen und digitalen Mikrofone basieren auf der Dual-Backplate-Technologie von Infineon, ...
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