Presse-Informationen 1 bis 6 von 1572
14.03.2024 10:15 Infineon-Partner Thistle Technologies integriert seine Verified-Boot-Technologie in Infineons OPTIGA™ Trust M Security Controller für verbesserte Gerätesicherheit
München und San Francisco, USA, 14. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat heute die Integration der Verified-Boot-Technologie von Thistle Technologies, einem Pionier für fortschrittliche Sicherheitslösungen für vernetzte Geräte, in ihren OPTIGA™ Trust M Security Controller bekannt gegeben. Der OPTIGA Trust M verfügt über Sicherheits-Hardware, die nach Common Criteria EAL6+ zertifiziert ist. Durch die Integration der Verified-Boot-Technologie können Entwickler*innen ihre Geräte auf einfache Weise gegen Firmware-Manipulationen schützen und die Integrität der Software-Lieferkette wahren. Das führt zu einer verbesserten Sicherheit für Anwender*innen, was besonders in Branchen mit hohen Sicherheitsanforderungen wie dem Gesundheitswesen, der Automobilindustrie und der Fertigung wichtig ist.
14.03.2024 08:30 Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung
München – 14. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria AG in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. und Innoscience America, Inc. sowie verbundene Unternehmen (im Folgenden: Innoscience) erhoben. Infineon macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung eines US-Patents geltend, das die von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie zum Gegenstand hat. Die Patentansprüche beziehen sich auf wesentliche Eigenschaften von GaN-Leistungshalbleitern und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der von Infineon entwickelten GaN-Bauelemente gewährleisten. Die Klage wurde beim Bezirksgericht im Northern District of California eingereicht.
13.03.2024 14:15 Infineon setzt mit OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs neue Maßstäbe für verbesserte Leistungsdichte und Effizienz
München, 13. März 2024 – Mit der Einführung der OptiMOS™ 6 200 V MOSFET-Produktfamilie ermöglicht die Infineon Technologies AG einen weiteren Entwicklungsschritt für elektrische Antriebe in puncto Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit. Das Portfolio wurde für eine optimale Leistung in Anwendungen wie E-Scootern, Elektrokleinfahrzeugen und E-Gabelstaplern entwickelt. Die Leitverluste und das Schaltverhalten der neuen MOSFET-Generation wurden verbessert. Letzteres reduziert die elektromagnetischen Emissionen (EME) und die Schaltverluste. Das wiederum bietet Vorteile für verschiedene Anwendungen, darunter Server, Telekommunikation, Energiespeichersysteme, Audio und Solar. Des Weiteren eignet sich die Kombination aus einer weiten Safe Operating Area (SOA) und einem branchenführenden Einschaltwiderstand perfekt für statische Schaltanwendungen wie Batteriemanagementsysteme. Mit der Einführung der neuen OptiMOS 6 200 V Produktfamilie setzt Infineon, zum Nutzen seiner Kunden, einen neuen Branchenstandard für Leistungsdichte, Effizienz und Systemzuverlässigkeit.
12.03.2024 10:15 Neue CoolSiC™ MOSFETs 2000 V von Infineon bieten höhere Leistungsdichte ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit
München, 12. März 2024 – Die Infineon Technologies AG hat die neuen CoolSiC™ MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse auf den Markt gebracht und begegnet damit der Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte, ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit zu machen, selbst unter anspruchsvollen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen. Die CoolSiC MOSFETs erlauben eine höhere Zwischenkreisspannung im System, sodass die Leistung gesteigert werden kann, ohne den Strom zu erhöhen. Es handelt sich um das erste diskrete Siliziumkarbid-Bauteil mit einer Durchbruchspannung von 2000 V auf dem Markt und ist in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einer Luftstrecke von 5,4 mm erhältlich. Mit ihren geringen Schaltverlusten eignen sich die Bauteile bestens für Solaranlagen (z.B. String-Wechselrichter) sowie für Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen.
05.03.2024 08:15 Infineon treibt Dekarbonisierung mit nächster Generation von Siliziumkarbid-Technologie (CoolSiC™ MOSFET G2) für Power-Systeme weiter voran
München, Deutschland – 5. März 2024 – Die Infineon Technologies AG schlägt ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung auf und stellt die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vor. Die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 verbessert die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermöglicht eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran.
01.03.2024 10:15 Infineon erweitert TRAVEO™ T2G MCU-Familie mit Grafiklösung der Qt Group für intelligente Rendering-Technologien
München, 1. März 2024 – Auf dem weltweit sehr wettbewerbsintensiven Halbleitermarkt streben Hersteller ständig nach kürzeren Markteinführungszeiten. Gleichzeitig steigt die Nachfrage nach hochauflösenden und flüssigen grafischen Darstellungen. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, arbeitet die Infineon Technologies AG strategisch mit der Qt Group zusammen, einem globalen Softwareunternehmen, das plattformübergreifende Lösungen für den gesamten Software-Entwicklungszyklus anbietet. So wird das schlanke und leistungsstarke Grafik-Framework von Qt auf die grafikfähigen TRAVEO™ T2G-Cluster-Mikrocontroller von Infineon übertragen. Die Zusammenarbeit stellt einen neuen Ansatz für die Entwicklung grafischer Benutzeroberflächen (GUI) dar.
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