ROHM erweitert 100-V-Dual-MOSFET-Serie mit niedrigem Einschaltwiderstand um fünf Modelle

Neue Dual-MOSFETs mit Abmessungen von 5,0 mm × 6,0 mm und 3,3 mm × 3,3 mm verringern Leistungsaufnahme und Abmessungen von Lüftermotoren in Kommunikations-Basisstationen und Industrieanlagen

Willich-Münchheide, 18. Oktober 2023 – ROHM hat die Dual-MOSFETs der Serien HP8KEx/HT8KEx (N-Kanal und N-Kanal) und HP8MEx (N-Kanal und P-Kanal) um fünf neue Modelle erweitert. Die Bauelemente integrieren zwei 100-V-Chips in einem einzigen Gehäuse und eignen sich ideal für die Ansteuerung von Lüftermotoren in Kommunikations-Basisstationen und Industrie-anlagen. (Bild 1) In den letzten Jahren wurde bei Kommunikations-Basisstationen und Industrieanlagen der Übergang zu höheren Spannungen von herkömmlichen 12/24-V-Systemen hin zu 48-V-Systemen vollzogen. Ziel ist es, durch niedrigere Ströme einen höheren Wirkungsgrad zu erreichen. In diesen Fällen müssen Schalt-MOSFETs eine Spannungsfestigkeit von 100 V aufweisen, um Spannungs-schwankungen auszugleichen, da in den Anwendungen auch 48-V-Strom-versorgungen in den Lüftermotoren zur Kühlung eingesetzt werden. Durch die Erhöhung der Durchbruchspannung steigt jedoch der Einschaltwiderstand (RDS(on)) (beide sind voneinander abhängig), wodurch der Wirkungsgrad sinkt. Daher ist es schwierig, gleichzeitig einen niedrigeren RDS(on) und eine höhere Durchbruchspannung zu erreichen. Um Platz zu sparen, werden außerdem zunehmend Dual-MOSFETs mit zwei Chips in einem Gehäuse verwendet, anstatt mehrerer einzelner MOSFETs, die normalerweise in Lüftermotoren zum Einsatz kommen. Vor diesem Hintergrund hat ROHM mit HP8KEx/HT8KEx (N-Kanal und N-Kanal) und HP8MEx (N-Kanal und P-Kanal) zwei neue MOSFET-Serien entwickelt, die N- und P-Kanal-MOSFET-Chips unter Verwendung der neuesten Prozesse kombinieren. Beide Produktreihen erreichen durch den Einsatz neuer Gehäuse mit rückseitiger Wärmeableitung und hervorragenden Wärmeableitungseigenschaften den branchenweit niedrigsten RDS(on). Dieser sinkt im Vergleich zu Standard-Dual-MOSFETs um bis zu 56 % (19,6 mΩ für den HSOP8 und 57,0 mΩ für den HSMT8 (N-Kanal und N-Kanal)) und trägt somit zu einem deutlich niedrigeren Stromverbrauch bei. Gleichzeitig ermöglicht die Kombination von zwei Chips in einem Gehäuse größere Platzeinsparungen, da die Fläche erheblich reduziert wird. Werden beispielsweise zwei Single-Chip-MOSFETs im TO-252-Gehäuse durch einen HSOP8 ersetzt, verringert sich der Platzbedarf um 77 %. ROHM wird auch in Zukunft seine Dual-MOSFET-Produktreihe weiter ausbauen und Modelle mit hoher Spannungsfestigkeit für den Einsatz in Industrieanlagen sowie geräuscharme Varianten entwickeln. Dies wird den Stromverbrauch und Platzbedarf in einer Vielzahl von Anwendungen reduzieren und dazu beitragen, gesellschaftliche Herausforderungen wie den Umweltschutz zu bewältigen. (Bild 2 + 3) Produktspektrum Dual-MOSFETs mit zwei N-Kanälen (Bild 4) Dual-MOSFETs mit N- und P-Kanal (Bild 5) *40 V, 60 V, 80 V und 150 V Produkte werden in die Produktpalette aufgenommen Anwendungsbeispiele - Lüftermotoren für Kommunikations-Basisstationen - Lüftermotoren für die Fabrikautomation und andere Industrieanlagen - Lüftermotoren für Server in Rechenzentren etc. (Bild 6 + 7) Kombination mit Vortreiber-IC für optimale Motoransteuerung Die Kombination dieser Produkte mit ROHMs bewährten Vortreiber-ICs für bürstenlose Einphasen-/3-Phasen-Motoren ermöglicht noch kleinere Motoren mit geringerem Verbrauch und leiserem Antrieb. Durch die umfassende Unterstützung bei der Entwicklung von Peripherieschaltungen, die die Dual-MOSFET-Serie mit Vortreiber-ICs kombinieren, kann ROHM seinen Kunden die besten Lösungen zur Motoransteuerung anbieten. Lösungsbeispiele mit 100V Dual MOSFETs - HT8KE5 (Dual-MOSFET mit zwei N-Kanälen) + BM64070MUV (Vortreiber-IC für bürstenlosen 3-Phasen-Motor) - HT8KE6 (Dual-MOSFET mit zwei N-Kanälen) + BM64300MUV (Vortreiber-IC für bürstenlosen 3-Phasen-Motor) und weitere Modelle Informationen zum Online-Verkauf Verfügbarkeit: Seit August 2023 Distributoren: Farnell, DigiKey und Mouser Die Produkte werden auch von anderen Online-Distributoren angeboten. Download neuer Produktspezifikationen für Motoren Spezifikationen für ROHMs Nieder-, Mittel- und Hochspannungs-MOSFETs, einschließlich neuer Produkte, können von der ROHM-Website heruntergeladen werden: https://www.rohm.com/new-product/middle-power Weitere Informationen gibt es auf der Website von ROHM https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2023-10-18_news_mosfet&defaultGroupId=false

Über ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31. März 2023 einen Umsatz von 507,8 Milliarden Yen (3,9 Milliarden US Dollar) erwirtschaftete und über 23.700 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, die von SiC-Dioden und MOSFETs, analogen ICs wie Gate-Treibern und Power-Management-ICs über Leistungstransistoren und Dioden bis hin zu passiven Bauelementen reicht. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Deutschland, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China. ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa). Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de