I nuovi IGBT ibridi di ROHM con diodo SiC integrato

Per perdite di potenza inferiori e un rapporto prezzo prestazione migliorato

Willich-Münchheide, Germania, 19 luglio 2021 – ROHM ha sviluppato la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR), composta da IGBT ibridi con diodo Schottky SiC da 650 V integrato. I dispositivi sono conformi allo standard AEC-Q101 per il settore automotive e sono ideali per applicazioni automotive ed industriali che gestiscono l'alta potenza, come convertitori di potenza per il settore fotovoltaico, OBC (on board chargers) e convertitori DC/DC usati sui veicoli elettrici e ibridi (xEV).
(fig. 1)

La serie RGWxx65C impiega i diodi Schottky SiC a basse perdite di ROHM come diodo di free wheeling dell'IGBT, che presenta un'energia di recupero pressoché nulla e di conseguenza una perdita di commutazione minima del diodo. Inoltre, dal momento che la corrente di recovery non deve essere gestita dall'IGBT all’accensione, la perdita di turn-on dell'IGBT viene significativamente ridotta. Entrambi gli effetti sommati danno come risultato una perdita inferiore fino del 67% rispetto agli IGBT con diodo convenzionale e fino al 24% rispetto ai MOSFET Super Junction (SJ MOSFET) quando vengono usati nei caricabatteria dei veicoli. Questo effetto fornisce un ottimo rapporto prezzo prestazioni contribuendo al contempo a diminuire il consumo di potenza nelle applicazioni industriali e automotive.

Recentemente gli sforzi globali volti alla riduzione del carico ambientale e al raggiungimento di una società a zero emissioni e decarbonizzata hanno stimolato la diffusione di veicoli elettrici e ibridi (xEV). Al contempo si sta assistendo alla diversificazione dei semiconduttori di potenza usati in diversi circuiti per inverter e convertitori dei veicoli, necessari per configurare sistemi più efficienti, nonché all'innovazione tecnologica sia dei dispositivi di potenza SiC a perdite ultra-basse (ad es. MOSFET SiC, SBD SiC) che dei dispositivi di potenza al silicio convenzionali (ad es. IGBT, MOSFET Super Junction).

Per fornire soluzioni di potenza efficaci per un'ampia gamma di applicazioni, ROHM si sta concentrando non solo sullo sviluppo di prodotti e tecnologia per dispositivi di potenza SiC, dove è leader del settore, ma anche per prodotti al silicio e circuiti integrati per driver.
(fig. 2)

Disponibilità: marzo 2021 (campioni), dicembre 2021 (produzione in massa)

Esempi applicativi

Linea di prodotti IGBT ibridi [serie RGWxx65C]
(fig. 3)
Oltre a questi nuovi IGBT ibridi, offriamo prodotti che utilizzano diodi FRD al silicio come il diodo di free wheeling, nonché Igbt senza diodo. Per maggiori informazioni cliccare sull'URL sottostante.
https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw

Materiali di supporto per la progettazione
Un'ampia gamma di dati di progettazione è disponibile anche sul sito Internet di ROHM, compresi i modelli di simulazione (SPICE) e le note applicative sulla progettazione dei circuiti di pilotaggio – necessari per l'integrazione e la valutazione a supporto di una progettazione rapida. Qui sono disponibili ulteriori informazioni:
https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?PS_BuiltInDiode=SiC-SBD

Informazioni su ROHM

ROHM Semiconductor è una società globale da 3,295 miliardi di US $ al 31 marzo 2021 e 22.370 dipendenti. La società sviluppa e produce una vastissima gamma di soluzioni comprendente diodi SiC e MOSFET, IC analogici quali gate driver e IC per la gestione della potenza, ma anche transistori e diodi di potenza e componenti passivi. Inoltre dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine e Cina, nei quali avviene la produzione dei suoi prodotti altamente performanti. LAPIS Technology (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal GmbH e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com/eu