ROHM présente un nouveau boîtier de MOSFET SiC 4 broches

La série SCT3xxx xR : une réduction des pertes de commutation jusqu’à 35 % plus basse par rapport aux boîtiers conventionnels, réduisant la consommation d’énergie de l’appareil

Willich-Münchheide, Allemagne, 08 octobre 2019 – ROHM a annoncé aujourd’hui la disponibilité de six nouveaux MOSFET SiC à structure de grille dite « trench » (650 V/1200 V), la série SCT3xxx xR-Serie, idéale pour la gestion des alimentations des serveurs, onduleurs, des onduleurs d’énergie solaire et des stations de recharge pour VE requérant une efficacité élevée. La série SCT3xxx xR fait appel à un boîtier 4 broches (TO-247-4L) maximisant les performances de commutation, permettant de réduire les pertes de commutation de jusqu’à 35 % par rapport aux types de boîtiers conventionnels à 3 broches (TO-247N). Cela contribue à réduire la consommation d’énergie dans de nombreuses applications. Ces dernières années, les besoins croissants de services de cloud dus à la prolifération de l’IA et de l’IoT ont accru la demande de centres de données dans le monde entier. Mais pour les serveurs utilisés dans les centres de données, un défi majeur est de savoir comment réduire la consommation d’énergie à mesure que la capacité et les performances augmentent. Dans le même temps, les composants SiC attirent l’attention en raison de leur meilleur efficacité et les faibles pertes par rapport aux appareils grand public utilisant des composants silicium dans les circuits de conversion d’énergie des serveurs. De plus, comme le boîtier TO-247-4L permet de réduire les pertes de commutation par rapport aux boîtiers conventionnels, il devrait être adopté dans les applications à haut rendement telles que les serveurs, les stations de base et la production d’énergie solaire. En 2015 ROHM, est devenue le premier fournisseur à réussir la production en masse de MOSFET SiC de type  « Trench », et continue à être le leader de l’industrie dans le développement de ce type de technologie . En plus de ces derniers MOSFET SiC 650 V/1200 V hautes performances, nous nous engageons à développer des appareils innovants et à proposer des solutions qui contribuent à réduire la consommation d’énergie de nombreux appareils, y compris des circuits intégrés de commande de de grille (Gate Driver) optimisés pour la commande SiC. ROHM propose aussi des solutions qui facilitent l’évaluation d’application, incluant une carte d’évaluation de MOSFET SiC, P02SCT3040KR-EVK-001, équipée d’un circuit intégré de commande de grille (BM6101FV-C) ainsi que de multiples circuits intégrés d’alimentation et des composants discrets optimisés pour la commande d’appareils SiC. Fonctions clés Boîtier 4 broches (TO-247-4L) réduisant la perte de commutation de jusqu’à 35 % Avec des boîtiers conventionnels 3 broches (TO-247N), la tension effective de grille sur la puce diminue en raison de la chute de tension sur l’inductance parasite de la borne source. Cela entraîne une réduction de la vitesse de commutation. L’adoption du boîtier 4 broches TO-247-4L sépare le driver et les broches de source de courant, minimisant les effets de la composante d’inductance parasite. Cela permet de maximiser la vitesse de commutation des MOSFET SiC, réduisant la perte totale de commutation (mise sur MARCHE et mise sur ARRÊT) jusqu’à 35% par rapport au boîtier conventionnel. Gamme La série SCT3xxx xR se compose de MOSFET SiC utilisant une structure de grille  « Trench ». Six modèles sont proposés, avec une tension de rupture de 650 V (3 produits) ou 1200 V (3 produits). (voir tableau) Applications Onduleurs, onduleurs d’énergie solaire, systèmes de stockage d’énergie, stations de recharge pour VE, alimentation électrique pour les fermes de serveurs et les stations de base, etc. Disponibilité : maintenant Carte d’évaluation La carte d’évaluation de MOSFET SiC de ROHM (P02SCT3040KR-EVK-001) est équipée de notre circuit intégré de commande de grille (BM6101FV-C) optimisé pour piloter des appareils SiC avec de multiples circuits intégrés d’alimentation et des composants discrets supplémentaires qui facilitent l’évaluation et le développement des applications. La compatibilité avec les types de boîtiers TO-247-4L et TO-247N permet d’évaluer les deux boîtiers dans les mêmes conditions. La carte peut être utilisée pour les tests à double impulsion ainsi que pour l’évaluation de composants dans les circuits boost, les onduleurs à 2 niveaux et les circuits synchrones buck de redressement. N° de pièce de carte d’évaluation : P02SCT3040KR-EVK-001 Page d’assistance : https://www.rohm.com/power-device-support Configuration de carte d’évaluation (voir figure)

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant un revenu de 398.989 millions de yens (3,652 milliards de dollars américains) et employant 22 899 salariés au 31 mars 2019. ROHM Semiconductor développe et fabrique une vaste gamme de produits allant du microcontrôleur ultra faible puissance, de la gestion de l'énergie, des circuits intégrés standard, des diodes SiC, des MOSFET et modules, des transistors de puissance et diodes, des LED, à des composants passifs tels les résistances, condensateurs au tantale et écrans LED mais également des têtes d'impression thermiques dans les usines de pointe au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines, en Chine et en Europe. LAPIS Semiconductor (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal AG et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf au service de la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, visitez le site www.rohm.com/eu