I nuovi MOSFET ultracompatti per il settore automotive di ROHM forniscono un'affidabilità di montaggio superiore

La nuova serie RV4xxx consente una maggiore miniaturizzazione in dispositivi automotive come le telecamere ADAS

Willich-Münchheide, Germania, 24 luglio 2019 – ROHM ha annunciato oggi lo sviluppo di MOSFET ultracompatti di dimensioni pari a 1,6x1,6 mm, in grado di fornire un'affidabilità di montaggio superiore. La serie RV4xxx è qualificata AEC-Q101 ed assicura affidabilità e performance idonee al settore automotive anche in condizioni estreme. L'originale tecnologia di lavorazione del package utilizzata da ROHM consente la miniaturizzazione di componenti automotive, come i moduli per le telecamere ADAS, che richiedono standard qualitativi molto elevati. Negli ultimi anni il numero sempre maggiore di sistemi di sicurezza e comfort presenti sui veicoli, come le telecamere ADAS, ha reso sempre più attuale la sfida rappresentata dallo spazio ridotto disponibile per il posizionamento di questi sistemi, facendo crescere la domanda di componenti più piccoli. Per rispondere a questa esigenza, stanno attirando un'attenzione sempre maggiore i MOSFET con elettrodo inferiore detti “bottom electrode” che possono essere miniaturizzati pur mantenendo una corrente elevata. Tuttavia, per le applicazioni automotive viene eseguita un'ispezione ottica durante il processo di assemblaggio al fine di garantire la qualità richiesta, ma nel caso dei componenti con elettrodo inferiore (bottom electrode) non è possibile controllare l'altezza di saldatura dopo il montaggio, rendendo così difficile confermare le condizioni di montaggio. ROHM vanta una lunga esperienza nello sviluppo e nell'introduzione sul mercato di nuovi prodotti che rispondono ai trend di mercato, esperienza che è risultata determinante anche nel caso dei nuovi MOSFET ultracompatti. Questa volta ROHM è stata la prima del settore a garantire l'altezza dell'elettrodo lateralmente al package (130 µm) richiesta per applicazioni su veicoli utilizzando l'originale tecnologia Wettable Flank. Il risultato è una qualità di saldatura costante, anche per i prodotti con elettrodo inferiore (bottom electrode), che permette alle macchine di ispezione automatica di verificare agevolmente le condizioni della saldatura dopo il montaggio. ROHM dedica i propri sforzi allo sviluppo di prodotti compatti che sfruttino questa tecnologia, compresi transistor bipolari e diodi, consentendoci di allargare il nostro già ampio portafoglio prodotti e di ottenere un'ulteriore miniaturizzazione offrendo al contempo una maggiore affidabilità. Caratteristiche fondamentali 1. La tecnologia Wettable Flank proprietaria garantisceun'altezza dell'elettrodo lateralmente al package di 130 µm La tecnologia Wettable Flank di ROHM prevede un taglio nel lead frame lateralmente al package prima del rivestimento. Tuttavia, le sbavature dovute al taglio nel lead frame possono verificarsi più di frequente man mano che l'altezza del taglio aumenta. Per ovviare a questo problema ROHM ha sviluppato un metodo unico che introduce uno strato con funzione di barriera sull'intera superficie del lead frame al fine di ridurre al minimo il verificarsi di sbavature. Questo non solo evita il sollevamento del componente e difetti di saldatura durante il montaggio, ma consente all'azienda di essere la prima sul mercato a garantire un'altezza dell'elettrodo di 130 µm lateralmente ai package DFN1616 (1,6x1,6 mm). 2. I MOSFET compatti con elettrodo inferiore riducono l'area di montaggio Fino a poco tempo fa i diodi a barriera Schottky (SBD) venivano comunemente utilizzati nei circuiti di protezione contro l'inversione della polarità dei moduli per le telecamere ADAS. Ma a causa delle correnti più elevate richieste dalle telecamere ad alta risoluzione nei sistemi avanzati presenti sui veicoli, gli SBD stanno sempre più lasciando il posto a MOSFET compatti che forniscono una bassa resistenza di ON e una generazione di calore inferiore. Ad esempio, a fronte di un consumo di corrente e di energia rispettivamente di 2,0 A e 0,6 W, i MOSFET convenzionali per il settore automotive riescono a ridurre l'area di montaggio del 30% rispetto agli SBD. Tuttavia, ricorrendo a MOSFET con elettrodo inferiore (bottom electrode) in grado di fornire un'eccellente dissipazione del calore sopportando comunque correnti elevate in un package ancora più compatto, è possibile ridurre l'area di montaggio addirittura del 78% rispetto agli SBD convenzionali e del 68% rispetto ai MOSFET convenzionali. Linea (vedi tabella) Disponibilità: Immediata (campioni), settembre 2019 (quantità per OEM) Terminologia Automated Optical Inspection (AOI, ispezione ottica automatizzata) L'AOI prevede la scansione di circuiti stampati con una telecamera per individuare l'eventuale mancanza di componenti o la presenza di difetti qualitativi. Tecnologia Wettable Flank Una tecnica che prevede l'esecuzione di un taglio nel lead frame lateralmente ai package con elettrodo inferiore quali QFN e DFN prima del rivestimento.

Informazioni su ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor è una società presente a livello globale da 398.989 milioni di yen (3,652 miliardi di US $ al 31 marzo 2019) e 22.899 dipendenti. ROHM Semiconductor sviluppa e produce una vasta gamma di soluzioni tra cui microcontrollori a bassissima potenza; standard IC per Power Management; transistor e diodi di potenza, diodi, MOSFET e moduli SiC; LED e componenti passivi come resistenze, condensatori al tantalio e LED; testine di stampa termiche. La società dispone di impianti di produzione all'avanguardia in Giappone, Corea, Malaysia, Tailandia, Filippine, Cina e Europa. LAPIS Semiconductor (in precedenza OKI Semiconductor), SiCrystal AG e Kionix sono società del gruppo ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe ha sede nei pressi di Düsseldorf. Da qui serve la regione EMEA (Europa, Medio Oriente e Africa). Per ulteriori informazioni contattare www.rohm.com/eu