De nouveaux MOSFET ultracompacts de qualité automobile de ROHM fournissent une fiabilité supérieure

La nouvelle série RV4xxx permet une miniaturisation plus grande dans les appareils automobiles comme les modules de caméra pour l’ADAS

Willich-Münchheide, Allemagne, 26 juillet 2019 –ROHM a annoncé aujourd’hui le développement de MOSFET de taille ultracompacte 1,6 x 1,6 mm fournissant une fiabilité de montage supérieure. La série RV4xxx est qualifiée AEC-Q101, assurant une fiabilité et des performances de qualité automobile dans des conditions extrêmes. La technologie originale de ROHM de traitement de boîtier permet la miniaturisation de composants automobiles, comme les modules de caméra ADAS exigeant une qualité élevée. Ces dernières années, le nombre croissant de systèmes de sécurité et de confort des véhicules comme les caméras ADAS a mis en exergue le défi de l’espace limité pour s’adapter à ces systèmes et stimuler la demande pour des composants plus petits. Pour répondre à ce besoin, des MOSFET à électrode de fond pouvant être miniaturisées tout en maintenant un courant élevé attirent de plus en plus l’attention. Cependant, pour les applications automobiles, l’inspection optique est effectuée pendant le processus d’assemblage pour assurer la qualité, mais dans le cas des composants à électrode de fond, la hauteur de soudure ne peut pas être vérifiée après le montage, ce qui complique la confirmation des conditions de montage. ROHM a fait ses preuves dans le développement et l’introduction de nouveaux produits en avance sur les tendances du marché, et tel est le cas avec les nouveaux MOSFET ultracompacts. Cette fois, ROHM est devenu le premier de l’industrie à assurer la hauteur d’électrode sur le côté du boîtier (130 µm) requise pour les applications de véhicules en utilisant la technologie originale de formation de flanc mouillable (Wettable Flank). Il en résulte une qualité de soudure consistante, y compris pour les produits à électrode de fond, permettant aux machines d’inspection automatique de vérifier facilement l’état de la soudure après le montage. ROHM s’engage à développer des produits compacts mettant en œuvre cette technologie, y compris les transistors bipolaires et les diodes, nous permettant d’étendre notre vaste gamme de produits et de parvenir à une plus grande miniaturisation tout en fournissant une fiabilité plus élevée. Fonctions clés 1. Une technologie propriétaire de flanc mouillable (Wettable Flank) garantit une hauteur d’électrode de 130 µm sur le côté du boîtier La technologie de formation de flanc mouillable (Wettable Flank) de ROHM implique de faire une réduction dans la grille de connexion sur le côté du boîtier avant le revêtement. Cependant, des bavures résultant de la coupe dans la grille de connexion peuvent se produire plus fréquemment car la hauteur de la réduction augmente. Pour contrer cet effet, ROHM a développé une méthode unique introduisant une couche de barrière sur toute la surface de la grille de connexion afin de minimiser la formation de bavures. Cela permet non seulement d’éviter la montée des composants et les défauts de soudure lors du montage, mais c’est aussi la première méthode du marché à assurer une hauteur d’électrode de 130 µm sur le côté des boîtiers DFN1616 (1,6 x 1,6 mm). 2. Des MOSFET compactes à électrode de fond réduisent la surface de montage Jusqu’à récemment, les diodes à barrière Schottky (SBD) étaient communément utilisées dans les circuits de protection contre l’inversion de connexion des modules de caméra ADAS. Mais en raison des courants plus élevés requis par les caméras haute résolution dans les systèmes de véhicules avancés, les SBD sont de plus en plus remplacés par des MOSFET compacts fournissant une faible résistance à la mise sous tension et moins de génération de chaleur. Par exemple, pour une consommation de courant et de puissance de respectivement 2,0 A et 0,6 W les MOSFET automobiles conventionnels peuvent réduire la zone de montage de 30 % par rapport aux SBD. Cependant, l’adoption de MOSFET à électrode de fond capables de fournir une excellente dissipation de chaleur tout en supportant de grands courants dans un facteur de forme encore plus petit permet de diminuer la surface de montage de jusqu’à 78 % par rapport aux SBD conventionnels et de jusqu’à 68 % par rapport aux MOSFET conventionnels. Gamme (voir le tableau) Disponibilité : maintenant (échantillons), septembre 2019 (quantités OEM) Terminologie Inspection optique automatisée (AOI) L’AOI consiste à scanner les cartes avec une caméra à la recherche de composants manquants ou de défauts de qualité. Technologie de flanc mouillable (Wettable Flank) Une technique qui opère une réduction dans la grille de connexion sur le côté des boîtiers d’électrodes de fond tels que QFN et DFN avant le revêtement.

À propos de ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor est une entreprise mondiale affichant un revenu de 398.989 millions de yens (3,652 milliards de dollars américains) et employant 22 899 salariés au 31 mars 2019. ROHM Semiconductor développe et fabrique une vaste gamme de produits allant du microcontrôleur ultra faible puissance, gestion de l'énergie, circuits intégrés standard, diodes SiC, MOSFET et modules, transistors de puissance et diodes, LED, à des composants passifs tels les résistances, condensateurs au tantale et des à LED et également des têtes d'impression thermiques dans les usines de pointe au Japon, en Corée, en Malaisie, en Thaïlande, aux Philippines, en Chine et en Europe. LAPIS Semiconductor (anciennement OKI Semiconductor), SiCrystal AG et Kionix sont des sociétés du Groupe ROHM Semiconductor. ROHM Semiconductor Europe a son siège social près de Düsseldorf au service de la région EMEA (Europe, Moyen-Orient et Afrique). Pour plus d’informations, visitez le site  www.rohm.com/eu