ROHMs 650-V-IGBTs mit höchster Effizienz und sanftem Schaltverhalten sind jetzt verfügbar
Willich-Münchheide, 05. Juni 2018 – ROHM kündigt die Verfügbarkeit von zwei neuen 650-V-IGBT Serien an, die niedrigste Leistungsverluste mit schnellen Schaltcharakteristiken verbinden. Die Bausteine eignen sich für die Leistungsumwandlung in Wechselrichtern und anderen Stromstellern. Anwendungsfelder sind zum Beispiel Konsumgüteranwendungen wie Klimaanlagen und Induktionsheizgeräten, aber auch industrielle Geräte wie Power-Conditioner, Schweißmaschinen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). ROHM bietet insgesamt 21 IGBT-Modelle an, bestehend aus der RGTV-Serie mit einer Kurzschlusstoleranz von 2 µs und der RGW-Serie die zur Realisierung schneller Schaltgeschwindigkeiten optimiert ist.

In den letzten Jahren haben zahlreiche IoT-Anwendungen für exponentielles Wachstum beim generierten Datenvolumen gesorgt und damit funktionale Verbesserungen und Kapazitätserweiterung in den Rechenzentren notwendig gemacht. Da jedoch die Anzahl der Server und USVs, die für einen stabilen Betrieb der Hauptstromversorgung unerlässlich sind, weiter steigt, wird eine Reduzierung der Leistungsaufnahme immer schwieriger. In Hochleistungsanwendungen mit IGBTs muss außerdem die Zuverlässigkeit sichergestellt werden. Diese wird durch einfache Maßnahmen gegen das Überschwingen beim Schalten aufrechterhalten denn dieses Überschwingen kann zu einem Ausfall oder einer Fehlfunktion führen.

Als Reaktion darauf entwickelte ROHM IGBTs mit einer erstklassigen Performance, die das Verhältnis zwischen Leistungsverlust und Schaltgeschwindigkeit maximieren. Die beiden neuen IGBTs basieren auf einer Dünn-Wafer-Technologie mit einer im Vergleich zu herkömmlichen Produkten um 15 Prozent reduzierten Wafer-Dicke sowie auf einer speziellen Struktur mit verfeinertem Zelldesign, das niedrigste Leitungsverluste (VCE(sat) = 1,5V) mit schnellen Schaltcharakteristiken (tf = 30 bis 40 ns) kombiniert.

Beim Einsatz einer verschachtelten PFC-Schaltung verbessert sich beispielsweise die Effizienz bei geringen Lasten um 1,2 Prozent und bei hohen Lasten um 0,3 Prozent, was die Leistungsaufnahme von Anwendungen verringert. Durch die Optimierung des internen Designs konnte ROHM ein sanftes Schaltverhalten für reibungslosen Ein/Aus-Betrieb realisieren. Das Überschwingen der Spannung beim Schalten gegenüber herkömmlichen Produkten wird daher um bis zu 50 Prozent verringert. Dies wiederum reduziert die Anzahl der benötigten externen Bauteile wie Gate-Widerstände und Snubber-Schaltungen zur Steuerung des Überschwingens. Die IGBTs von ROHM benötigen auf der Applikationsseite keine Gegenmaßnahmen mehr gegen das Überschwingen und minimieren so den Designaufwand.

Produktspektrum

Mit zwei neuen Modellen – der RGTV-Serie mit einer Kurzschlussfestigkeit von 2 µs und der schnell schaltenden RGW-Serie – wird ein breiteres Anwendungsspektrum unterstützt. Die 650-V-IGBTs umfassen in der RGTV-Serie Typen für 30, 50 und 80 A und in der RGW-Serie Ausführungen für 30, 40 und 50 A. Zur Auswahl stehen die beiden Gehäusebauarten TO-247N und TO-3PFM. Beide Serien sind wahlweise in einer Version mit einer im Package integrierten sehr schnellen FRD zur Optimierung der Effizienz verfügbar. Für Anwendungen in denen eine anti-parallele Diode nicht benötigt wird stehen Versionen ohne FRD zur Verfügung.

Verfügbarkeit

Die neuen IGBTs sind ab sofort in Muster- und OEM-Stückzahlen erhältlich.
Über ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2018 einen Umsatz von rund 3,65 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 23.120 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China.
Lapis Semiconductor, SiCrystal AG, Kionix und Powervation Ltd. gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an.
ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa).
Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de
 
 
 
» ROHM Semiconductor
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Datum: 05.06.2018 10:00
Nummer: IGBT DE
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