Il gate driver isolato per Silicon Carbide di Maxim offre un’efficienza energetica ai vertici della classe e aumenta l’affidabilità del sistema
MAX22701E riduce le perdite energetiche complessive del 30 percento e migliora il tempo di attività del sistema con prestazioni CMTI fino a 3 volte maggiori
MONACO DI BAVIERA, Germania – 19 Dicembre, 2019 – Con il gate driver isolato MAX22701E di Maxim Integrated Products, Inc. (NASDAQ: MXIM), i progettisti di alimentazioni per sistemi ad alta tensione/alta potenza possono migliorare l’efficienza energetica fino a 4 punti percentuali rispetto alle relative soluzioni disponibili sul mercato, che si traduce approssimativamente in un 30 percento di perdite di potenza in meno e in un ingombro inferiore del 30 percento. Il driver è destinato all'uso in alimentatori a commutazione all'interno di sistemi di comunicazione industriale come inverter per energia solare, azionamenti di motori, auto elettriche, sistemi di accumulo di energia, alimentatori ininterrotti, data farm e alimentatori ad alta potenza/alta efficienza.

Molte applicazioni di alimentazione a commutazione stanno adottando transistor a banda larga al carburo di silicio (SiC) per migliorare l'efficienza energetica e l'affidabilità dei transistor. Tuttavia, l'elevata frequenza di commutazione comporta transitori che generano rumore, che o interrompe le operazioni o richiede una estesa mitigazione. Il MAX22701E presenta la più elevata immunità ai transitori di modo comune (CMTI) del settore pari ad un valore tipico di 300 kV/µs per offrire affidabilità ai vertici del settore. CMTI è fino a 3 volte superiore rispetto al concorrente più vicino, che si traduce in un maggiore tempo di attività del sistema. Con specifiche di propagazione dei driver ai vertici della categoria (tipicamente 35ns che corrisponde ad un ritardo di propagazione 2 volte inferiore rispetto al concorrente più vicino), e matching del ritardo di propagazione tra i gate driver di high-side e low-side (massimo 5ns che è 5 volte inferiore rispetto al più vicino concorrente) che aiuta a ridurre i tempi morti del transistor. Questo, a sua volta, migliora l'efficienza energetica fino a 4 punti percentuali. Nell'intervallo di efficienza del 90 percento, ogni punto percentuale di efficienza comporta un miglioramento di circa il 10 percento nella perdita di potenza. Ad esempio, il miglioramento dell'efficienza dal 90 al 94 percento comporta una riduzione di circa il 30-40 percento della potenza sprecata (6 contro 10 punti di potenza sprecata). Il MAX22701E è disponibile in un contenitore SOIC a passo stretto da 8-pin (3,90mm x 4,90mm) testato nell’intervallo di temperatura da -40 a + 125 gradi Celsius.

Vantaggi chiave
  • Perdita energetica ridotta: il matching del ritardo di propagazione part-to-part 5 volte inferiore (massimo 5ns) riduce significativamente i tempi morti e le perdite di energia.
  • Uptime incrementato: CMTI fino a 3 volte maggiore (300kV/µs tipici) minimizza ampi transitori di modo comune tra l’ingresso e l’uscita per aumentare i tempi di attività in ambienti rumorosi.
Commento

"Poiché i nostri clienti adottano la tecnologia SiC per fornire sistemi di alimentazione più piccoli e più efficienti, noi garantiamo la massima efficienza con tempi di attività del sistema maggiori," dice Timothy Leung, direttore, Industrial and Healthcare Business Unit presso Maxim Integrated.

Disponibilità e prezzi
  • Il MAX22701E è disponibile sul sito web di Maxim per 1.69 dollari (fino a 1000, FOB USA); disponibile anche presso i distributori autorizzati.
  • Il kit di valutazione MAX22701EVKIT# è disponibile per 44 dollari.
Ulteriori informazioni
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Date: 19.12.2019 10:50
Number: PR 23/19
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