EiceDRIVER: 1EDN7550 und 1EDN8550 von Infineon lösen Ground-Shift-Probleme in SMPS
München – 12. September 2018 - Jedes Mal, wenn ein Leistungs-MOSFET in einem Schaltnetzteil (Switched-Mode Power Supply, SMPS) ein- oder ausgeschaltet wird, verursachen parasitäre Induktivitäten ein Ground Shift. Dies kann zu unkontrollierten Schaltvorgängen von Gate-Treiber-ICs führen. Im Extremfall resultieren hieraus elektrische Überlastung von Leistungs-MOSFETs und Funktionsausfälle der SMPS. Zur Lösung dieses Problems bietet die Infineon Technologies AG die 1-Kanal Low-Side-Gate-Treiber ICs 1EDN7550 und 1EDN8550 an. Beide zur EiceDRIVER™-Familie gehörende Gate-Treiber, haben echte differenzielle Steuerungseingänge und können somit effektiv Fehlauslösungen von Leistungs-MOSFETs verhindern. 1EDN7550 und 1EDN8550 finden Einsatz in Industrie-, Server- und Telekom- SMPS sowie Anwendungen im Bereich drahtloses Laden, Telekom-DC-DC-Wandler und Elektrowerkzeugen.

Die EiceDRIVER 1EDN7550 und 1EDN8550 sind immun gegen statische Masseversätze von bis zu ± 70 V. Ein sicherer Betrieb ist bei dynamischen Masse-Versätzen von bis zu ± 150 V gewährleistet. All dies ist möglich, ohne Masseschleifen durchtrennen zu müssen. Da die Gate-Treiber ICs echt differenzielle Eingänge haben, ist ausschließlich die Spannungsdifferenz zwischen den beiden Eingängen für das Schaltverhalten des Gate-Driver ICs maßgeblich. Die 1EDNx550 EiceDRIVER sind ideal geeignet für die Ansteuerung von Power-MOSFETs mit Kelvin Source Kontakt. Diese Gate-Treiber ICs bieten eine mehr als ausreichende Robustheit gegen Masse-Verschiebungen auf Grund von parasitären Source-Induktivitäten des Power-MOSFETs. Im Vergleich mit galvanisch isolierten Gate-Treiber ICs, sind diese einkanaligen Low-Side-Gate-Treiber ICs platzsparender sowie kostengünstiger als traditionelle Lösungen.

Darüber hinaus ist die 1EDNx550 Familie eine kosteneffiziente Lösung für Anwendungen bei denen der Abstand zwischen einem Kontroll-IC (liefert die Steuerungssignale an den Gate-Treiber IC) und dem Gate-Treiber IC größer als ideal ist. Ursachen hierfür können Anforderungen an die Produktgestaltung, Entscheidungen bezüglich der gewählten Leiterplattentechnologien oder Daugther-Card-Konzepte sein. Diese Konstellationen haben gemein, dass parasitäre Masse-Induktivitäten ursächlich für Masse-Verschiebungen zwischen dem Kontroll-IC und dem Gate-Treiber IC sind. Die 1EDNx550 Familie löst diese Herausforderungen und verkürzt die Produkt-Entwicklungszeiten.

Die1EDNx550 Low-Side-Gate-Treiber Familie von Infineon ist in einem SOT-23 6-Pin Gehäuse erhältlich. Im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen ermöglicht sie höhere Leistungsdichte, verkürzte Produkt-Entwicklungsaufwände bei geringeren Kosten.

Verfügbarkeit

Die Bausteine der EiceDRIVER-Familie 1EDNx550 können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/TDI.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit etwa 37.500 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2017 (Ende September) einen Umsatz von rund 7,1 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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» Presse-Information
Datum: 12.09.2018 10:15
Nummer: INFPMM201809-081d
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