PCIM 2018: CoolGaN™ von Infineon eröffnet neue Möglichkeiten beim Strommanagement
München und Nürnberg – 5. Juni 2018 – Die entscheidenden Vorteile von Galliumnitrid (GaN) sind u. a. hohe Leistungsdichte, hervorragende Effizienz und reduzierte Systemkosten. Die Infineon Technologies AG nimmt bis Ende 2018 die Serienfertigung von CoolGaN™-Produkten auf. Entwicklungsmuster der besonders zuverlässigen GaN-Bauteile sind bereits jetzt erhältlich. Auf der PCIM 2018 stellt Infineon (Halle 9, Stand 412) CoolGaN-Produkte für Anwendungen im Bereich Telekommunikation, Adapter, kabelloses Laden und Server vor.

„Infineon ist weltweit führend bei Leistungshalbleitern. Wir sind überzeugt, dass Galliumnitrid der nächste Megatrend beim Strommanagement sein wird“, sagte Steffen Metzger, Leiter High Voltage Conversion bei Infineon. „Wir wollen für unsere Kunden beim Thema GaN Power zur ersten Wahl werden. Hierfür sind wir sehr gut aufgestellt. Der Markt für GaN hat inzwischen eine starke Dynamik entwickelt; die Vorteile dieser Technologie für bestimmte Anwendungen liegen auf der Hand. Angefangen bei sinkenden Betriebskosten und geringerem Investitionsaufwand über höhere Leistungsdichte, die kleinere und leichtere Designs ermöglicht, bis hin zu geringeren Gesamtkosten.”

CoolGaN von Infineon ist eine der zuverlässigsten GaN-Lösungen auf dem Markt und weltweit qualifiziert: Im Rahmen des Qualitätsmanagements wird nicht nur das Bauteil einzelnen Tests unterzogen, sondern auch das Verhalten in der jeweiligen Anwendung geprüft. Die Leistung von CoolGaN ist deutlich besser als andere GaN-Produkte auf dem Markt. Bei 100 ppm (parts per million) beträgt die voraussichtliche Lebensdauer rund 55 Jahre und übertrifft damit deutlich die übliche Lebensdauer der Bauteile um 40 Jahre. CoolGaN ermöglicht beispielsweise die Verdopplung der Stromabgabe im definierten Bauraum einer Stromversorgung. Das bietet sowohl mehr Freiraum für das Design als auch höhere Effizienz.

Verfügbarkeit

Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten. Das Bauteil wird in 400 V als Variante in 70 mΩ mit unterseitig gekühltem TO-Leadless-Gehäuse angeboten und als oberseitig gekühltes DSO-20-87 für die Oberflächenmontage. Die 600 V CoolGaN-Familie gibt es im oberseitig gekühlten DSO-20-87-Gehäuse und unterseitig gekühlten DSO-20-85. Abgerundet wird das CoolGaN-Portfolio bei der 600 V-Variante mit dem unterseitig gekühlten TO-Leadless- sowie dem DFN 8x8-Gehäuse. Diese beiden Gehäusevarianten sind neben 70 mΩ auch in der Widerstandklasse 190 mΩ erhältlich.

Weitere Informationen über CoolGaN von Infineon sind erhältlich unter www.infineon.com/gan.

Infineon auf der PCIM 2018

Auf der Fachmesse PCIM 2018 (Nürnberg, 5.-7. Juni 2018) zeigt Infineon zukunftsweisende Technologien für effiziente Systeme in Industrie-, Verbraucher- und Automobilanwendungen. Unter dem Motto „Empowering a world of unlimited energy“ werden die Demos von Infineon in Halle 9, Stand #412 ausgestellt. Weitere Informationen zu den Messe-Highlights von Infineon sind erhältlich unter: www.infineon.com/PCIM.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit etwa 37.500 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2017 (Ende September) einen Umsatz von rund 7,1 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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» Presse-Information
Datum: 05.06.2018 10:15
Nummer: INFPMM201806-059d
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Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.

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Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion, Infineon Technologies AG: „Infineon ist weltweit führend bei Leistungshalbleitern. Wir sind überzeugt, dass Galliumnitrid der nächste Megatrend beim Strommanagement sein wird.“
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