FMC beruft den ehemaligen Intel-Manager Daniel Artusi in den Vorstand
Dresden, 6. April 2021 – Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC), der Technologieführer für ferroelektrische Hafniumoxid-Speichertechnologie, hat heute die Berufung von Daniel Artusi in den Vorstand des Unternehmens bekannt gegeben.

Artusi hat über 40 Jahre Erfahrung in der Halbleiterindustrie. Zuletzt war er als Vice President in der Client Computing Group und als General Manager für den Bereich Connected Home bei der Intel Corporation tätig. Vor seiner Tätigkeit bei Intel war er CEO der Lantiq Deutschland GmbH, einem Fabless-Halbleiterunternehmen, das 2015 von Intel übernommen wurde. Darüber hinaus hatte er mehrere Führungspositionen bei anderen Halbleiter- und Technologieunternehmen inne, darunter Conexant Systems, Coldwatt, Inc. – einem Anbieter von hocheffizienten Netzteilen für die Kommunikations- und Computerindustrie –, Silicon Laboratories und Motorola, Inc. Zusätzlich hatte er die Position des operativen Geschäftsführers bei Golden Gate Capital, einer privaten Beteiligungsgesellschaft, inne. Artusi ist derzeit Mitglied des Vorstands von MaxLinear, Inc. (NYSE:MXL), Minim (OTC: MINM) und den Vorständen der privaten Technologieunternehmen GenXComm, Inc. und VisIC-Tech sowie im Engineering Advisory Board der Cockrell School of Engineering an der University of Texas in Austin.

„Daniel Artusi bringt umfangreiche Branchenerfahrung in unseren Vorstand ein“, sagte Ali Pourkeramati, CEO von FMC. „Seine langjährige Strategie- und Führungserfahrung in der Halbleiterindustrie wird FMC zugutekommen, wenn wir die Kommerzialisierung unseres innovativen ferroelektrischen Speichers vorantreiben.“

„Ich freue mich auf die Zusammenarbeit mit Ali Pourkeramati und dem Rest des FMC-Teams“, sagte Artusi. „FMC hat eine einzigartige und patentierte Technologie zur Umwandlung von amorphem HfO2 in kristallines ferroelektrisches HfO2 entwickelt, die im Vergleich zu modernsten und zukünftigen Speicherlösungen eine überlegene Leistung bieten kann. Diese Technologie wird erhebliche Vorteile für Anwendungen wie KI, 5G und Big Data bringen, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch sowie Kompatibilität mit modernsten CMOS-Logikprozessen erfordern.“
Über die Ferroelectric Memory GmbH (FMC)

FMC hat die modernste ferroelektrische Hafniumoxid-Speichertechnologie entwickelt, um nichtflüchtige Speicher der Spitzenklasse für zukünftige Innovationen in der Elektronik und Informationstechnik zu liefern. Das Unternehmen wurde 2016 gegründet und arbeitet derzeit mit großen Halbleiterunternehmen an seiner Embedded- und Stand-Alone-Speicherlösung. Seine ferroelektrische Feldeffekttransistor- (FeFET) und Kondensator- (FeCAP) Technologie ist einfach zu integrieren, schnell, stromsparend und skalierbar, hat eine hohe Lebensdauer mit jahrzehntelanger Datenhaltung und eignet sich für eine breite Palette von KI-, IoT-, Edge-, Rechenzentrums- und Embedded-Anwendungen.
Weitere Informationen unter: www.ferroelectric-memory.com
 
 
 
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» Presse-Information
Datum: 06.04.2021 14:00
Nummer: FMC PR21_01_DE
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Daniel Artusi wurde in den Vorstand von FMC berufen.
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82266 Inning am Ammersee

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Tel.: +49 (0)8143 59744-20
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