| 02.05.2018 15:00 |
AT&S bietet Ausblick in die Zukunft der Verbindungstechnologie: Von der Leiterplatte bis zum All-in-One-Package |
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Auf dem 14ten AT&S Technologieforum wurden aktuellen Trends, Herausforderungen und Lösungsansätze für Leiterplatten und umfassende Verbindungs-Technologien präsentiert. ... |
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| 29.11.2017 11:00 |
Optimierte und kosteneffiziente Design-Umsetzung mit der X-in-Board Technologie von AT&S |
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Leoben, 29. November 2017 – AT&S verfügt neben seinem umfassenden Portfolio an Standard-Leiterplatten-Technologien auch über verschiedene spezielle Verfahren, Materialien und Technologien, die für besondere Anforderungen wie hohe Verdrahtungsdichte, verbesserte Wärmeabfuhr oder Hochfrequenz ... |
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| 12.10.2017 12:15 |
Vom Hörgerät über Herzschrittmacher bis hin zur Prothese: Höchst miniaturisiert und extrem zuverlässig durch innovative Leiterplattentechnologie von AT&S |
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Leoben, 12. Oktober 2017 – Der Trend hin zur Miniaturisierung und Digitalisierung prägt auch die Medizintechnik. Dabei werden die Systeme und Komponenten für die Therapie, Diagnose und Patientenüberwachung immer kleiner und leistungsfähiger. Wie in keinem anderen Bereich, haben - trotz fortschreiten... |
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| 30.08.2017 10:00 |
AT&S ermöglicht "coole" Ausführungen miniaturisierter Hochleistungsanwendungen |
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Leoben, 30. August 2017 - Miniaturisierung und zunehmende Leistungsdichte spielen eine wichtige Rolle für moderne Anwendungen in der Elektronik. Die Lebensdauer elektronischer Bauteile kann sich durch eine Erhöhung der Betriebstemperatur um nur wenige Grad Celsius drastisch verringern. ... |
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| 06.07.2017 16:00 |
AT&S schafft Voraussetzung für autonomes Fahren und High-Speed-Kommunikation |
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Leoben, 6. Juli 2017 – Die Automobilindustrie arbeitet intensiv an Lösungen für autonomes Fahren und Auto-zu-Auto-Kommunikation. Gleichzeitig ist die Kommunikationsindustrie auf dem Weg zu 5G und Breitband-Netzwerken durch immer höhere Datenraten gekennzeichnet. Große, komplexe Datenmengen müssen ... |
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| 25.04.2017 10:00 |
ECP®-Technologie von AT&S ermöglicht Evaluierung eines voll integrierten Multilevel-Leistungswandlers auf GaN-Basis |
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Leoben, 25. April 2017 – Das Fraunhofer IAF hat einen voll integrierten monolithischen Multilevel-Konverter in einer Hochvolt-AlGaN/GaN-on-Si-Technologie entwickelt. Die integrierte Inverter-Schaltung ist für maximale Spannungen von +/- 400 V und Ströme von 5 A ausgelegt. Der Multilevel-Wandler auf ... |
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