Presse-Informationen von Infineon Technologies
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Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG)de-DEInfineon TechnologiesMEXPERTS AG (info@mexperts.de)Copyright 2010 MEXPERTS AG2013-05-21T00:13+01:00presseagentur.com - das Presseportal der MEXPERTS AG
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http://www.presseagentur.com/pics/rdf_logo.gifInfineon stellt neues TO-Leadless-Gehäuse vor – entwickelt für Hochstrom-Anwendungen bis zu 300 A
http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=3445&lang=de
Neubiberg, 14. Mai 2013 – Infineon Technologies hat heute ein neues TO-Leadless-Gehäuse vorgestellt, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant geringere Abmessungen und ein verbessertes EMV-Verhalten bietet. In dem Gehäuse verbirgt sich die neueste OptiMOS MOSFET-Generation für Anwendungen...2013-05-14T10:10+01:00Infineon präsentiert 650-V-TRENCHSTOP™ 5 – IGBTs mit höchster Performance in ihrer Klasse erfüllen anspruchsvollste Kundenvorgaben
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Neubiberg – 14. Mai 2013 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der PCIM 2013 in Nürnberg die 650-V-TRENCHSTOP™ 5-Technologie. Seit Einführung der neuesten Dünnwafer-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-Generation im Herbst 2012 erfreut sich TRENCHSTOP™ 5 einer hohen Marktakzeptanz und wird...2013-05-14T10:10+01:00Infineon bietet EconoDUAL™ 3-Leistungsmodule mit Automotive-Qualifizierung für höchste Leistungsdichte und Zuverlässigkeit
http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=3438&lang=de
Neubiberg und Nürnberg – 14. Mai 2013 – Auf der Fachmesse PCIM Europe 2013 in Nürnberg (14. bis 16. Mai 2013) stellt die Infineon Technologies AG eine neue Serie von EconoDUAL™ 3 IGBT-Modulen vor, die gemäß Automotive-Standards qualifiziert sind. Das neue Portfolio zielt insbesondere auf Anwendungen...2013-05-14T10:10+01:00Infineon ergänzt EiceDRIVER™-Familie um die Compact-Klasse – Neue 2EDL EiceDRIVER™ für eine Vielzahl von Leistungsapplikationen
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Neubiberg, 7. Mai, 2013 - Zur Fachmesse für Leistungselektronik PCIM 2013 führt die Infineon Technologies AG die neuen Halbbrücken Gate-Treiber 2EDL EiceDRIVER™ Compact für Anwendungen mit Sperrspannungen von 600 Volt auf den Markt ein. Mit einer sehr schnellen Bootstrap Diode und Widerstand ...2013-05-07T12:25+01:00Infineon bietet CoolMOS™-MOSFETs jetzt auch im TO 247-4-Gehäuse an; Deutliche Erhöhung des Wirkungsgrades in hart schaltenden Topologien
http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=3433&lang=de
Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies AG hat heute das TO 247-4-Gehäuse eingeführt. Der zusätzliche vierte Anschluss fungiert als "Kelvin-Source", um den negativen Einfluss der parasitären Induktivität in der Source-Zuleitung des Leistungs-MOSFETs zu reduzieren. Davon profitieren vor allem ...2013-05-06T15:20+01:00Infineon präsentiert CoolMOS™ C7; Technologiesprung ermöglicht weltweit niedrigsten Einschaltwiderstand in hart schaltenden Anwendungen
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Neubiberg, 6. Mai 2013 - Infineon Technologies erweitert sein Produkt-Portfolio mit dem CoolMOS™ C7 und führt damit eine neue Generation der 650V Superjunction MOSFET-Technologie ein. ...2013-05-06T10:10+01:00Umsatz und Segmentergebnis des zweiten Quartals deutlich über Vorquartal
http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=3430&lang=de
Neubiberg, 2. Mai 2013 - Die Infineon Technologies AG hat heute das Ergebnis für das am 31. März 2013 abgelaufene zweite Quartal des Geschäftsjahrs 2013 bekannt gegeben. ...2013-05-02T07:43+01:00Erfolgreiche Markteinführung der wärmeleitenden Paste TIM - Schnelle Ausweitung des Angebots auch auf andere Produktgruppen
http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=3428&lang=de
Neubiberg, 30. April 2013 - Das von der Infineon Technologies AG entwickelte Thermal Interface Material (TIM) zur Verringerung des Kontaktwiderstands zwischen der Metallfläche des Leistungshalbleiters und dem Kühlkörper wurde erfolgreich am Markt eingeführt. Kunden konnten sich am Leittyp EconoPACK™ + der neuen D-Serie davon überzeugen, dass mithilfe der wärmeleitenden Paste die Leitfähigkeit deutlich verbessert wird. ...2013-04-30T11:10+01:00Infineon und GLOBALFOUNDRIES kündigen Entwicklungs- und Produktionskooperation für 40-nm Embedded-Flash-Prozesstechnologie an
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Neubiberg, Dresden und Singapur, 29. April 2013 - Die Infineon Technologies AG und Globalfoundries Inc. haben heute ihre Entwicklungs- und Fertigungskooperation bei 40 Nanometer (nm) Embedded-Flash angekündigt. Die Vereinbarung umfasst die gemeinsame Entwicklung der Fertigungstechnologie auf Basis v...2013-04-29T11:40+01:00Forschungsstart eines Schlüsselprojekts zur Stärkung des Fertigungsstandorts Europa: "Enhanced Power Pilot Line" unter Leitung von Infineon
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Neubiberg und Villach, Österreich, 26. April 2013 - Am Villacher Standort von Infineon Technologies findet derzeit die zweitägige Kick-Off-Veranstaltung für eines der größten europäischen Forschungsprojekte der kommenden Jahre statt. Das Forschungsprojekt "Enhanced Power Pilot Line" (EPPL) hat zum Ziel ...2013-04-26T11:40+01:00