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    <title>Presse-Informationen von Infineon Technologies</title>
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    <description>Aktuelle Presse-Informationen von Infineon Technologies (Bereitgestellt von MEXPERTS AG)</description>
	<language>de-DE</language>
	<dc:publisher>Infineon Technologies</dc:publisher>
	<dc:creator>MEXPERTS AG (info@mexperts.de)</dc:creator>
	<dc:rights>Copyright 2004 MEXPERTS AG</dc:rights>
    <dc:date>2009-07-03T04:27+01:00</dc:date>
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		<title>presseagentur.com - das Presseportal der MEXPERTS AG</title>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2139&#38;lang=de">
	<title>Infineon hebt den Ausblick für die Geschäftsentwicklung des dritten Quartals an</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2139&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg, 25. Juni 2009 - Die Infineon Technologies AG hat heute ihre Prognose für die Geschäftsentwicklung im dritten Quartal des Geschäftsjahres 2009 angehoben. Das Segmentergebnis in Summe wird sich im laufenden Quartal voraussichtlich in Richtung Gewinnschwelle bewegen. Für das dritte Quartal ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-25T15:45+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2134&#38;lang=de">
	<title>Infineon bietet OptiMOS 3 75 V-MOSFET-Familie mit idealen Schaltcharakteristika für energieeffiziente Leistungswandlung</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2134&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute seine neuen OptiMOS[tm] 3 Leistungs-MOSFETs mit einer Sperrspannung von 75 Volt vorgestellt. Die OptiMOS 3 75V-Leistungsbauelemente bieten das industrieweit beste Schaltverhalten mit ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-19T14:15+01:00</dc:date>
</item>

<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2133&#38;lang=de">
	<title>Infineon kombiniert mit neuer Generation von CoolMOS MOSFETs die Vorteile der Superjunction-Technologie mit den Stärken traditioneller Hochvolt-Bauelemente</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2133&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg und Shenzhen, China - 19. Juni 2009 - Auf der China Power Show in Shenzhen hat Infineon Technologies heute mit der CoolMOS[tm] C6-Familie seine nächste CoolMOS-Generation und erste Produkte mit einer Sperrspannung von 600 Volt vorgestellt. Mit der neuen 600 V CoolMOS C6-Serie lassen sich ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-19T14:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2119&#38;lang=de">
	<title>Neue LDMOS-Leistungstransistoren von Infineon mit hoher Ausgangsleistung und Bandbreiten-Performance für Mobilfunk-Basisstationen der nächsten Generation</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2119&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009 - Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute eine neue Familie LDMOS-Leistungstransistoren für den Einsatz in Mobilfunk-Basisstationen für Breitbandübertragungen präsentiert. ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-09T15:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2120&#38;lang=de">
	<title>Infineon präsentiert die ersten integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärker; Ideal geeignet für Doherty-Architektur und kompakte Verstärker in Mobilfunk-Applikationen</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2120&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg und Boston, USA, 9. Juni 2009. Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium in Boston hat die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) heute die erste Baureihe mit integrierten Dual LDMOS-Leistungsverstärkern für Basisstationen von Mobilfunknetzen vorgestellt. ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-09T15:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2117&#38;lang=de">
	<title>Infineon und LS Industrial Systems erschließen Märkte für Weiße Ware in Korea und Asien; Joint Venture beschleunigt Marktzugang für Leistungsmodule</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2117&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Seoul, Korea und Neubiberg, 9. Juni 2009 - Das koreanische Unternehmen LS Industrial Systems und Infineon Technologies gaben heute die Gründung eines Joint Ventures bekannt, mit dem sie ihr Geschäft bei Leistungsmodulen für Weiße Ware in Korea und Asien ausbauen wollen. ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-09T09:40+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2113&#38;lang=de">
	<title>Infineon bietet Leistungsmodul MIPAQ base mit integrierten Shunts </title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2113&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg und Shanghai, China, 3. Juni 2009   - Anlässlich der Kongressmesse PCIM China 2009 in Shanghai hat Infineon Technologies den Start der Serienproduktion des Leistungsmoduls MIPAQ[tm] base angekündigt. Das Leistungsmodul MIPAQ (Modules Integrating Power, Application and Quality) base ...</dc:description>
	<dc:date>2009-06-03T11:45+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2108&#38;lang=de">
	<title>Technologiekooperation RoCC für breiten Einsatz moderner Sicherheits-Technologien; Automobilhersteller und Zulieferer wollen Radarsensorik für alle Fahrzeugklassen nutzbar machen</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2108&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg, 28. Mai 2009 - Die BMW Forschung und Technik GmbH, die Continental AG, die Daimler AG, die Infineon Technologies AG und die Robert Bosch GmbH gründen die Technologiekooperation &#34;Radar on Chip for Cars&#34; (RoCC). Ziel der gemeinsamen Forschungstätigkeiten ist es, Radarsysteme von hoher ...</dc:description>
	<dc:date>2009-05-28T10:00+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2098&#38;lang=de">
	<title>Infineon platziert Wandelanleihe über 195,6 Mio. EUR - Emission war vielfach überzeichnet; Preisfestsetzung am oberen Ende der Bookbuilding Spanne für das Disagio</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2098&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg, 18. Mai 2009 - Die Infineon Technologies AG hat heute durch die Infineon Technologies Holding B.V., eine 100%-ige Tochtergesellschaft, erfolgreich eine nachrangige Wandelschuldverschreibung platziert. Das Angebot war vielfach überzeichnet. Die Wandelanleihe stärkt die Liquidität und ...</dc:description>
	<dc:date>2009-05-18T17:25+01:00</dc:date>
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<item rdf:about="http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2096&#38;lang=de">
	<title>Infineon begibt Garantierte Nachrangige Wandelschuldverschreibungen mit Fälligkeit 2014 wandelbar in bis zu 74.950.000 Infineon Aktien</title>
	<link>http://www.presseagentur.com/infineon/detail.php?pr_id=2096&#38;lang=de</link>
	<dc:description>Neubiberg - 18. Mai 2009 - Der Vorstand der Infineon Technologies AG (“Infineon”) hat heute mit Zustimmung des Aufsichtsrats die Ausgabe von garantierten, nachrangigen Wandelschuldverschreibungen (die „Wandelanleihe“) beschlossen. Die Wandelanleihe wird von der Infineon Technologies Holding B.V., ...</dc:description>
	<dc:date>2009-05-18T10:05+01:00</dc:date>
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